学期总结（随时更新）

学期总结（随时更新）

这个学期先后接触了三块板子：JZ2440、TQ3358、I.MX6U，先后学了三家的驱动开发，入手板子也有一定的熟悉流程，积攒了很多笔记，但还是感到混乱与疑惑，现在总结一下基础知识：

一、存储器 flash全称是flash eeprom memory

1. NOR FLASH

   这是stm32内置存储flash的类型，也就是考研复试老师问我的一个问题。这类flash的特点是提供完整的地址与数据总线和控制引脚，可以随机访问存储器上的任何区域，支持芯片内执行（XIP, eXecute In Place），所以用起来很像ram，读写速度较慢，擦除时以section为单位。

2. NAND FLASH

   这是2440和6ull上使用的flash，它的特点是不提供地址总线，只有数据总线和控制引脚，只能同时读几百到几千个bit组成的一个块，它不适合放置程序，适合放置文件，SD卡、光盘就是这种存储介质，读写速度比NOR更快。

3. eMMC FLASH

   为什么e小写，因为先有MMC 再有NAND再有eMMC，这个e表示embed。这是6ull使用的flash，也是当年华为p10“闪存门”的三等奖。eMMC=nand+控制IC，之前提过nand不提供单独的地址总线，所以需要外置IC来读取，这里EMMC封装在一起，向处理器提供一个通用的接口，方便开发。

4. UFS FLASH

   手机使用的存储器，P10的一等奖与二等奖。UFS相比eMMC的区别就是把并行接口升级成高速串行接口，并且是更可靠的差分传输。UFS和eMMC都是面向移动设备的，因此体积限制比较严格，通常是打包成一块芯片。

5. SSD FLASH

   非移动设备如PC和服务器使用的大型存储器设备，取代的对象是HDD。不在乎功耗和体积，因此一般是多个芯片合成一个存储器，并行化甚至冗余备份实现更高的吞吐量。

• 为什么2440这么非人类要用两种FLASH？ 因为他们各有缺点，对于一款开发板而言，你的程序可大可小，当程序较小时直接下载的到2MB的NOR是最佳选择，当你的程序较大时下载到256MB的NAND是唯一选择。为什么不配备256MB的NOR？因为没有这么大的NOR。
• 正点原子为什么要提供两种FLASH？因为对于初学者而言，无法构建一个足够精简的整套系统，此时用8GB的eMMC是最佳选择，对于工业产品，一套系统应该尽可能节省成本榨干性能，他们会选择512MB的NAND。

6. 各种盘

• 光盘是光介质存储，用氢离子激光束刻录信息
• 软盘是以前电脑用的存储器，薄软的磁存储，类似磁带，一般有两张，也就是A盘和B盘，特点是方便携带
• 硬盘是如今电脑常用的存储器，现在说磁盘就是指硬盘分SSD HDD HHD

二、内存

• SRAM
  Static Random-Access Memory，也就是静态随机存储器，这里的“静态”说的就是只要 SRAM 上电，那么 SRAM 里面的数据就会一直保存着，直到 SRAM 掉电。无需刷新即可写入，速度快，成本高，常用作SOC内部RAM或Cache。

• SDRAM
  Synchronous Dynamic Random Access Memory，翻译过来就是同步动态随机存储器，“同步”的意思是 SDRAM 工作需要时钟线，“动态”的意思是 SDRAM 中的数据需要不断的刷新来保证数据不会丢失，“随机”的意思就是可以读写任意地址的数据。
  与 SRAM 相比， SDRAM 集成度高、功耗低、成本低、适合做大容量存储，但是需要定时刷新来保证数据不会丢失。因此 SDRAM 适合用来做内存条。SDRAM 目前已经发展到了第四代，分别为： SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。
  在一片 SDRAM 中因为技术、成本等原因，不可能做一个全容量的 BANK。而且，因为 SDRAM 的工作原理，单一的 BANK 会带来严重的寻址冲突，减低内存访问效率。为此，人们在一片 SDRAM 中分割出多块 BANK，一般都是 2 的 n 次方，比如 2， 4， 8 等。于是除了地址线外还有两根线用来选择BANK，这也是 SRAM 所没有的。

• DDR
  DDR本质上还是SDRAM，但升级很大，所以单列出来记录。DDR 全称是 Double Data Rate SDRAM，也就是双倍速率 SDRAM，但并不是把时钟速率简单提高一倍，而是在一个 CLK 周期传输两次数据，也就是在上升沿和下降沿各传输一次数据，这个概念叫做预取(prefetch)，相当于 DDR 的预取为 2bit。在描述 DDR 速度的时候一般都使用 MT/s，也就是每秒多少兆次数据传输，大家常说的DDR266、 DDR400 就是指传输速度。
  DDR2又进一步进一步增加了预取，达到4bit，因此 DDR2 的数据传输速率就是 533~800MT/s，这个也就是大家常说的 DDR2 533、DDR2 800。当然了， DDR2 还有其他速度，这里只是说最常见的几种。
  DDR3又提高到了8bit，因此在总线时钟同样为 266~400MHz 的情况下， DDR3 的传输速率就是 1066~1600MT/S。这里我们讲一下LPDDR3、 DDR3 和 DDR3L 的区别，这三个都是 DDR3，但是区别主要在于工作电压， LPDDR3叫做低功耗 DDR3，工作电压为 1.2V。 DDR3 叫做标压 DDR3，工作电压为 1.5V，一般台式内存条都是 DDR3。 DDR3L 是低压 DDR3，工作电压为 1.35V，一般手机、嵌入式、笔记本等都使用 DDR3L。