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MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理学习(2)
1.PWM直接驱动驱动主开关晶体管栅极的最简单方法是利用 PWM 控制器的栅极驱动输出,如图(1)如 图 8中所示,PWM 控制器和 MOSFET 之间可能有较大距离。由于栅极驱动和接地环路迹线形成的环路,这个距离形成了寄生电感,从而降低了开关速度,并导致栅极驱动波形中形成振铃。为了降低与栅极驱动连接相关的电感,需要更宽的 PCB 迹线。(2)直接栅极驱动的另一个问题是PWM 控制器的驱动电流能力有限。极少有集成电路能提供高于 1A 的峰值栅极驱动能力。2.旁路电容的确定(1)位置如果是独立的原创 2020-07-28 21:56:35 · 4562 阅读 · 1 评论 -
MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理的学习(1)
1.MOSFET相对于三极管的优势其中一个优势是,MOSFET 器件在高频开关应用中使用 应用非常重要。MOSFET 晶体管更加容易驱动,因为其控制电极与导电器件隔离,所以不需要连续的导通电流。一旦 MOSFET 晶体管开通,它的驱动电流几乎为零。而且,控制电荷大量减少,MOSFET 晶体管的存储时间也相应大幅减少。这基本上消除了导通压降和关断时间之间的设计权衡问题,而开通状态压降与控制电荷成反比。2.影响开关性能的最重要的寄生器件(1)寄生电容更复杂的问题由电容器 CGD 在开关应用中 引起,原创 2020-07-27 23:36:49 · 2906 阅读 · 0 评论