前言
实验目的:测试去掉RCD电路,查看在不同PWM斩波频率下,负载电阻两端的波形变化情况。
实验条件:电源电压24V,驱动电阻5R,驱动电压5V
电路原理图如下:
一、无RCD电路
一、PWM11.6KHZ
(1)负载电阻20R
(2)负载电阻50R
(2)负载电阻200R
在MOS关断瞬间,出现了很大的反压,负载越大,反压越大,最大以达到-2倍VCC,可能与MOS管质量、MOS管反向漏电流有关。
二、PWM116KHZ
(1)负载电阻20R
(2)负载电阻50R
(3)负载电阻200R
随着PWM频率的提高,脉间电压出现了波动,同时在MOS管关断瞬间产生负压很严重。
三、PWM1.16MHZ
(1)负载20R
(2)负载50R
(3)负载200R
PWM频率再次提高,随着负载电阻减小,波形越趋于方波,但是脉间波形波动严重。
不管是PWM频率大小(11K-1.1MHZ),在MOS管关断瞬间,始终存在这反压。在低频(11KHZ,116KHZ)接近电源电压两倍。在高频(1.16MHZ)时,反压接近电源电压。
分析:(1)在MOS管关断瞬间,MOS结电容、导线上寄生电感产生的反向电动势,叠加在负载一端,通过负载电阻反向流回电源。(2)关于脉间波动问题,在频率升到116KHZ时就存在这一问题了,始终存在这高频干扰信号。
二、RCD电路
对比之前做的实验,
(1)负载50R,电源电压24V
(2)负载50R,电源电压36V
电压与负载的比值越小,即总电流越小,波形相对越稳定,而这并不是想要的。同时同样的电路,在低频和在高频下情况还是不一样的,尝试了各种RCD_R,RCD_C的参数,发现RCD_R,RCD_C越大,波形效果越好,这也与理论不服,所以这个RCD并没有起到作用,反而起到了反作用。
总结
去掉RCD电路,目前还存在两个问题:
1.MOS管关断瞬间反压过大。
2.稳定脉间电压波动较大。