【DRAM存储器一】基本存储单元、阵列结构、读写原理

已于 2023-09-21 16:40:07 修改
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分类专栏： DRAM存储器 文章标签： 硬件架构 硬件工程 DDR
于 2023-06-14 18:17:05 首次发布
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本文介绍了DRAM存储器的基本存储单元，包括MOSFET和电容组成的cell，以及存储阵列结构。通过字线和位线选择访问存储单元，读取时使用感应放大器放大电压差。读写过程中涉及预充电、位线充电和电容刷新等步骤。
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内存基本知识DRAM工作原理
03-03
内存基本知识
动态随机存取存储器（DRAM）入门
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常见存储器：RAM,SRAM,SSRAM、DRAM,SDRAM,DDR SDRAM、ROM,PROM,EPROM,EEPROM,FLASH
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漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
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从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。　　图1. （a） DRAM存储单元；（b）单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 （GIDL）；（c）位线接触 （BLC） 与存储节点接触 （SNC） 之间的电介质泄漏；（d） DRAM电容处的电介质泄漏。　　DRAM存储单元（图1 （a））在电源关闭时会丢失已存储的数据，因此必须不断刷新。存储单元在数据丢失前可存储数据的时间， 即保留时间，是DRAM的一个关键特性
DRAM 原理 1 ：DRAM Storage Cell
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04-03 5916
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