DRAM内存的工作原理与操作-CSDN博客

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本文详细介绍了DRAM的工作原理，包括其基本组成、内存地址、寻址过程以及内存cell的读写操作。DRAM由晶体管和电容器组成的cell存储数据，由于电容漏电需要不断刷新。内存cell按矩阵排列，通过行地址和列地址进行寻址。寻址过程中，感应放大器起到关键作用，放大微弱信号。数据存储依赖于MOSFET的控制，通过模拟水库模型解释了数据0和1的存储方式。读取数据时，感应放大器用于检测IO线路的微小变化。

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工作原理

基本组成
DRAM（dynamic)是由许多重复的单元----cell组成，每一个cell由一个晶体管和一个电容器组成，每一个电容可存储1bit数据量（类比 SRAM每存储1bit数据量需要4-6个晶体管），而电容的充电放电就是存储0和1。DRAM相较于SRAM来说有个特点就是需要不断的刷新（再生），其原因就在于由于电容有漏电现象，因此过一段时间后电荷就会丢失，导致所存储的数据丢失，这个刷新动作一直要持续到数据改变或者断电。DRAM由于结构简单，可以做到面积很小，但存储量大。

内存地址
内存中的cell按矩阵形排列，每一行每一列都有对应的行地址线路和列地址线路。之所以是按矩阵排列而非线性排列，主要是因为节省空间，让cell排列更紧凑一点。 这里的地址是唯一的，因为每一个cell都是由一个行地址和一个列地址构成的，独一无二的。

寻址
数据要写入内存的一个cell，或者读取一个数据，必须要先完成寻址操作。首先要将需要操作的cell对应行地址信号和列地址信号输入到行/列地址缓存器中，然后先通过行解析码选择特定的行地址线路，以激活特定的行地址。每个行地址线路会和很多的列地址线路相连，由于这个激活信号非常微弱，所以我们还需要一个额外的感应放大器来放大这个信号。当行激活后，列地址缓冲器的列地址信号通过列解析码器确定了列地址，并被对应的感应放大器通过连接IO线路，这样cell就被激活了，并可供读写操作，寻址完成。

内存cell的基本操作
内存