DRAM工作原理

工作原理

基本组成
DRAM（dynamic)是由许多重复的单元----cell组成，每一个cell由一个晶体管和一个电容器组成，每一个电容可存储1bit数据量（类比 SRAM每存储1bit数据量需要4-6个晶体管），而电容的充电放电就是存储0和1。DRAM相较于SRAM来说有个特点就是需要不断的刷新（再生），其原因就在于由于电容有漏电现象，因此过一段时间后电荷就会丢失，导致所存储的数据丢失，这个刷新动作一直要持续到数据改变或者断电。DRAM由于结构简单，可以做到面积很小，但存储量大。

内存地址
内存中的cell按矩阵形排列，每一行每一列都有对应的行地址线路和列地址线路。之所以是按矩阵排列而非线性排列，主要是因为节省空间，让cell排列更紧凑一点。 这里的地址是唯一的，因为每一个cell都是由一个行地址和一个列地址构成的，独一无二的。

寻址
数据要写入内存的一个cell，或者读取一个数据，必须要先完成寻址操作。首先要将需要操作的cell对应行地址信号和列地址信号输入到行/列地址缓存器中，然后先通过行解析码选择特定的行地址线路，以激活特定的行地址。每个行地址线路会和很多的列地址线路相连，由于这个激活信号非常微弱，所以我们还需要一个额外的感应放大器来放大这个信号。当行激活后，列地址缓冲器的列地址信号通过列解析码器确定了列地址，并被对应的感应放大器通过连接IO线路，这样cell就被激活了，并可供读写操作，寻址完成。

内存cell的基本操作
内存cell可以分为三个基本操作，数据的存储，读入，写入，我们将通过模型类比来说明问题目的。首先要完成寻址 操作，并且电容的充放电要被感应放大器感应到，并且放大，然后MOSFET打开，电容放电，产生了电势变化，并把电荷输送到IO线路，导致线路电势也变化。以下我们先了解硅晶体中MOSFET的控制原理。

MOSFET的控制原理-----水库模型
要说明这个MOSFET的控制原理，我们借助一个水库模型来说明。MOSFET有三级，分别是源极（source），他连接着电容；漏极（drain），他连接着列地址线路，栅极（gate），他是控制电荷流出的阀门。电容在充电后电势会发生改变，这样源极的电势就会跟着变化，和漏极形成电势差，而栅极的电势就决定了源极有多少电荷可以流入到漏极。用水库模型来说明，就是当左边水池的水量升高（电容充电）后，当阀门关闭时，左边水池中的水是不会流到右边水池中去的，然后阀门打开（降低，电势升高），左边的水就可以流向右边了，而阀门的高度决定了左边可以有多少水进入到右边去，（但在数字电路中，MOSFET只有开和关两种状态，因此下文提到的打开MOSFET就是全开）；同样当右边的水多于左边时，阀门打开后右边的水就会流向左边。因此在水库模型中，电容就充当了左边的水池，而MOSFET的栅极就充当了阀门，列地址线路和IO就充当了右边的水道。（可以这样理解：电势低时，IO线路和列地址线路对应水位最高，MOSFET阀门关闭，也可以说是阀门增高挡住了水的流入）

存储数据
MOSFET栅极电势为0v时，电容的电荷不会流出，数据得以保存。当水库中的水高于一半高度时，电势变低，可以表示数据0，反之亦然。但以上只是理论情况，实际上电容会自然漏电，电子数量会减少，电势会上升，数据的保存会出错，所以这时我们就需要定时对MOSFET进行电容的充电，也就是我们所说的刷新。

写入数据
数据写入分为写入0和写入1两种情况，写入前，电容原有的情况可能是高电势，也可能是低电势。
先看写入0，写入开始，IO线路上电势为0（水道处于水位最低点），MOSFET栅极电势上高（水库阀门降低到最低），阀门打开，电容中的电势就跟着降低（此时是左边水位低于右边水位）。直到接近0v（水池被灌满），写入0完成，栅极电势降回0v，阀门关闭。
写入1，写入开始时，IO线路高电势，MOSFET栅极电势上高（水库阀门降到最低），阀门打开后，电容中的电势也跟着升高（水流出并降低水位）到接近5v，写入1完成（左边水位高于右边水位时），此时栅极电势回到1v，阀门关闭。
逻辑联系：水代表电子，当电容充电时，电子增多，水位升高，电势降低，代表存储数字0；当电容放电，电子减少，电势升高，代表存储数字1.

读入数据
读取0，电容中的电势为高电势（假如为0v，水池为高电位），IO线路上电势升高至2.5v（此时水道水位低于水池），MOSFET栅极电势升高到5v（水库阀门降低到最低），阀门打开，电容中电势上升（水位减少），但因为水道容量大，故不会损失太多的水，尽管电容依然有电势的变化，但比较的微弱，此时需要感应放大器来感应到IO线路上电势变低了，因此识别出0读出。

读取1，电容为高电势，IO线路上电势升高（水道水位比水池高），MOSFET栅极电势升高（水库阀门降低到最低），阀门打开后，电容中的电势降低，因为水道容量大，水位不会降低太多，会降一点，电势升高，然后用感应放大器检测到IO线路的电势升高，识别出1读出。
感应放大器主要用于寻地址时候对行列地址线路微弱的激活信号的放大，和读入数据时，对IO线路电势微弱变化的放大。

参考：https://blog.csdn.net/wangshouchao/article/details/48606639