常用存储器介绍

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图一
注意:"易失/非易失"是指存储器断电后,它存储的数据内容是否会丢失的特性。

(一)RAM和ROM
1.1 RAM

RAM即随机存储器,它是指存储器中的数据被读入或者写入与信息所在位置无关,时间都是相同的

1.1.1 DRAM

DRAM即动态随机存储器,它以电容的电荷表示数据,由于电容的充放电效应,所以存储数据需要定时刷新才能保证数据的正确性。它的优点是集成密度远高于SRAM,功耗低,价格也低;缺点是因需要舒心而使外围电路复杂,速度较SRAM慢,但是比任何ROM都快。尽管如此,由于DRAM[1]存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
图二
根据DRAM的通信方式又可以分为同步和异步,这两种方式根据是否需要时钟信号来区分,由于同步的通信更快,所以同步的DRAM使用更广泛,同步的DRAM又被称为SDRAM
为了进一步提高SDRAM的通信速度,又设计了DDR SDRAM,双倍速率SDRAM,它是在SDRAM上的一种改进,至于DDRII和DDRIII他们的通信方式并没有区别,主要是通信的同步时钟的频率提高了。
小知识:当前计算机的内存条是DDRIII SDRAM

特性DRAMSRAM
存取速度较慢较快
集成度较高较低
生产成本较低较高
是否需要刷新
1.1.2 SRAM

SRAM静态随机存储器,这种存储器是以锁存器的形式存储数据,由于不需要定时刷新充电,所以称为静态的。它的优点是速度快、使用简单、不需要刷新、静态功耗极低,常用作缓存;缺点就是元件较多、集成密度低、运行功耗大,价格高

PSRAM:

基本原理:PSRAM就是伪SRAM,内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似,但外部的接口跟SRAM相似,不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM主要应用于手机,电子词典,掌上电脑,PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

1.2 ROM

ROM即只读存储器,一般用于指现代非易失性存储半导体

  1. MASK ROM
    MASK(掩膜) ROM就是正宗的"Read Only Memory",存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的,生产后就不可修改,其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大,数据不需要修改的场合,还有应用。
  2. OTPROM
    OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料,用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入,但只能写入一次,被写入过后,它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OTPROM来存储密钥;STM32F429系列的芯片内部也包含有一部分的OTPROM空间。
  3. EPROM
    EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器,它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据,擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰,被EEPROM取代。
  4. EEPROM
    EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写,它的擦除和写入都是直接使用电路控制,不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据,无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。
(二)NOR FLASH 和NAND FLASH的区别

FLASH 又称为闪存,也有人称为FLASH ROM,它们的容量一般较大,在擦除时一般以多字节为单位。 相同点:

  • Nor flash 和nand flash都是在写入之前进行擦除的

区别:
主要在于Nor flash 的地址线和数据线分开,它可以按字节读取数据,符合CPU的指令译码执行要求, 所以NOR FLASH 可以运行代码,即CPU给NOR FLASH 一个地址,NOR FLASH 就能向CPU返回一个数据让CPU执行,不需要额外的操作,NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高。
而NAND FLASH 数据线和地址线共用,只能按块读写数据,即使存储了代码指令,它也无法返回某数据的地址,所以不能运行程序,NAND FLASH结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
由于两种FLASH存储器特性的差异,NOR FLASH一般应用在代码存储的场合,如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合,包括SD卡、U盘以及固态硬盘等,都是NAND FLASH类型的。

特性NOR FLASHNAND FLASH
同容量存储器成本较贵较便宜
集成度较低较高
介质类型随机存储连续存储
地址线和数据线独立分开公用
擦除单元以扇区为单位以块为单位
读写单元可以基于字节读写必须以块为单位读写
读取速度较高较低
写入速度较低较高
坏块较少较多
是否支持XIP支持不支持
(三)emmc

eMMC (Embedded Multi Media Card)是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC在封装中集成了一个控制器,提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。

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