芯片学习之FLASH

芯片学习之FLASH（一）

一、FLASH简介

芯片闪存，也称为非易失性随机访问存储器（NVM），是一种嵌入在集成电路（IC）中的存储技术，主要用于长期保存数据，即便电源关闭也能保持内容。
Flash Memory: 是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。它是电可擦写的，并且支持块级操作，即一次性擦除大块数据。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。Flash通常用于固件、操作系统以及用户数据的存储，如手机、U盘和电子设备的存储空间。

NOR Flash 和 NAND Flash 是现在市场上两种主要的闪存技术。

NAND Flash:是一种非易失存储介质（掉电后数据不会丢失）。它使用由nand晶体管组成的存储器单元来存储数据。每个nand晶体管包含两个状态：0和1，这些晶体管可以通过控制它们的门电路来存储或读取数据。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。常用于SSD硬盘、U盘、SD卡、eMMC等。
NOR Flash（Not-Organized Read Only Memory），全称无结构只读存储器，是一种非易失性的半导体存储器。NOR闪存的数据读取速度快，但写入速度慢，常用于对速度有较高要求的应用，如嵌入式系统启动加载器。它的一个显著特点是数据既可以直接读取也可以直接写入，但是写入过程比读取慢得多，因为它需要先进行擦除操作，然后才能写入新的数据。NOR Flash基于并行接口，常用于IICEEPROM和ParallelNorFalsh。

二、特性

闪存的每个块（Block）擦写（擦除、写入）次数达到一定次数后要么会变成坏块，要么存储在上面的数据变得不可靠，所以要做到磨损均衡，让数据平均写在所有块上。
闪存在写入前必须先擦除，不能覆盖写。
闪存读的次数是有限的，读的次数多了会出现读干扰的问题。
NOR Flash特点
1）地址和数据线，是分开的；
2）存储容量低
3）NOR Flash启动，处理器直接从地址0开始读取数据，因为支持XIP，所以代码可以直接在NOR flash上执行，无需复制到内部内存SRAM。

NAND Falsh特点
1）地址和数据共用
2）存储容量高
3）NAND Flash启动，需要NAND Flash 先从NAND Flash存储的前4Kb数据自动拷贝到片内SRAM，处理器再从SRAM的地址0开始读取数据

三、分类

1、按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
2、按品牌分
矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士

四、对比

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
1、读速取度：NOR比NAND快。
2、写入速度：NAND比NOR快。
3、擦除速度：NAND比NOR快。擦除NAND器件时，以8KB，32KB的块进行,擦除NOR器件时，以64KB，128KB的块执行，NAND的擦除速度为4ms，NOR的擦除速度为5s。
4、寿命长短：NAND flash每个块的最大擦写次数是100万次，NOR flash的每个块的擦写次数是10万次。
5、容量大小：NAND比NOR大。NAND flash的容量8MB~128MB。NOR flash的容量1MB~16MB，成本较高。