等效电路法
半导体的非线性特性使放大电路分析复杂
以基本共射放大电路图为例
直流模型
- 适用于分析Q点
由之前对放大电路的静态工作点的分析,得到以上的等式,通常将发射结压降等效成恒定的直流恒压源,可得到下图(a),集电极电流仅取决于基极电流,与静态管压降无关,可看成由基极电流控制的电流源,即输出特性曲线变成横轴平行线,即图(b),利用这两种关系,可得到图(c)。
(a)输入特性折线化(b)输出特性理想化
(c)晶体管的直流模型 - 图(c)中两个二极管均为理想二极管,控制着电流的方向。
- 晶体管的直流模型是其工作在放大状态的直流模型。
- 使用条件如下:
交流等效模型(晶体管h参数等效模型)
仅适用于低频小信号
将晶体管看成一个二端口网络,以b-e为输入端口,c-e为输出端口
利用上图的输入输出电流电压关系,得到:
对其进行全微分
故(下表e代表共射接法):
故:
- b-e间等效一个电阻与电压控制的电压源串联
- c-e间等效一个电流控制的电流源与电阻并联
根据全微分后的式子,交流等效模型如图:
h参数的物理意义
简化后h参数等效模型
输入回路内反馈系数h12很小,可忽略不计输入回路等效成动态电阻
输出回路电导h22很小,可忽略不计,输出回路等效一个受控电流源
b-e间电阻由1、2、3三部分组成
b-e间电阻由1、2、3三部分组成
1:基区体电阻
2:发射结电阻(利用PN结电流方程求)
3:发射区体电阻
1与3阻值跟杂质浓度和制造工艺有关,基区薄,多子浓度低,故1阻值很大(小功率:几十欧-几百欧);发射区多子浓度很高,故3阻值很小(几欧,与1,2比可忽略)上图可等效成下图
输入特性曲线上,Q点越高,b-e间电阻越小
共射放大电路动态参数的分析
基本共射放大电路👇
(a)交流等效电路(b)输出电阻分析
电压放大倍数
输入电阻
输出电阻
放大电路的输入电阻与信号源内阻无关,输出电阻与负载无关
阻容耦合共射放大电路动态分析
交流等效电路如下
电压放大倍数
输出电压对信号源的放大倍数
输入电阻【不应含有Rs】
输出电阻【不应含有R’L】