ST 品牌 MOS管STD5N20LT4参数

ST 品牌 MOS管STD5N20LT4参数：
制造商 STMicroelectronics
产品种类 MOSFET
技术 Si
安装风格 SMD/SMT
封装/箱体 DPAK-3
通道数量 1Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 5A
RdsOn-漏源导通电阻 700mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅极-源极电压 5V
Qg-栅极电荷 5nC
最小工作温度 -55C
最大工作温度 +150C
配置 Single
Pd-功率耗散 33W
通道模式 Enhancement
封装 CutTape
封装 Reel
高度 2.4mm
长度 6.6mm
系列 STD5N20L
晶体管类型 1N-ChannelMOSFET
类型 MOSFET
宽度 6.2mm
商标 STMicroelectronics
正向跨导-最小值 6.5S
下降时间 15.5ns
产品类型 MOSFET
上升时间 21.5ns
工厂包装数量 2500
子类别 MOSFETs
典型关闭延迟时间 14ns
典型接通延迟时间 11.5ns
单位重量 4g

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（P沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影
P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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