实验调试总结一

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前言

调试纳秒脉冲斩波电路，基本电路如下，具体实验阐述有修改。

一、RCD电参数

1.电阻R
RCD电路中，R作用是快速释放掉C上的电荷
测试条件：负载50R,电源36V,C334J
（1）RCD_R100

（2）RCD_R300

R阻值小，电荷释放快，但是R过小，在MOS管开启瞬间，流过MOS管电流过大，加速MOS管损耗，同时R功率过高，发热严重。 R阻值大，电荷释放慢
目前暂选200R，后期要选合适的功率大的水泥电阻。

2. 电容C
电容C作用是吸收MOS漏极在关断时产生的反向电动势，保护MOS管不被过高的电压损坏。
测试条件：负载100R，RCD_R200,电源电压36V
（1）RCD_C102
（2）RCD_C472

（3）RCD_C334

通过实验发现，C容值小（102），在脉间期间，电压震荡严重，C容值大（334），在脉间期间，电压震荡有所缓和。所以要选取容值较大的CBB电容（334以上的CBB）
但理论上容值小，充放电快，容值大，充放电慢。RCD电路中，时间常数t=RC，C,R越小，充放电越快，效果越好。而现在是C越大，脉间电压越缓和。
3. R,C对比
测试条件：负载200R,电源电压36V
(1)R100_C472
(2) R300_C334

对比发现，电容C容值大小比电阻R阻值大小对脉冲波形影响更大

二、主电路

1.负载电阻
测试条件：RCD_R200,RCD_C334JRCD_R200,RCD_C334J，电源电压36V
(1)负载20R

(2)负载50R

(3)负载200R

实验发现，负载电阻阻值越大，脉间电压越平稳。但是负载电阻阻值越大，负载上电流越小，加工效率越低，所以负载电阻不能太小。
2.电源电压
（1）小电源
测试条件：负载50R,RCD_R200,RCD_C334
（1）电源电压24V

（2）电源电压36V

对比发现，同样的实验条件，36V下的波形要比24V下的波形更凌乱。同时在之前的实验发现，大电阻下的波形要比小电阻下的波形标准，所以在产生纳秒脉冲电压方面，主电路流过过大的电流，会使脉冲波形脉间期间电压紊乱，而小电流使纳秒脉冲电压波形趋于标准。
（2）大电源
测试条件：RCD_R200,RCD_C334,负载200R
（1）28.2V

（2）47.2V

（3）61.6V

(4)72.0V

(5)78.4V

(6)80.8V

在这组实验中发现，确实是电压越大，脉间电压越凌乱。

三、奇怪现象

同样的测试条件:RCD_R200,RCD_C334,负载电阻50R，电源电压24V,前一天测得和第二天测得却又不一样的现象。
(1)2021.3.6实验

（2）2021.3.7实验（1）

（3）2021.3.7实验（2）

这三张图片是按照时间顺序排的，却测得不一样的结果。
（4）2021.3.7实验（3）

负载电阻改为200R，波形变得标准了。

总结

1.RCD参数：
R:作用是快速释放掉C上的电荷
R阻值小，电荷释放快，但是R过小，在MOS管开启瞬间，流过MOS管电流过大，加速MOS管损耗，同时R功率过高，发热严重。 R阻值大，电荷释放慢。暂选200R，后期要选合适的功率大的水泥电阻。
C:通过实验发现，C容值小（102），在脉间期间，电压震荡严重，C容值大（334），在脉间期间，电压震荡有所缓和。所以要选取容值较大的CBB电容（334以上的CBB）
但理论上容值小，充放电快，容值大，充放电慢。RCD电路中，时间常数t=RC，C,R越小，充放电越快，效果越好。而现在是C越大，脉间电压越缓和。
其中，电容C容值大小比电阻R阻值大小对脉冲波形影响更大
2.主电路电参数
负载电阻阻值越大，脉间电压越平稳。但是负载电阻阻值越大，负载上电流越小，加工效率越低，所以负载电阻不能太小。所选的电源电压与负载电阻的比值U/R<0.4,波形还可以看出是方波