【DRAM存储器一】基本存储单元、阵列结构、读写原理

已于 2023-09-21 16:40:07 修改
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分类专栏： DRAM存储器 文章标签： 硬件架构 硬件工程 DDR
于 2023-06-14 18:17:05 首次发布
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本文介绍了DRAM存储器的基本存储单元，包括MOSFET和电容组成的cell，以及存储阵列结构。通过字线和位线选择访问存储单元，读取时使用感应放大器放大电压差。读写过程中涉及预充电、位线充电和电容刷新等步骤。
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DRAM原理
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DRAM 原理 1 ：DRAM Storage Cell
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http://www.wowotech.net/basic_tech/307.html相关文章：DRAM 原理 2 ：DRAM Memory OrganizationDRAM 原理 3 ：DRAM DeviceDRAM 原理 4 ：DRAM TimingDRAM 原理 5 ：DRAM Devices Organization1. Storage CapacitorDRAM Storage Cell...
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【转载】图解DRAM的结构原理
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圖解RAM結構與原理，系統記憶體的Channel、Chip與Bank R.F. 發表於 2014年5月31日 09:00 2014-05-31 收藏此文 bank、rank、channel這些關於記憶體的名詞是否已困繞許久，疑似了解卻又說不出個所以然來。就讓我們一步步拆解記憶體的面紗，從架構到讀寫方式逐步揭開記憶體的秘密。 揮發性記憶體分 2 種，SRAM 和 DRAM RAM...
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基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
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DRAM单元结构的概况
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图对DRAM单元结构进行了较为详细的描述，这是平面式的最基本的结构，在1MB的DRAM占据主导地位之前一般都是这样结构的单元。与刚才的图相比较更容易理解，图的左侧为FET部分，右侧为电容器部分。氧化膜为电介质，多晶硅为电极，从而形成电容器。 　　图 DRAM的单元结构 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99
DRAM的单元结构刷新
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当DRAM的电容器存储了电荷时，对于FET来说，形成反偏置状态，必然会发生漏电流，图1中图示了这一点。因为在如图所示的方向上存在电流，因此DRAM单元的电容器将必然进行放电。所以，需要定期将单元的状态恢复为初始状态，这称为刷新操作。            图1 DRAM单元的漏电流 　　通过时间过程与单元电压的关系表示的刷新操作思路如图2所示。如果放置电容器则电容器极间电压将如图中虚线那样按指数函数下降，一旦超过阈值，则存储状态将发生反相。因此，在超越阈值之前，必须定期将存储状态恢复为原始的水平，即进行刷新。执行刷新操作的方式存在若干种，这些将在后面进行叙述。 图2  刷新操作
揭密DRAM阵列架构 — 8F2 vs. 6F2
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由于DRAM价格的持续下跌及许多制造商经历着财务困难，只有创新和积极进行工艺升级才能确保公司的成功。而DRAM器件的工艺缩微主要应用于DRAM单元，所以阵列架构在决定芯片尺寸方面起着最重要的作用。 　　8F2单元设计及一个折叠位线(bit line)阵列构成了传统的主流DRAM架构，这种架构在可制造性和DRAM阵列操控方面被证明是最可靠的。对称阵列设计和紧挨着的位线对有助于采用折叠位线架构的DRAM单元实现最可靠的检测与恢复操作。 　　一些DRAM制造商，包括著名的美光和三星还采用了6F2单元设计，其DRAM单元面积比8F2单元设计要少25%。虽然25%的DRAM单元尺寸减小很诱人，但将该
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SRAM存储器通常以块或阵列的形式组织，包括多个存储行和列。每个存储单元对应一个地址，地址空间由行地址和列地址共同决定。SRAM芯片还包含地址解码器、数据输入/输出缓冲器、以及控制逻辑，以管理读写操作和电源...
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DRAM内存颗粒是构成DRAM存储器的基本单元，它们内部有着特定的结构。 DRAM内存颗粒的内部结构包括由存储单元组成的存储阵列、位线和字线等各种连接线路，以及控制电路等组成要素。 首先，DRAM内存颗粒内部有一系列...
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