半导体物理学习笔记(一)

一. 什么是半导体

按照导电能力(电阻率ρ)区分:导体(ρ<10^-3)、半导体(10^-3<ρ<10^9)、绝缘体(ρ>10^9)

此外,半导体还具有其他重要的性质:

  • 温度升高可以显著提高半导体的导电能力(例如,对纯硅,当从30℃降至20℃,其电阻率增大一倍);
  • 微量杂质的含量可以显著改变半导体的导电能力(例如,每一百万个硅原子中掺入一个杂质原子,在室温条件下(27℃,T=t+273=300K),其电阻率由214000Ωcm降至大约0.2Ωcm以下);
  • 光照可以显著改变半导体导电能力;
  • 另外,磁场、电场也可以显著改变半导体的导电能力

所以,半导体是一种其自身性质容易受到外界的光、热、磁、电以及微量杂质含量变化而发生变化的材料

二. 预备知识

1. 晶体

        常见的半导体材料Si、Ge、GaAs都是晶体。

        ①单晶:整块晶体由原子(离子)的一种规则排列方式所贯穿始终。

        ②多晶:由许多小晶粒杂乱地堆积而成。

        晶体具有一定的外形和固定的熔点,更重要的是,组成晶体的原子(离子)在较大的范围内(至少是微米数量级)都是按照一定的方式有规则地排列而成——长程有序。

2. 非晶体

        非晶体没有规则的外形和固定的熔点,其内部结构也不存在长程有序,但在较小的范围内(几个原子间距内)存在着结构上的有序排列——短程有序。

微电子经典之作! 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1引言4.2理想MIS电容4.3硅MOS电容第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1引言5.2静态特性5.3微波特性5.4相关器件结构5.5异质结双极晶体管第6章MOS场效应晶体管6.1引言6.2器件的基本特性6.3非均匀掺杂和埋沟器件6.4器件按比例缩小和短沟道效应6.5MOSFET的结构6.6电路应用6.7非挥发存储器6.8单电子晶体管第7章JFET,MESFET和MODFET器件7.1引言7.2JFET和MODFET7.3MODFET第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1引言8.2隧道二极管8.3相关的隧道器件8.4共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性
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