【GD32 MCU 移植教程】从 STM32F10x 移植到 GD32E103的移植说明

已于 2024-08-28 10:02:10 修改
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分类专栏： GD32 MCU 移植教程 文章标签： 单片机 stm32 嵌入式硬件
于 2024-08-28 09:56:01 首次发布
本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45254847/article/details/141631084
版权

1. 前言

对于使用微控制器进行产品开发的设计人员来说，因产品及功能升级，往往需要将一种微控制器替
换成另一种微控制器，在保留既有功能的情况下增加新功能。为了更快地推出新产品，设计人员经
常要将应用程序移植到新的微控制器。
本应用笔记旨在帮助您快速将应用程序从 STM32F10x 系列微控制器移植到 GD32E103 系列微控
制器 ( 基于 STM32F10x 标准库 V3.5.0) 。
GD32E103 和 STM32F10x 系列相比，考虑软硬件兼容性，从 Flash 和 SRAM 容量，包括外设
模块的增强性能上来看， GD32E103 最接近 STM32F10x 互联性。
开始前您需要安装 GD32E103 关于 KEIL 或 IAR 的插件，在工程选项的器件条目中选 GD32E103
对应型号，添加 GD32E103 的 Flash 下载算法。
GD32E103 较 STM32F10x 具有以下优点：
1、更高的主频(120MHz VS 72MHz)
2、更高版本的内核(Cortex M4 VS M3)
3、更低的功耗(Run Mode ： 28.6mA@120MHz VS 50mA@72MHz ； Sleep Mode： 20.8mA@120MHz VS 30mA@72MHz )
但需要注意的是， GD32E103 较 STM32F10x 少了 SDIO 功能，如果用户使用到 SDIO 功能，从
STM32F10x 到 GD32E103 的移植，显然是不合适的。

2. 引脚兼容性

STM32F10x 与 GD32E103 在相同封装下是 Pin To Pin 兼容的。但由于外设功能上的细微差别，两 者引脚定义有少许不同，如表 1 所示。 注意： STM32F10x 外设编号从 1 开始， GD32E103 外设编 号从 0 开始 ，且命名有差异。
表 1 STM32F10x 系列和 GD32E103 系列引脚区别

3. 内部资源兼容性

下表给出了 STM32F10x 与 GD32E103 的资源对比总览 ( 以 STM32F103V8 、 STM32F105V8 和
GD32E103V8 对比为例 ) ：
表 2 STM32F105 系列和 GD32E103 系列内部资源对比总览

4. 程序移植

4.1 时钟移植

GD32E103 时钟设置与 STM32F10x 互联系列兼容，如从 STM32F103 移植到 GD32E103 ， IDE 需 要做相关调整，具体过程如下：
(1) 使用 MDK 环境时：
在工程选项 C/C++ 选项卡中 Preprocessor Symbol Define 中加入 GD32F10X_CL 的宏定义；
在工程选项 Device 中选择原 MCU 对应的互联性型号，或对应的 GD32E103 型号。
(2) 使用 IAR 环境时：
在 工 程 选 项 C/C++ Compiler 项 中 Preprocessor 选项卡下 Define Symbol 中加入 GD32F10X_CL 的宏定义。
在工程选项 Device 中选择原 MCU 对应的互联性型号，或对应的 GD32E103 型号。

4.2 Flash 操作相关软件移植

4.2.1 FLash 编程操作
STM32F10x 系列 MCU 仅支持 16 位半字编程，而 GD32E103 仅支持 32 位字和 64 位双字编程，
所以需要对 Flash 编程相关库函数进行更改。
(1) FLASH_ProgramWord 函数
说明：由原来的两次半字编程改为一次字编程。
(2) FLASH_EnableWriteProtection 函数
(3) FLASH_ProgramOptionByteData 函数
说明：由原来的半字编程改为字编程，用户需注意，选项字节需至少一次写一个字，且目标地址必须是 4 的整数倍。
(4) FLASH_EraseOptionBytes 函数

 (5) FLASH_ReadOutProtection 函数

 (6) FLASH_UserOptionByteConfig 函数

注：以上代码中的 CR_OPTWRE_Set 的定义是 STM32 固件库中没有的，需要用户自行定义为：
#define CR_OPTWRE_Set
((uint32_t)0x00000200)
4.2.2 注意事项
STM32F10x 的互联型和大容量型 ( 因为 GD32E103 没有大容量型，所以可不考虑 ) 的 Flash 闪存页
大小为 2K ，而 GD32E103 为 1K ，所以用户在调用页擦除时要注意页地址范围。

5. 外设差异性

STM32F10x 与 GD32E103 在外设上基本是兼容的，但 GD32E103 较 STM32F10x 在很多外设上
增加了部分功能，用户可根据以下罗列出的外设差异性选择是否使用这些功能。

5.1 模数转换器 ADC

为减轻 CPU 的负担， GD32E103 较 STM32F10x 增加了片上硬件过采样单元。它能够处理多个转
换，并将多个转换的结果取平均，得出一个 16 位宽的数据。 片上硬件过采样单元是以降低数据
输出率为代价，换取较高的数据分辨率。 具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E10x 用户
手册。
另外，由于两款芯片的在 ADC 设计上的差异性，在移植到 GD32E103 时， ADC 使能之后，校准
之前，需加入 1ms 的延时，以便 ADC 稳定后再进行校准。

5.2 通用同步异步收发器 USART

GD32E103 较 STM32F10x 在 USART 上增加了块模式 (STM32F10x 只支持字节模式 ) 、数据极性
设置、数据位反转以及 TX 、 RX 引脚电平反转等功能，因此， GD32E103 多了四个寄存器，分别
为： USART_CTL3 、 USART_RT 、 USART_STAT1 、 USART_CHC 。具体功能以及寄存器设置，
请用户参考 GD32E10x 用户手册。

5.3 内部集成电路总线接口 I²C

GD32E103 和 STM32F10x 的 I ² C 都支持标速 ( 最高 100KHz) 和快速 ( 最高 400KHz) ，同时 GD32E103
可支持高速模式 ( 最高 1MHz) ，要使能高速模式，需将 I2C_FMPCFG 寄存器的 FMPEN 置 1 。具
体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E10x 用户手册。

5.4 串行外设接口/片上音频接口 SPI/I²S

GD32E103 和 STM32F10x 的 SPI/I ² S 模块差异性主要表现在 GD32E103 支持 SPI TI 模式、 SPI
NSS 脉冲模式和 SPI 四线功能 ( 只有 SPI1) ，其中 SPI 的四线模式是用于控制四线 SPI Flash 外设，此模式下，数据传输速率是普通模式下的 4 倍。具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E10x用户手册。

5.5 通用串行总线全速设备接口 USBFS

GD32E103 和 STM32F105/107 的 USBFS 一致，同时 GD32E103 较 STM32F105/107 相比多了
IRC48M 的时钟源可选择。具体功能以及寄存器设置，请用户参考 GD32E103 用户手册。
GD32E103 和 STM32F103 的 USB 模块是不兼容的，如果用户是从 STM32F103 移植而来，需要
进行代码移植，具体请参考 STM32F103 与 STM32F105/107 的 USB 差异性。

6. 附录：

(Flash 更改后的程序，用户可直接复制替换原库函数 )
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
0 、在 stm32f10x_flash.c 中添加 
#define CR_OPTWRE_Set ((uint32_t)0x00000200)
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1 、 
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
{
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
 __IO uint32_t tmp = 0;
 /* Check the parameters */
 assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 FLASH->CR |= CR_PG_Set;
 *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 /* Disable the PG Bit */
 FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
 } 
 /* Return the Program Status */
 return status;
}

2、

FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages)
{
 uint16_t WRP0_Data = 0xFFFF, WRP1_Data = 0xFFFF, WRP2_Data = 0xFFFF, WRP3_Data = 0xFFFF;
 uint32_t temp1,temp2;
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; 
 /* Check the parameters */
 assert_param(IS_FLASH_WRPROT_PAGE(FLASH_Pages));
 FLASH_Pages = (uint32_t)(~FLASH_Pages);
WRP0_Data = (uint16_t)(FLASH_Pages & WRP0_Mask);
 WRP1_Data = (uint16_t)((FLASH_Pages & WRP1_Mask) >> 8);
 WRP2_Data = (uint16_t)((FLASH_Pages & WRP2_Mask) >> 16);
 WRP3_Data = (uint16_t)((FLASH_Pages & WRP3_Mask) >> 24); 
 temp1 = (((uint32_t)WRP1_Data)<<16) | ((uint32_t)WRP0_Data);
 temp2 = (((uint32_t)WRP3_Data)<<16) | ((uint32_t)WRP2_Data);
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout); 
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 /* Authorizes the small information block programming */
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
 while((FLASH->CR&CR_OPTWRE_Set)!=CR_OPTWRE_Set )
 {}
 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;
 if(temp1 != 0xFFFF)
 {
 //OB->WRP0 = temp1;
 *(__IO uint32_t*)0X1ffff808=temp1;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 }
 if((status == FLASH_COMPLETE) && (temp2 != 0xFFFF))
 {
 //OB->WRP1 = temp2;
 *(__IO uint32_t*)0X1ffff80c=temp2;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 }
 if(status != FLASH_TIMEOUT)
 {
 /* if the program operation is completed, disable the OPTPG Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 } 
 /* Return the write protection operation Status */
 return status; 
}
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3、 
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint32_t Data)
{
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
 /* Check the parameters */
 assert_param(IS_OB_DATA_ADDRESS(Address));
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 /* Authorize the small information block programming */
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
 while((FLASH->CR&CR_OPTWRE_Set)!=CR_OPTWRE_Set )
 {}
 /* Enables the Option Bytes Programming operation */
 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set; 
 *(__IO uint32_t*)Address = Data;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 if(status != FLASH_TIMEOUT)
 {
 /* if the program operation is completed, disable the OPTPG Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 }
 /* Return the Option Byte Data Program Status */
 return status;
}
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
4、 
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void)
{
 uint16_t temp_spc = RDP_Key;
 uint32_t temp;
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
 /* Get the actual read protection Option Byte value */ 
 if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus() != RESET){
 temp_spc = 0xbb; 
 }
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE){
 /* Authorize the small information block programming */
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2; 
 while((FLASH->CR&CR_OPTWRE_Set)!=CR_OPTWRE_Set ) {}
/* if the previous operation is completed, proceed to erase the option bytes */
 FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;
 FLASH->CR |= CR_STRT_Set;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); 
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 /* if the erase operation is completed, disable the OPTER Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset; 
 /* Enable the Option Bytes Programming operation */
 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;
 /* Restore the last read protection Option Byte value */
 // OB->RDP = (uint16_t)rdptmp; 
 temp = ((uint32_t)temp_spc)|0xffff0000;
 *(__IO uint32_t*)0X1ffff800=temp;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout); 
 if(status != FLASH_TIMEOUT)
 {
 /* if the program operation is completed, disable the OPTPG Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 }
 else{
 if (status != FLASH_TIMEOUT){
 /* Disable the OPTPG Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 } 
 }
 /* Return the erase status */
 return status;
}
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
5、 
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState)
{
uint16_t temp_spc; uint32_t temp;
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
 /* Check the parameters */
 assert_param(IS_FUNCTIONAL_STATE(NewState));
 status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 /* Authorizes the small information block programming */
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
 while((FLASH->CR&CR_OPTWRE_Set)!=CR_OPTWRE_Set )
 {}
 FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;
 FLASH->CR |= CR_STRT_Set;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 {
 /* if the erase operation is completed, disable the OPTER Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;
 /* Enable the Option Bytes Programming operation */
 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set; 
 if(NewState != DISABLE){
temp_spc = 0xBB;
 temp = ((uint32_t)temp_spc)|0xffff0000;
 }
 else{
temp_spc = (uint16_t)RDP_Key;
 temp = ((uint32_t)temp_spc)|0xffff0000; 
 }
*(__IO uint32_t*)0x1ffff800=temp;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); 
 if(status != FLASH_TIMEOUT){
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 }
 else {
 if(status != FLASH_TIMEOUT){
 /* Disable the OPTER Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;
 }
 }
 }
 /* Return the protection operation Status */
 return status; 
}
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
6、 
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG,uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY)
{
 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; 
 uint16_t temp_spc = RDP_Key;
 uint32_t temp; 
/* Get the actual read protection Option Byte value */ 
 if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus() != RESET)
 {
 temp_spc = 0xbb; 
 }
 /* Check the parameters */
 assert_param(IS_OB_IWDG_SOURCE(OB_IWDG));
 assert_param(IS_OB_STOP_SOURCE(OB_STOP));
 assert_param(IS_OB_STDBY_SOURCE(OB_STDBY));
 /* Authorize the small information block programming */
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
 FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
 while((FLASH->CR&CR_OPTWRE_Set)!=CR_OPTWRE_Set )
 {}
 /* if the previous operation is completed, proceed to erase the option bytes */
 FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;
 FLASH->CR |= CR_STRT_Set;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 if(status == FLASH_COMPLETE)
 { 
/* if the erase operation is completed, disable the OPTER Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset; 
 /* Enable the Option Bytes Programming operation */
 FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set; 
 temp =OB_IWDG | (uint16_t)(OB_STOP | (uint16_t)(OB_STDBY | ((uint16_t)0xF8)));
temp=temp<<16;
 temp = ((uint32_t)temp|temp_spc); 
*(__IO uint32_t*)0x1ffff800=temp;
 /* Wait for last operation to be completed */
 status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
 if(status != FLASH_TIMEOUT)
 {
 /* if the program operation is completed, disable the OPTPG Bit */
 FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
 }
 } 
 /* Return the Option Byte program Status */
 return status;
}

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GD32 MCU碰到IIC总线卡死怎么办？
08-06 969
首先为大家介绍发生IIC总线卡死的两种情况：（1）主机在发送 START 信号后， 控制 SCL 产生 8 个时钟脉冲，然后拉低 SCL 信号为低电平，在这个时候，从设备输出应答信号，将 SDA 信号拉为低电平。而由于 I2C 主机复位后检测总线的状态，如果 SDA 信号为低电平，则 I2C 总线被占用，会一直等待 SCL 和 SDA信号变为高电平，因此，在 I2C 主机等待从机释放 SDA 信号时， I2C 从机又在等待主机将 SCL 信号拉低以释放应答信号，两者相互等待， I2C 总线进入死锁状态；
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GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？
08-05 371
大家一般使用的均为通用SRAM空间，这部分SRAM使用的时候没有限制，作为堆栈、变量、DMA使用等都可以，但TCMSRAM一般不使用，有的时候可能会被大家遗忘，如果大家碰到SRAM资源不足的时候，可以看看是否有TCMSRAM没有用到，如果没有用到，可以参考下本视频将TCMSRAM使用起来，你将会多出64KB的SRAM空间。而TCMSRAM如何使用呢？以上即为本期讲解，如有问题或建议，欢迎评论区讨论。
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【GD32 MCU入门教程】七、分散加载说明
08-04 1048
分散加载说明以GD32F103ZE为例，分别用Keil、IAR和Embedded Builder工具实现：将函数放置某个地址、将常量放置某个地址、将函数放在RAM中运行的三种效果。1、将led_toggle()函数放在0x08040000地址后。2、将tempbuf[1024]常量放在0x08020000地址后。3、将void led_flow(void) 函数在RAM中运行，放在0x20008000地址后面。
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GD32 MCU硬件I2C不可靠不如软件I2C？
08-04 536
其实这个方法在最新的I2C协议标准中也有说明，不管I2C当前丢失或增加几个clcok，我们只要让主机连续补齐9个clock，在9个clock内时序一定会补齐到ACK环节，此时主机维持SDA高状态就可以让这次通信以NACK进行结束，从机自然会释放总线，这个比强制用推挽模式拉高SDA更安全合理。I2C是线与的，所以从机拉低后总线也挂了，主机无法再次拉高发起新的通信。红枫派开发板上板载了一个I2C的EEPROM，欢迎大家在软件极其严苛、硬件I2C接口随机进行干扰下验证例程，体验下稳得一批的硬件I2C。
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【GD32 MCU入门教程】六、GD32 MCU 选项字节设置及解除方法
08-03 857
您在使用GD32过程中是否遇到过芯片反复复位，代码无法更新，代码一直执行在0x1fffxxxx区域，或代码执行在SRAM区域的情况？如果有遇到这类现象是否找到原因呢？如果没找到是否检查过选项字节是否正常呢？这一章节我们针对各系列的选项字节设置和解除做一个相关说明，后续遇到上述问题可以考虑一下是否是选项字节配置错误导致。
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