需求背景:
DDR3 内存颗粒由原来的 2Gb*9(其中 1
颗为
ECC
颗粒
)
替换为三星 和镁光的 4Gb*9
(此项目的内存颗粒是直接焊在主板上,
Processor:
Intel Silvermont Atom Processor,
Chipset:
Avoton SoC
)

参考镁光提供的 SPD 修改后,发给工厂离线烧录,测试发现还有以下 2 个问题需要修改:
①为了使用一个 SPD image 兼容三星和镁光,将厂家信息去掉(第 117-118 个字节)。
②将第 12 个字节内存频率信息由 1600MHZ(0Ah)改为 1866MHZ(04h)。 此外还需将 SPD 写保护关闭,使用 RU 工具修改进行测试。
在代码中关闭写保护(SMB_Config_HCFG : B0D31F3 + Offset 40h):
另外应该还需输出低电平到 CPLD 直接控制的 SPD1_WD 引脚。
RU工具读取操作SPD内容:
硬件写保护引脚:
#510524 EDS文档相关内容: