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RSS订阅原创 先进工艺中LOD WPE效应
WPE效应：(Well Proximity Effect)阱邻近效应，是指在阱掺杂过程中，阱边缘由于散射，掺杂浓度比其他地方要高一些，这样临近阱边缘的器件特性就与远离阱边缘的器件特性不一样，主要体现在阈值电压、迁移率何体效应上。LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。版图设计时减小LOD效应的措施：①、加dummy管。
2024-09-18 16:05:52
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原创 terminal端source .bashrc文件出现if语法错误解决方法
这是在terminal里键入bash即可自动运行.bashrc和.cdsinit，快捷键和环境配置自动加载，但需要每次打开terminal键入bash。有没有其他方法打开terminal自动加载.bashrc等文件不报错？打开terminal键入 source .bashrc。
2024-08-08 15:45:43
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空空如也
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