IGBT驱动及保护电路（之一）

前言

本文主要参考来源为周志敏、周纪海、纪爱华主编的《IGBT和IPM及其应用电路》，其中穿插了一些个人理解及总结，仅供参考学习使用，谢绝转载。

概述

IGBT（绝缘栅双极型晶体管)是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（绝缘栅场效应管）组成的全控型电压驱动式电力电子器件，既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极晶体管的电流密度大、饱和压降小、电流处理能力强的优点。

基本原理

当栅极电压Uge大于开启电压Uge(th)时，功率MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT与通。IGBT可等效为N沟道MOSFET驱动PNP管的达林顿结构，结型场效应管JFET承受大部分电压，并让功率MOSFET承受较低的电压，因此IGBT具有较低的导通电阻Rds(on)
N沟道IGBT简化电路结构如附件：

IGBT正向导通可分为两部分：
1）主动区域：当栅-发射极电压Uge只是略大于开启电压Uge(th)时，集电极电流Ic跟随Uge而变化，IGBT在这一区域的稳态运行是不被允许的；
2）饱和区域：在开关过程中，一旦Ic仅由外部电路来决定，便处于所谓的饱和区域，也称作导通状态；导通特性的主要参数是IGBT的残余电压Uce(sat）.

关断：在栅极施加一个负偏压或栅极电压小于门限值，沟道被禁止，流过反向基极电流，使IGBT关断。
IGBT是一种功率晶体管，由于在MOSFET的漏极侧形成了P层，因此以双极模式工作。IGBT使用一种称为电导率调制的现象，当从该P区注入空穴时，导通时高电阻N漂移层的电阻率会降低。由于电导率调制，可降低导通电压，但是IGBT关断时需从N漂移层中去除少数载流子。
当IGBT开始关断时，少数载流子被清出到外部电路。当IGBT的集电极-发射极电压（Vce）上升至一定水平时（即在耗尽区扩大后），少数载流子会产生内部复合电流。此电流称为拖尾电流(tail current)。由于拖尾电流是施加了高Vce电压的集电极电流，因此它是造成开关损耗的重要因素之一。

为减少拖尾电流从而减少开关损耗，原则上IGBT可以通过：
1）减少 少数载流子的寿命；
2）从集电极注入空穴量。
但这两种技术都会导致导通电压升高。因此，IGBT的设计应根据其预期应用在这些特性之间实现最佳平衡。

静态特性

包括伏安特性、转移特性、开关特性三个方面。
1）转移特性：指输出集电极电流Ic与栅极和发射极之间电压Uge的关系曲线。
当栅-发射极电压小于Uge(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，Ic与Uge成线性关系。栅-发射极之间的最佳值一般取15V左右,在+25°C时，Uge(th)的值—般为2-6V。
2）输出特性（伏安特性）：指以栅-发射极电压Uge为参变量时，集电极电流与栅极电压之间的关系曲线。集电极输出电流Ic受电压Uge的控制，Uge越高，Ic越大。

该特性可分为3个区域，正向阻断区、主动区（放大区）、导通区（饱和区）, 当Uge<0时，IGBT处于反向阻断工作状态。
通过控制极的作用，IGBT可以由正向截止状态（OP1）转换至导通状态（OP2),在导通状态下，器件可以通过负载电流，两状态之间的主动区域在开关过程中被经过。

3）开关特性：指集电极电流Ic与发射极电压之间的关系。

动态特性

IGBT的开通过程与功率MOSFET类似，因为在开通过程中IGBT在大部分时间作为功率MOSFET运行，由于IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，故IGBT的开关速度低于功率MOSFET。
导通时间与驱动电路的输出阻抗Rg及施加的栅极电压有关。

1）IGBT开通过程的时间参数有：
1.开通延迟时间td(on)，指从Vge上升至其幅值10%的时刻起，到Ic上升至10% Icm
的时间；
2. 电流上升时间tr，指Ic从10%lcm上升至90% Icm所需时间：T
3.开通时间ton，为开通延迟时间与电流上升时间之和，即ton=td(on)+tr, Vce的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1是IGBT中功率MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2是功率MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。

IGBT在开通过程中大部分时间是作为功率MOSFET来运行的，只是在漏源电压Vds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和区，又增加了一段延迟时间。 IGBT的开启电压约为3~4V，与MOSFET的开启电压相当.

2）IGBT关断过程的时间参数有
关断延迟时间td(off)，指从Uge自其幅值90%起至Ic下降至90% Icm所需的时间;
电流下降时间tf，指Ic从90% lcm下降至10%lcm所需时间；
关断时间toff, 为关断延迟时间与电流下降时间之和，即toff=td(off)+tf，电流下降时间可分为tfi1和tfi2两段。tfi1是IGBT中功率MOSFET的关断过程，Ic下降较快；tfi2是内部PNP晶体管的下降过程，Ic下降较慢。

IGBT在关断过程中，集电极电流的波形分为两段，因为功率MOSFET关断后，PNP晶体管内部的存储电荷难以迅速消除，造成集电极电流较长的尾部时间（拖尾电流)。
关断延时时间：栅-发射极注入负压时，VCE开始慢慢上升。但只要VCE小于工作电压VCC，则续流二极管处于截止状态且不能接续电流，所以IGBT的集电极电流Ic在此期间并没有明显的下降。因此，从栅发射极电压VCE降落到其开通值的90%开始，直到集电极电流下降至负载电流的90%为止这一段时间被定义为关断延迟时间td(off）。
下降时间：一旦上升的IGBT的集-发射极电压超过工作电压VCC时，续流二极管便处于正向偏置的状态下，负载电流便可以换流至续流二极管，集电极电流也因此迅速下降。在Ic下降的同时，VCE会产生一个大大超过工作电压Vcc的峰值，这主要是由负载电感引起的，其幅度与IGBT的关断速度呈线性关系, 峰值电压过高可能会造成IGBT的损坏。
关断过程中的拖尾电流严重的影响了关断损耗，因为在这段时间里，VCE已经上升至工作电压VCC以上。拖尾电流的产生也告诉我们，即使在栅极给出了关断信号，IGBT也不能及时的完全关断，这是值得注意的，在设计驱动时要保证两个桥臂的驱动波形有足够的死区。

栅极特性

IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般只能达到20-30V，故栅极击穿是IGBT常见的失效原因之一。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅-集电极间的电容耦合也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用绞线来传送驱动信号以减小寄生电感，在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

在t0时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压Uge上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，栅极电压上升较快。在t1时刻，达到IGBT的栅极门槛值，集电极电流开始上升，从此时开始有两个原因导致Uge波形偏离原有的轨迹.
第一是发射极电路中的分布电感Le上的感应电压随着集电极电流Ic的增加而加大，从而削弱了栅极驱动电压，并且降低了栅-发射极间电压Uge的上升率，减缓了集电极电流Ic的增长.
第二个影响因素是栅-集电极电容Cgc的米勒效应。在t2时刻，集电极电流达到最大值，进而栅-集电极间电容Cgc开始放电，在驱动电路中增加了Cgc的容性电流，使得驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应直维持到t3时刻Uce降到零为止。它的影响同样减缓了IGBT的开通过程，在t3时刻后，Ic达到稳态值，影响栅极电压Uge的因素消失后，Uge以较快的上升率达到最大值。

关断过程的补充说明

IGBT关断时的波形如下图所示。t0时刻栅极驱动电压开始下降，在t1时刻达到刚能维持集电极正常工作电流的水平，IGBT进入线性工作区，Uce开始上升。此时，栅-集电极间电容Cgc的米勒效应支配着 Uce的上升，由于Cgc的耦合充电作用，Uge在t1~t2期间基本不变。在t2时刻，Uge和lc开始以栅-发射极间固有阻抗所决定的速度下降；在t3时刻,Uge和lc都降为零，关断过程结束。
由图可看出，由于电容Cgc的存在，IGBT的关断过程延长了许多。为了减小此影响，一方面应选择Cgc较小的IGBT器件；另一方面应减小驱动电路的内阻抗，使流入Cgc的充电电流增加，加快Uce的上升速度。

实际应用中，IGBT的Uge幅值也影响着饱和导通压降，Uge增加时，饱和导通电压将减小。由于饱和导通电压是IGBT发热的主要原因之一，因此必须尽量减小。通常Uge为15~18V，若过高，容易造成栅极击穿, 一般取15V。 IGBT关断时给其栅-发射极加一定的负偏压有利于提高IGBT的抗骚扰能力，通常取-5–10V。

栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT开通过程的影响较大，而对关断过程影响小一些（主要取决于内部少子的复合速率），串联电阻小有利于加快关断速度，减小关断损耗；但过小会造成di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。栅极电阻对驱动脉冲的波形也有影响，电阻过小时会造成脉冲振荡，过大时脉冲波形的前后沿会发生延迟和变缓。IGBT栅极输入电容Cge随着其额定电流容量大增加而增大，为保持相同的驱动脉冲前后沿速率，对于电流容量大的IGBT，应提供较大的前后沿充电电流，即栅极串联电阻应随IGBT电流容量的增加而减小。
IGBT漏极电流有一个临界值Idm，当Id>Idm时，便会产生锁定效应。在IGBT关断过程中，假如dUds/dt过高，也会造成动态锁定效应，可通过限制Idm值或加大栅极电阻Rg的方法来延长IGBT关断时间，以减小dUds/dt值。

驱动电路的补充说明

正向栅极电压的值应使IGBT完全饱和，并使通态损耗降至最小，栅极电压为0时，IGBT处于断态，但为了保证IGBT在集-发射极电压上出现dU/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极施加一个反向关断偏压，采用反向偏压还减少了关断损耗。理想驱动电路应具有:
1.驱动电路可提供一定幅值的正反向栅极电压Uge。在允许范围内，理论上Uge越大越有利于降低器件的通态损耗，但也会使IGBT承受短路电流的时间变短，并使续流二极管反向恢复过电压增大，故正偏压应选取适当。关断时,需提供-5~-15的反向Uge，以便尽快抽取器件内部的存储电荷，缩短关断时间，减少关断损耗，提高IGBT的耐压和抗干扰能力。
2.驱动电路具有隔离的输入、输出信号功能，同时要求在驱动电路内部信号传输无延时或延时很短。
3.栅极串联合适的电阻Rg，用以控制Uge的前后沿陡度，进而控制IGBT的开关损耗。 Rg增大，Uge前后沿变缓, IGBT开关过程变长，开关损耗增加；Rg减小，IGBT开关损耗降低，但较小的Rg会导致开通时的di/dt变大, 会导致较高的dU/dt，增加了续流二极管恢复时的浪涌电压，Rg一般选择几欧到几十欧（10、15、27等），同时栅-发射极应并联一个10k的电阻Rge。
4.驱动电路应有过压保护和dU/dt保护能力。

P.S.: 首次撰写，可能存在格式的问题…