模拟集成电路笔记 | 第二部分 | Chapter 4

模拟集成电路笔记 | 第二部分 | Chapter 4

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第四章 差动放大器

4.1 单端和差动的工作方式

差动工作相比单端工作的优势：

1. 对环境噪声具有更强的抗干扰能力

   

   小信号取差值可以消除大信号（时钟跃变）带来的干扰

2. 更大的输出摆幅

4.2 基本差动对

4.2.1 定性分析

1. 基本差动对

   

2. 差动分析

   

   分析：

   $V_{in1}-V_{in2}$ 从$-\infty $ 到 $+\infty $ 变化，当 V_in1 非常小时，M₁ 截止，M₂ 导通，$I_{D1}=0，l_{D2}=I_{SS}，V_{out1}=V_{DD}，V_{out2}=V_{DD}-R_D\times I_{ss}$。同理当 V_in2 也非常小时有类似结果。特别地，当电路处于平衡状态($V_{in1}=V_{in2}$) ，$I_{D1}=I_{D2}=I_{ss}/2$，$V_{out1}=V_{out2}=V_{DD}-I_{SS}/2$。

   重要特性：

   • 输出最大/最小电平与输入共模电平无关。
   • 相比简单差动电路，随着输出摆幅的增大，电路变得更加非线性（图4.8(b)）

3. 共模特性

   

   输入共模电平 V_in,CM 从 0 变化到 V_DD

   • 当 $V_{in,CM}=0$ 时，M₁，M₂ 截止，M₃ 在深线性区（因为 $l_{D3}=l_{D2}=I_{D1}=0$，且 $V_b>V_{th}$，得到 $V_p=0$）；
   • 当 V_in 增大时，可以将 M₃ 当成一个电阻（因为在 V_GS 不变的条件下，观察 l_D 和 V_DS 的关系可以知道，电流从 0 开始增大会先经过线性区），M₁，M₂ 导通进入饱和区，I_D1，I_D2，l_D3 也增大，V_p 也增大,
     V_p大到一定程度使得 M₃ 进入饱和区;
   • V_in 进一步增大会使得 M₁，M₂ 进入线性区。

   为使电路正常工作，输入共模电平范围为：
   $$\underset{\begin{array}{c}{M}_1,M_2\text{导通，}{M}_3\text{为饱和区和线性区边界}\\ ⟹V_P>V_{GS3}-V_{TH3}\end{array}}{\underbrace{V_{\mathrm{CS}1}+\left(V_{G\mathrm{S}3}-V_{\mathrm{TH}3}\right)}}⩽V_{\mathrm{in},\mathrm{CM}}⩽\underset{\begin{array}{c}\text{使}{M}_1,M_2\text{为饱和区和线性区边界}\\ ⟹V_{GS1}-V_{TH}<V_{out}=V_{DD}-\frac{1}{2}{I}_{SS}{R}_D\end{array}}{\underbrace{\min \left[V_{\mathrm{DD}}-R_{\mathrm{D}}\frac{I_{\mathrm{SS}}}{2}+V_{\mathrm{TH}},V_{\mathrm{DO}}\right]}}$$

4.2.2 定量分析

1. 定量分析

   

   对差动对电路进行分析，确定 $V_{out1}-V_{out2}$与 $V_{in1}-V_{in2}$的函数关系：
   $$\begin{gathered} V_{\mathrm{ou}t1}-V_{\mathrm{out}2}=R_{\mathrm{D}}\left(I_{\mathrm{D}2}-I_{D1}\right)=R_{\mathrm{D}}\Delta I=R_{\mathrm{D}}{G}_{\mathrm{m}}\Delta V_{\mathrm{in}},(\text{小信号)} \\ {G}_m=\frac{\partial \Delta I_{\mathrm{D}}}{\partial \Delta V_{\mathrm{in}}}=\frac{1}{2}{\mu }_{\mathrm{n}}{C}_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}\frac{\frac{4I_{SS}}{{\mu }_{\mathrm{n}}{C}_{\mathrm{ox}}W/L}-2\Delta V_{\mathrm{in}}^2}{\sqrt{\frac{4I_{\mathrm{ss}}}{{\mu }_{\mathrm{n}}{C}_{\mathrm{ox}}W/L}-\Delta V_{\mathrm{in}}^2}} \end{gathered}$$
   有漏极电流 $\frac{I_{D1}}{I_{D2}}$ 和总跨导 G_m 随输入电压变化曲线：

   

   $\Delta V_{in1}$ 为所有的 l_ss 流经一个晶体管，而另一个晶体管截止的情况。
   $$\Delta V_{\mathrm{inl}}=\sqrt{\frac{2I_{\mathrm{SS}}}{{\mu }_n{C}_{o\mathrm{x}}(W/L)}}$$

2. 小信号分析

   • 叠加法分析
     (分别考虑只有一个输入时对输出 V_out1 和 V_out2 的影响, 再将两种结果相加)

   • 半边电路法（计算差模增益）
     （找到交流地的点, 计算 $V_x/V_{in1}$ 和 $V_Y/-V_{in1}$，再计算差模增益）

     

4.2.3 带源极负反馈的差动对

采用电阻负反馈可以提高线性度（简单分析 M₁ 导通，M₂ 截止的情况可得到，新电路使一边晶体管关断所需的差动电压的幅度增加，$\Delta V_{in1}变为\Delta V_{in2}$)
$$\Delta V_{\mathrm{in}2}-\Delta V_{\mathrm{in}1}=R_{\mathrm{S}}{I}_{\mathrm{SS}}$$

4.3 共模响应

(差动对对共模扰动影响具有抑制能力，但是共模输入的变化会或多或少地传递到输出端)

1. 电流源具有有限的输出阻抗 R_SS
   共模输入的情况下 $I_{D1}=I_{D2}，V_{out1}=V_{out2}$，电路可以等效为下图

   

   $$A_{V,CM}=-\frac{R_{\mathrm{D}}/2}{1/\left(2g_{\mathrm{m}}\right)+R_{\mathrm{ss}}}$$
   $A_V$ 表示共模输入的变化会传递到输出

2. R_D 电阻不对称且尾电流源的输出阻抗有限

   

   $$\begin{gathered} \Delta V_X=-\Delta V_{\mathrm{in},CM}\frac{g_{\mathrm{m}}}{1+2g_{\mathrm{m}}{R}_{SS}}{R}_D \\ \Delta V_{\mathrm{Y}}=-\Delta V_{\mathrm{in},CM}\frac{g_{\mathrm{m}}}{1+2g_{\mathrm{m}}{R}_{\mathrm{SS}}}\left(R_{\mathrm{D}}+\Delta R_{\mathrm{D}}\right) \end{gathered}$$
   分析：

   $V_X、V_Y$不相等，输入端共模的变化 $\Delta V_{in,CM}$ 在输出端产生了一个差动成分 $\Delta R_D$，电路表现为共模到差模的转换

3. M₁ 管和 M₂ 管不匹配

   

   $$\begin{gathered} V_{\mathrm{x}}-V_Y=-\frac{g_{\mathrm{m}1}-g_{m2}}{\left(g_{m1}+g_{m2}\right){\dot{R}}_{SS}+1}{R}_D{V}_{\mathrm{in}.CM} \\ {A}_{CM-\mathrm{DM}}=-\frac{\Delta g_{\mathrm{m}}{R}_D}{\left(g_{\mathrm{m}1}+g_{\mathrm{m}2}\right)R_{Ss}+1} \end{gathered}$$
   其中 $A_{\mathrm{CM}-\mathrm{DM}}$ 表示共模到差模的转换，且 $\Delta g_{\mathrm{m}}=g_{\mathrm{m}1}-g_{\mathrm{m}2}$

4. 共模抑制比 CMRR
   $$CMRR=\left|\frac{A_{DM}}{A_{CM-DM}}\right|\text{（期望增益与非期望增益之比）}$$

4.4 MOS为负载的差动对

（略）

4.5 吉尔伯特单元

（增益随控制电压变化而变化的差动对）

1. 简单的可变增益放大器（VGA）

   

   增益 $A_V=-g_m{R}_D$ 是尾电流源的函数，控制电压 $V_{cont}$ 确定了尾电流的大小，从而决定了增益的大小

2. 吉尔伯特单元

   

   $V_{cont}$ 控制增益，如果 $V_{cont}$ 很大，M₆ 截止，$I_{D6}=0，I_{D3,4}=0$，$M_1,M_2,M_5$ 构成差动对, $Vout=-gm\cdot Ro$；同理 $Vcont$ 很小，$Vout=gm\cdot R_D$。