使用测量方法估算微带线介质板的介电常数和高度
估算MMIC的PDK的介质板的介电常数和高度
本文的ADS工程积分下载(只含有DEMO KIT PDK):使用测量方法估算微带线介质板的介电常数和高度-ADS工程
最近在玩MMIC的PDK,发现对于一些厂家的PDK中的微带线,我们不知道其对应的介质板的介电常数和高度等参数,这就给设计带来了困难。
例如对于下面0.25um的GAN的PDK和ADS自带的DEMO KIT的PDK,可以看到只有DEMO KIT的PDK给出了介质高度和介电常数,Win的给出了板子高度(4um可能是覆铜厚度?),ITRISEMI啥都没有。我仔细看来Win文档,我没有找到相关的说明,或许是我没有看到。
比如我要从理论上设计MMIC威尔金森功分器,我就需要得到特性阻抗Z0的90度微带线所对应的实际长宽,如果不知道介质板的介电常数和高度参数,我就只能在ADS里面使用优化求,非常麻烦。
目录
1、使用优化估算微带线实际的特性阻抗
在此以ADS自带的DEMO KIT为例进行分析,其他的PDK由于版权问题没法分享。假设我需要知道特性阻抗为80欧姆所对应的微带线的实际宽度是多少,我需要构建下面的原理图:
可以看到,需要先设置好两个端口的阻抗MY_Z0为80欧姆,然后设置微带线的宽度为OPTIM变量,微带线的长度无关紧要,可以随意设置。优化的目标是S11=0,我们知道,如果微带线的特性阻抗是80欧姆,那么整个电路处于匹配状态,端口的S11、S22参数非常好,接近于0。运行OPTIM优化。得到结果:
可以看到,当微带线宽度为18.2315um时匹配情况非常好,因此可以认为微带线80欧姆所对应的宽度是18.2315um。可以看到此时的S11、S22效果:
当热,由于ADS的DEMO KIT的微带线宽度最多是50um,而50欧姆微带线对应的宽度是70多um,因此这个PDK中没有50欧姆的微带线,真的难受了。DEMO KIT提供了介电常数是12.9,基板厚度为100um,使用LineCal计算80欧姆微带线所对应的宽度,可以看到计算的结果为19um左右,和上面的结果相近:
2、观察S21的相位估算基板的介电常数与基板高度
2.1、推算理论
简单说一下理论吧,等效介电常数被视为充满微带线周围空间的均匀介质的介电常数,该均匀介质代替了介质基片和周围的空气。用等效介电常数的概念能计算微带线的相速度:
v
p
=
c
/
ϵ
e
f
f
v_{p}=c/\sqrt{\epsilon_{eff}}
vp=c/ϵeff
由此推导出波长的表达式:
λ
=
v
p
f
=
c
f
ε
e
f
f
=
λ
0
ε
e
f
f
\lambda=\frac{v_p}f=\frac c{f\sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}}=\frac{\lambda_0}{\sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}}
λ=fvp=fεeffc=εeffλ0
其中,c是光速,f是工作频率,λ0是电磁波在自由空间的波长。
上面的
ε
e
f
f
\varepsilon_{\mathrm{eff}}
εeff是有效介电常数,其和板材的介电常数
ε
r
\varepsilon_r
εr的关系如下:
ε
e
f
f
=
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
/
2
\varepsilon_\mathrm{eff}=\frac{\varepsilon_r+1}2+\frac{\varepsilon_r-1}2\left(1+12\frac hw\right)^{-1/2}
εeff=2εr+1+2εr−1(1+12wh)−1/2
其中h是介质板的高度,w是微带线的宽度。那么:
ε
r
=
ε
e
f
f
−
1
2
+
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
2
1
2
+
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
2
{\varepsilon _r} = \frac{{{\varepsilon _{{\rm{eff}}}} - \frac{1}{2} + \frac{1}{2}{{\left( {1 + 12\frac{h}{w}} \right)}^{ - \frac{1}{2}}}}}{{\frac{1}{2} + \frac{1}{2}{{\left( {1 + 12\frac{h}{w}} \right)}^{ - \frac{1}{2}}}}}
εr=21+21(1+12wh)−21εeff−21+21(1+12wh)−21
2.2、推算实践
2.2.1、估算有效介电常数 ε e f f \varepsilon_{\mathrm{eff}} εeff
如果我们已知微带线的S参数,我们可以通过S参数仿真得到其在各个频率下的电长度,再结合其在自由空间中的波长,就可以求得相对介电常数。下面举例,同样是上面的微带线,微带线长度为3000um,得到的S21的相位为:
可以看到,第一个90°电长度位置大概在9.0GHz,那么推算360°电长度(也就是一个波长)的频率在4*9.0=36.0GHz。这就意味着3000um对应的是在36.0GHz的实际微带线波长。但是仿真不一定要仿真到36GHz,比如我知道1GHz对应的延迟是10度,那么就可以推断出360°对应的频率未1GHz * 360/10=36GHz。
计算36.0GHz的自由空间波长为:
λ
0
=
c
f
=
3
×
10
8
36
×
10
9
=
25
3
m
m
{\lambda _0} = \frac{c}{f} = \frac{{3 \times {{10}^8}}}{{36 \times {{10}^9}}} = \frac{25}{{3}}{\rm{mm}}
λ0=fc=36×1093×108=325mm
那么有效介电常数为:
ε
e
f
f
=
(
λ
0
λ
)
2
=
(
25
9
)
2
=
7.72
{\varepsilon _{{\rm{eff}}}} = {\left( {\frac{{{\lambda _0}}}{\lambda }} \right)^2} = {\left( {\frac{{25}}{9}} \right)^2} = 7.72
εeff=(λλ0)2=(925)2=7.72
在此结合式子
ε
e
f
f
=
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
/
2
\varepsilon_\mathrm{eff}=\frac{\varepsilon_r+1}2+\frac{\varepsilon_r-1}2\left(1+12\frac hw\right)^{-1/2}
εeff=2εr+1+2εr−1(1+12wh)−1/2就能对板子的介电常数
ε
r
\varepsilon_r
εr进行求解。但是,在此有两种情况,也就是基板高度h可能是未知的,在此分别进行讨论。
2.2.2、基板高度h已知情况估算 ε r \varepsilon_{r} εr
这样就简单了,对式子
ε
e
f
f
=
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
/
2
\varepsilon_\mathrm{eff}=\frac{\varepsilon_r+1}2+\frac{\varepsilon_r-1}2\left(1+12\frac hw\right)^{-1/2}
εeff=2εr+1+2εr−1(1+12wh)−1/2进行变换,比如说ADS的DEMO KIT给出了基板高度是100um,我们可以得到
ε
r
\varepsilon_r
εr的计算公式为:
ε
r
=
ε
e
f
f
−
1
2
+
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
2
1
2
+
1
2
(
1
+
12
h
w
)
−
1
2
=
7
.
72
−
0.5
+
0.5
×
(
1
+
12
100
18
.
2315
)
−
0.5
0.5
+
0.5
×
(
1
+
12
100
18
.
2315
)
−
0.5
=
7
.
22
+
0.5
×
(
1
+
12
100
18
.
2315
)
−
0.5
0.5
+
0.5
×
(
1
+
12
100
18
.
2315
)
−
0.5
=
12.97
{\varepsilon _r} = \frac{{{\varepsilon _{{\rm{eff}}}} - \frac{1}{2} + \frac{1}{2}{{\left( {1 + 12\frac{h}{w}} \right)}^{ - \frac{1}{2}}}}}{{\frac{1}{2} + \frac{1}{2}{{\left( {1 + 12\frac{h}{w}} \right)}^{ - \frac{1}{2}}}}} = \frac{{{\rm{7}}{\rm{.72}} - 0.5 + 0.5 \times {{\left( {1 + 12\frac{{100}}{{{\rm{18}}{\rm{.2315}}}}} \right)}^{ - 0.5}}}}{{0.5 + 0.5 \times {{\left( {1 + 12\frac{{100}}{{{\rm{18}}{\rm{.2315}}}}} \right)}^{ - 0.5}}}} = \frac{{{\rm{7}}{\rm{.22}} + 0.5 \times {{\left( {1 + 12\frac{{100}}{{{\rm{18}}{\rm{.2315}}}}} \right)}^{ - 0.5}}}}{{0.5 + 0.5 \times {{\left( {1 + 12\frac{{100}}{{{\rm{18}}{\rm{.2315}}}}} \right)}^{ - 0.5}}}} = 12.97
εr=21+21(1+12wh)−21εeff−21+21(1+12wh)−21=0.5+0.5×(1+1218.2315100)−0.57.72−0.5+0.5×(1+1218.2315100)−0.5=0.5+0.5×(1+1218.2315100)−0.57.22+0.5×(1+1218.2315100)−0.5=12.97
可见和正确的答案12.9非常接近。
2.2.3、基板高度h未知情况估算 ε r \varepsilon_{r} εr和h
需要先计算w/h的值(参考微带线特性阻抗快速计算—根据介质板参数和特性阻抗得到线宽(Matlab代码)),需要分情况考虑,首先,当 W h ≤ 2 \frac{W}{h}\leq2 hW≤2时的W/h的计算公式为( ε r \varepsilon_{r} εr为基板的相对介电常数):
W
h
=
8
e
A
e
2
A
−
2
\frac{W}{h}=\frac{8e^{A}}{e^{2A}-2}
hW=e2A−28eA
其中:
A
=
Z
0
60
ε
r
+
1
2
+
ε
r
−
1
ε
r
+
1
(
0.23
+
0.11
ε
r
)
A=\frac{Z_{0}}{60}\sqrt{\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{\varepsilon_{r}+1}(0.23+\frac{0.11}{\varepsilon_{r}})
A=60Z02εr+1+εr+1εr−1(0.23+εr0.11)
当
W
h
≥
2
\frac{W}{h}\geq2
hW≥2时的W/h的计算公式为:
W
h
=
2
π
{
B
−
1
−
ln
(
2
B
−
1
)
+
ε
r
−
1
2
ε
r
[
ln
(
B
−
1
)
+
0.39
−
0.61
ε
r
]
}
\frac{W}{h}=\frac{2}{\pi}\{B-1-\ln(2B-1)+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2\varepsilon_{r}}[\ln(B-1)+0.39-\frac{0.61}{\varepsilon_{r}}]\}
hW=π2{B−1−ln(2B−1)+2εrεr−1[ln(B−1)+0.39−εr0.61]}
其中:
B
=
377
π
2
Z
0
ε
r
B=\frac{377\pi}{2Z_{0}\sqrt{\varepsilon_{r}}}
B=2Z0εr377π
求解时我们回顾已知的量,分别是:
1、微带线80欧姆所对应的宽度是18.2315um
2、有效介电常数为7.72
那么写一个计算代码:
clc
% 通过第一步仿真可知
Z0 = 80;
w = 18.2315;
epsilon_eff = 7.72;
% 未知量
syms epsilon h
% 假设w/h<=2
A=Z0/60*sqrt((epsilon+1)/2)+(epsilon-1)/(epsilon+1)*(0.23+0.11/epsilon);
w_h=8*exp(A)/(exp(2*A)-2);
eqn1=w_h==8*exp(A)/(exp(2*A)-2);
eqn2=epsilon==(epsilon_eff-0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5))/(0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5));
sol=vpasolve([eqn1 eqn2],[epsilon h]);
if(w/double(sol.h)<=2)
disp('在w/h<=2的情况下计算成功')
disp(sol)
else
B=377*pi/(2*Z0*sqrt(epsilon));
w_h=2/pi*(B-1-log(2*B-1)+(epsilon-1)/(2*epsilon)*(log(B-1)+0.39-0.61/epsilon));
eqn1=w_h==2/pi*(B-1-log(2*B-1)+(epsilon-1)/(2*epsilon)*(log(B-1)+0.39-0.61/epsilon));
eqn2=epsilon==(epsilon_eff-0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5))/(0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5));
sol=vpasolve([eqn1 eqn2],[epsilon h]);
if(w/double(sol.h)>=2)
disp('在w/h>=2的情况下计算成功')
disp(sol)
else
disp('计算失败')
end
end
运行结果,可见和理论基本一致的:
3、估算0.25um的GAN的PDK的介电常数
3.1、使用优化估算微带线实际的特性阻抗
得到结果是80欧姆阻抗对应26.2um的宽度:
3.2、观察S21的相位估算基板的介电常数与基板高度
我们实际上知道板子高度为100um,但是为了验证上面的算法,还是假定高度未知,因为不管H知不知道都可以求解出来。
可以看到,第一个180°电长度位置大概在20.8GHz,那么推算360°电长度(也就是一个波长)的频率在2*20.8=41.6GHz。这就意味着3000um对应的是在41.6GHz的实际微带线波长。
上面使用公式计算了有效介电常数,此处可以直接使用代码计算,再加上上面的介电常数、基板高度的计算代码:
clc
% 通过第一步仿真可知
% 微带线的宽度与对应的阻抗
Z0 = 80;
w = 18.2315;
% S21的相位(°)和该相位对应的频率(GHZ),微带线长度,单位m
S21_PHASE=179.666;
S21_FREQ=20.8;
TLINE_length=3e-3;
% 计算在1个波长的频率
FREQ_lamda=S21_FREQ*360/S21_PHASE;
% 计算自由空间波长lamda0
lamda0=3*1e8/(FREQ_lamda*1e9);
% 计算有效介电常数
epsilon_eff=(lamda0/TLINE_length)^2;
% 未知量
syms epsilon h
% 假设w/h<=2
A=Z0/60*sqrt((epsilon+1)/2)+(epsilon-1)/(epsilon+1)*(0.23+0.11/epsilon);
w_h=8*exp(A)/(exp(2*A)-2);
eqn1=w_h==8*exp(A)/(exp(2*A)-2);
eqn2=epsilon==(epsilon_eff-0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5))/(0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5));
sol=vpasolve([eqn1 eqn2],[epsilon h]);
if(w/double(sol.h)<=2)
disp('在w/h<=2的情况下计算成功')
disp(sol)
else
B=377*pi/(2*Z0*sqrt(epsilon));
w_h=2/pi*(B-1-log(2*B-1)+(epsilon-1)/(2*epsilon)*(log(B-1)+0.39-0.61/epsilon));
eqn1=w_h==2/pi*(B-1-log(2*B-1)+(epsilon-1)/(2*epsilon)*(log(B-1)+0.39-0.61/epsilon));
eqn2=epsilon==(epsilon_eff-0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5))/(0.5+0.5*(1+12/w_h)^(-0.5));
sol=vpasolve([eqn1 eqn2],[epsilon h]);
if(w/double(sol.h)>=2)
disp('在w/h>=2的情况下计算成功')
disp(sol)
else
disp('计算失败')
end
end
得到的结果如下,由此可以估算板子的介电常数是9.2,板子高度为98um,官方给出的是100um,理论和计算比较接近的: