先进工艺中LOD WPE效应

于 2024-09-18 16:05:52 发布
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分类专栏： 版图设计 文章标签： 笔记
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LOD效应：(Length Of Diffusion)扩散区长度效应，是指STI(浅沟槽隔离)到多晶硅栅poly(器件有源区)的距离不同，导致应力对器件的影响也不同，进而影响MOS管的阈值电压等参数。

版图设计时减小LOD效应的措施：①、加dummy管

WPE效应：(Well Proximity Effect)阱邻近效应，是指在阱掺杂过程中，阱边缘由于散射，掺杂浓度比其他地方要高一些，这样临近阱边缘的器件特性就与远离阱边缘的器件特性不一样，主要体现在阈值电压、迁移率何体效应上。

后仿真时可以先做norc抽取来查看WPE和前仿真的差别，即查看关键电路节点信号是否和前仿真一致，或者尽可能偏差较小。

版图设计时减小WPE效应的措施：①、加dummy器件  ②、将器件上下左右远离阱2um

逸@阳
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STI、LOD与WPE概念：WPE效应对SPICE Model 的影响
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05-22 433
WPE/STI效应在模拟设计中的影响 (qq.com)
LOD
痞子龙3D编程
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