存储器

SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器
它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

1. PSRAM，全称Pseudo static random access memory;伪静态随机存储器.80%的PSRAM用于2G移动通讯的base band的数据处理存储，以SiP的形式出现.

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器
最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）。DRAM家族：

1. SDRAM系列 （DDR从属于），Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）；同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写
2. EDO系列，Extended Data Out（扩展数据输出）；每隔2个时钟周期传输一次数据

Flash ,即Flash EEPROM Memory，闪存
存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据，flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。

1. NOR Flash是一种非易失闪存技术.特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中.
2. Nand-flash.内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储;通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器
一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，实现重复擦除和写入的功能。
EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory),电可编程序只读存储器
一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）.一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除.