VASP结合vaspkit+ShengBTE计算热电优值(二)

本文介绍了如何通过VASP和相关工具如VASPkit和ShengBTE计算热电材料的热导率,包括晶格热导率的计算方法、电子热导率的两种途径以及洛伦兹常数的估计。重点讲解了如何计算热电优值ZT,以评估材料的热电性能。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

前文链接:VASP结合vaspkit+ShengBTE计算热电优值(一)

1、将前述计算得到的二阶力常数矩阵,三阶力常数矩阵文件分别命名为FORCE_CONSTANTS_2RD,FORCE_CONSTANTS_3RD。放于同一目录中。

编写CONTROL文件,其中CONTROL文件中的ngrid;scalebroad取值时,理论上都需要做收敛性测试。

直接运行以下命令就能计算得到晶格热导率。晶格热导率的张量数据对应文件为BTE.kappa_tensor。

注意BTE.kappa_tensor文件中,每列对应的方向顺序分别为XX,XY,XZ,YX,YY,YZ,ZX,ZY,ZZ.且最后一行为有效的收敛值,使用时只需要取最后一行。

对于二维材料,计算得到的晶格热导率还需要做以下修正

二维材料的晶格热导率=输出文件结果*POSCAR 真空层方向总厚度/原子层厚度

原子层厚度=POSCAR 真空层方向相距最远的两个原子的范德华半径之和+POSCAR 真空层方向相距最远的两个原子的距离。

2、电子热导率的计算

目前有两种方法计算电子热导率,一种是使用BoltzTraP计算得到的电子热导减去TσS2。

另一种方法是根据Wiedemann-Franz Law 有κe=LσT。其中L位洛伦兹常数。

这两种方法的计算结果都是可用的。但对于Wiedemann-Franz Law,洛伦兹常数通常都取经验值或经验公式计算,更准确的估算需要进一步探究。

给出两种计算洛伦兹常数的方法:

  1. 通过费米积分来计算。

(2)通过经验公式

具体方法请查阅相关文献。

3、热电优值ZT的计算

通过简单的换算即可得到热电优值:

4、热电值分析

ZT值是衡量热电材料热电性能的指标,它决定了在特定温度下热电材料能量转化的最大效率。

其中σ为电导率,κ为热导率,S为塞贝克系数,T 为温度。而热导率κ又可写为电子热导与晶格热导之和:

因此要计算ZT值,我们需要分别计算电导率σ,塞贝克系数S,电子热导率κe,晶格热导率κc。

<think>好的,我现在需要回答用户关于如何使用VASP计算材料电导率的问题。首先,我得回忆一下VASP的相关功能和电导率计算的一般流程。VASP主要用于电子结构计算和量子力学模拟,而电导率属于输运性质,可能需要结合其他工具或后处理步骤。 用户提供的引用中提到了声子谱计算热电计算,涉及Phonopy、vaspkitShengBTE等工具。特别是引用[2]和[3]提到了热电计算,其中涉及载流子弛豫时间和晶格热导率。这可能与电导率相关,因为电导率是热电性质的一部分。 首先,电导率的计算可能需要电子弛豫时间的信息,如引用[2]所述,Relaxation time需要从文献获取或自行计算。另外,引用[3]提到Wiedemann-Franz定律,这可能用于联系电子热导率和电导率,其中洛伦兹常数是关键。这提示在计算电导率时可能需要考虑这些参数。 步骤方面,用户可能需要先进行结构化和自洽计算,如引用[4]提到的结构化自洽计算,获得收敛的电荷密度和波函数。然后可能需要进行非自洽计算,生成包含更多k点的波函数,用于后续的输运性质计算。 此外,vaspkit可能是一个有用的工具,如引用[2]和[3]提到的,用于生成输入文件或处理数据。结合Boltzmann输运方程,如ShengBTE,可能用于计算电导率。因此,流程可能包括使用VASP计算电子结构,vaspkit处理数据,再用ShengBTE或其他工具计算输运系数。 需要注意,VASP本身可能不直接输出电导率,而是需要结合其他软件或后处理步骤。例如,电导率可以通过计算电子弛豫时间和能带结构来推导,或者使用Wannier插方法提高精度。因此,可能需要指导用户安装和配置这些工具,如vaspkitShengBTE,并正确设置输入参数。 另外,用户可能需要调整温度参数,如引用[2]中的Temperature,以及正确设置Relaxation time,这部分可能需要文献支持或额外计算。同时,晶格热导率和电子热导率的区分在热电计算中很重要,但电导率更直接关联电子部分。 总结步骤可能包括:结构化、自洽计算、非自洽计算、生成输运相关数据(如玻尔兹曼方程所需参数)、使用后处理工具计算电导率。需要确保用户正确准备输入文件,如INCAR中的参数设置(如ISTART, ICHARG, LOPTICS等),以及KPOINTS的足够密度。 可能的问题包括如何安装和配置相关工具,如何处理计算中的收敛问题,如何获取或计算弛豫时间,以及如何解释输出结果。需要提醒用户查阅相关文献和工具文档,确保步骤正确。同时,引用中的方法可能适用于热电计算,但电导率计算可能涉及类似流程,需要适当调整。</think>### 如何使用 VASP 计算材料的电导率 电导率的计算通常涉及电子输运性质的分析,需要结合VASP的电子结构计算和后续输运系数处理工具(如vaspkitShengBTE或Boltzmann方程求解器)。以下是具体步骤: --- #### **1. 结构化与自洽计算** - **目标**: 获得稳定的基态电子结构。 - **步骤**: 1. 使用VASP进行结构化(`IBRION=2`),确保原子位置和晶胞参数收敛[^4]。 2 执行自洽计算(`ICHARG=2`,`NSW=0`)生成收敛的电荷密度(`CHGCAR`)和波函数(`WAVECAR`)。 --- #### **2. 非自洽计算与能带插** - **目标**: 生成高精度能带数据用于输运计算。 - **步骤**: 1. 在非自洽计算中(`ICHARG=11`),使用更密集的k点网格(如`KPOINTS`中设置`Gamma-centered 15×15×15`)。 2. 结合Wannier90或vaspkit生成Wannier函数,提高能带插精度[^2]。 --- #### **3. 计算电子弛豫时间(Relaxation Time)** - **关键参数**: 电导率公式为 $\sigma = ne^2\tau/m^*$,其中$\tau$为弛豫时间。 - **方法**: - 若文献中无相关,可通过电声耦合计算或经验公式估算[^2]。 - 使用EPW(Electron-Phonon Wannier)工具计算电声散射率。 --- #### **4. 结合ShengBTEvaspkit计算输运系数** - **步骤**: 1. 使用vaspkit的`273`功能生成ShengBTE输入文件。 2. 在ShengBTE中设置`Relaxation time`参数,计算电导率及其他输运系数(如塞贝克系数)。 3. 通过Wiedemann-Franz定律估算电子热导率:$\kappa_e = L\sigma T$,其中$L$为洛伦兹常数(经验$2.44×10^{-8} \, \text{W}\Omega/\text{K}^2$)[^3]。 --- #### **5. 直接电导率计算(光学性质法)** - **步骤**: 1. 在VASP的`INCAR`中设置`LOPTICS=.TRUE.`,计算介电函数和光导率。 2. 通过频域响应提取直流电导率($\omega \to 0$极限)。 --- #### **输入文件示例** ```bash # INCAR (自洽计算) SYSTEM = Si ISTART = 0 ICHARG = 2 ENCUT = 500 ISMEAR = 0; SIGMA = 0.01 LOPTICS = .TRUE. # 启用光学性质计算 ``` ---
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

CAE320

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值