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RSS订阅原创 实验调试总结三
实验调试总结三前言一、无RCD电路一、PWM11.6KHZ二、PWM116KHZ三、PWM1.16MHZ二、RCD电路总结前言实验目的：测试去掉RCD电路，查看在不同PWM斩波频率下，负载电阻两端的波形变化情况。实验条件：电源电压24V，驱动电阻5R,驱动电压5V电路原理图如下：一、无RCD电路一、PWM11.6KHZ(1)负载电阻20R(2)负载电阻50R(2)负载电阻200R在MOS关断瞬间，出现了很大的反压，负载越大，反压越大，最大以达到-2倍VCC，可能与MOS管质量、M
2021-03-09 16:34:34
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原创 实验调试总结二
文章目录前言一、驱动频率对波形的影响1.驱动频率对波形的影响二、关于RCD的探讨1.测试条件：负载200R，RCD_R1K,PWM_1MHZ三、电压检测总结前言提示：这里可以添加本文要记录的大概内容：例如：随着人工智能的不断发展，机器学习这门技术也越来越重要，很多人都开启了学习机器学习，本文就介绍了机器学习的基础内容。提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考一、驱动频率对波形的影响1.驱动频率对波形的影响（1）测试条件：负载200R,RCD_R3K1）11KHZ2）116KHZ
2021-03-08 22:18:30
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原创 实验调试总结一
文章目录前言一、RCD电参数二、主电路三、奇怪现象总结前言调试纳秒脉冲斩波电路，基本电路如下，具体实验阐述有修改。一、RCD电参数1.电阻RRCD电路中，R作用是快速释放掉C上的电荷测试条件：负载50R,电源36V,C334JR阻值小，电荷释放快，但是R过小，在MOS管开启瞬间，流过MOS管电流过大，加速MOS管损耗，同时R功率过高，发热严重。 R阻值大，电荷释放慢目前暂选200R，后期要选合适的功率大的水泥电阻。2. 电容C电容C作用是吸收MOS漏极在关断时产生的反向电动势.
2021-03-07 22:17:56
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空空如也
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