cpu直接访问的内存有哪些和linux启动流程

一、重要内存说明

1.1 cpu直接访问的内存

cpu可直接访问的内存有缓存（cache）,只读存储器（ROM），随机存取存储器（RAM），相关的内存控制器。
cache，分为一级、二级、三级缓存，集成在CPU内部，容量小，执行效率高，用于CPU对日常数据的处理。
ROM，用在soc（system on chip，片上系统）中，用于存储系统代码，包括系统启动，内核和其他用户内存等，主要是系统上电后的系统启动代码加载和内核的跳转。NOR FLASH可直接访问，NAND FLASH需要配合控制器访问。
RAM，通常说的运行内存，特点是容量大，随机访问，断电清除。SDRAM和SRAM属于这类内存。
相关内存控制器，集成于cpu中，用于直接访问相关内存的控制，如nand flash控制器。

1.2 NOR FLASH与NAND FLASH、EMMC

都是非易失性闪存技术，emmc也是flash内存一种，一般是nand flash，特性与nand flash一样，nor flash和nand flash区别如下：
1.2.1 速度
nor flash读速度快，nand flash写速度快。nand以8-32k的块擦除，时间为4ms，nor要求在进行擦除前，先将目标块内所有的位都写为1以64~128k的块擦除，时间为5s。
1.2.2 接口
nor flash:有SRAM接口，足够的地址引脚寻址，容易存取内存每一个字节。
nand flash:使用复杂的I/O串行通讯，8个引脚传送控制、地址和数据信息，依赖时序。
1.2.3 容量和价格
nor flash:生产工艺较复杂，容量小，价格高
nand flash:生产工艺较简单，容量大，价格低
1.2.4 寿命
nor flash:擦写最大次数为十万次
nand flash:擦写最大次数为一百万次

1.3 SRAM与SDRAM

1.3.1 SRAM
static random access memory，静态随机访问内存。一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路，就能保存内部存储，掉电消失。制作工艺复杂，成本高，容量小，读写快。
1.3.2 SDRAM
synchronous dynamic ramdom access memory，同步动态随机访问内存。为了保存数据，需要不断刷新，只要不刷新或掉电，数据消失。需要同步时钟，进行动态刷新，保证数据不丢失。随机是自由指定地址进行数据读写，而不是依次存储。

二、linux启动流程

1.1 启动流程

在nor flash中启动，cpu可直接访问，uboot直接在nor flash上运行，启动后，地址会映射到0。
在nand flash中启动，cpu需要结合控制器访问，nand flash使用同步串行通讯，不能片上直接执行uboot，上电后，nand flash控制器会将nand flash前4kb内容复制到SRAM中，nand flash控制器将指针指向arm地址空间0，准备开始执行SRAM代码，4kb代码即为初始控制代码，如果初始控制在4kb内无需额外操作，大于4kb需通过编写代码进行拷贝操作，当然，boot代码也需要拷贝到SRAM中，在SRAM上运行。nand flash需要的RAM为SRAM，不能为SDRAM。

1.2 bootloader说明

bootloader是系统启动一段执行的代码，是一段起引导作用的二进制代码，烧写在flash中，目的是为了引导kernel的启动。
提供一些debug功能，提供的功能由代码编写，常见的有烧写命令，控制gpio，查看bootrag，分区信息等。
bootloader执行需要完成以下的功能
a.硬件初始化操作：关闭关门狗（防止单板重启），初始化系统时钟、SDRAM、NAND FLASH
b.代码引导操作：bootloader从nand flash中读到SRAM中执行(bootloader比较大，需要重定位到SDRAM)；内核从flash中读到SDRAM；跳转内核
c.参数传递操作：将重要参数传递给kernel

参考

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[1]: https://zhuanlan.zhihu.com/p/420078389
[2]: https://www.php.cn/faq/415787.html