Flash的PCB布局布线设计指南

1.1 NOR Flash的布局布线

待补充

1.2 NAND Flash的布局布线

1）布局：

（1） NAND 应靠近主控摆放;

（2）去耦电容均靠近 NAND 摆放;

（3） RE、 WE、 DQS 信号串接电阻靠近主控摆放，串阻与主控连接走线距离≤300mil;

2） 信号线走线要求：

（1） NAND 与主控走线间走线≤2000mil;

（2） 走线阻抗 50 欧;

（3）线间距≥2 倍线宽;

（4） D0~D7、 RE、 WE 相对于 DQS 做等长，控制≤300mil;

（5） D0~D7 上使用过孔的数量尽量相同;

（6）务必保证走线参考平面完整;

（7）走线尽量避开高频信号;

（8） VCC/VCCQ 线宽不小于 12mil，或直接使用敷铜代替电源走线；电源线上如有过孔，则过孔数量不少于 2 个，避免过孔限流影响供电;