【BIOS/UEFI硬件储备知识】内存读写机制

        关于一个存储单元的容量的大小是多少，网上有人说是1bit，有人说是8bit。此篇用来给我自己一个满意的答案，也分享给需要的同学。先直接给出结论，解燃眉之疑惑：

        L-Bank中的基本存储单元的容量是若干个Bit，对于SDRAM，就是芯片的位宽。而每个Bit则是存放于单独的存储体中的，这些存储体是内存最小的存储单元。用硬盘中的簇与扇区来理解内存中的存储形式，扇区是硬盘最小的存储单元，而簇包含多个扇区，是数据交换的基本单位。类比，一个存储体是最小的存储单元，一个L-Bank中的存储单元包含多个存储体，是数据交换的基本单位。

        组织DRAM Cell的方式，使得可以存储字节，而不仅仅是单个比特（从最小存储单元→基本存储单元）。每个基本储存单元的容量=数据线的位数(DQ0-DQn)。【这里就是数据总线的位宽，因为一个Rank上的存储颗粒共用地址线。】

        【 如果上面这段总结没看懂，请先看我关于模组结构的博客，然后再阅读本篇剩余的内容。连接：http://t.csdn.cn/YNoQK】

1 bit 数据的读写

        为了读取某特定Cell存储的值，必须先读取整行。同样，如果要改变一个Cell的值，必须整行读取，然后再重新写回。以8行8列的存储阵列为例，读取并输出一个特定Cell中的数据二进制1时的步骤：

• 位线预充电，充电到大约DRAN供电电压的一半；
• 内存控制器将行地址加载到地址针脚上，并选通行地址缓存器（低电平），该步骤一旦开始，就会触发一整个读取周期。位线此时已经断离预充电电路，然后行地址被解码，解码器（decoder）拿到3bit地址，对应的字线被选中，整行Cell的值被锁存到感应放大器中。

【因为整行Cell中，存储了1的电容器会部分放电，存储了0的电容器会部分充电，所以读取一整行是一个破坏性的操作。】