半导体随机存储器

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一个半导体存储器的基本结构包括存储矩阵、译码驱动电路、读写电路和控制电路。

半导体存储器与地址线、数据线、片选线和读写控制线相接。

重点

存储矩阵是核心部分

数据线是双向的

地址线是单向的

读写控制线是单向的

片选线是单向的

译码驱动方式

1.线选法

2.重合法

超级重点

SRAM和DRAM

SRAM：非破坏性读出、易失性存储器

DRAM：破坏性读出，易失性存储器

知道这么多，先不说应用，暂时咱得先会做题目把

上题目，【1】某存储器由若干16MX8位的DRAM芯片构成。问该DRAM芯片的地址线和数据线各是多少？

首先数据线=8，因为是8位的数据线，那么数据线引脚数就是8

其次看地址线，这个稍微得算一下，看题目是16M，根据单位换算（此时得给的详细一点儿）

1M=1024KB=1024B

1024=2^10

根据这个关系，即16M=2^24

因为DRAM采用的是地址复用技术，那么地址线引脚数减半

所以为12

综上所述，地址线是12，数据线是8

DRAM刷新的问题

分三个刷新，集中刷新、分散刷新、异步刷新（要求是得会算死时间长度和死时间率）

首先解释一下，刷新是一个读取的过程，会和cpu的访存冲突，所以会有死时间。