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这篇文章主要以半导体器件的工作机理为主，以Neamen的《半导体物理与器件（第四版）》为主线展开。半导体器件中大量重复出现同样的或是类似的术语，为了更好区分与体会其作用，在此小作总结：
受主杂质：接受电子，用字母a表示
施主杂质：施予电子，用字母d表示
1 pn结
1.1 均匀掺杂pn结
1.1.1 定义
半导体的一个区均匀掺杂了受主杂质，相邻的区域均匀掺杂了施主杂质。
1.1.2 性质
（1）内建电场
p型和n型材料接触后，由于扩散作用，p型材料中的多子空穴扩散到n区，n型材料中的多子电子扩散到p区，这造成的结果是：p型材料中遗留下来受主离子（带负电 ），n型材料遗留下来施主离子（带正电）。所以形成了内建电场，方向由n指向p。
（2）空间电荷区/耗尽区
p型材料中遗留下来的受主离子（带负电 ）和n型材料遗留下来的施主离子（带正电）分别占据两类材料在冶金结两侧的一部份区域，这个区域称为空间电荷区。由于该区域内没有任何可以自由移动的空穴和电子，所以也叫耗尽区。
（3）“扩散力”和“电场力”
p区内多子是空穴，空穴一方面因浓度梯度想往n区扩散，受到“扩散力”，另一方面被内建电场扫回p区，受到“电场力”，热平衡时这二力平衡。同理，n区内多子是电子，电子一方面因浓度梯度想往p区扩散，受到“扩散力”，另一方面被内建电场扫回n区，受到“电场力”，热平衡时这二力平衡。
（4）导电机制取决于少数载流子
由于耗尽区不存在可以移动的多子，那么在正偏或反偏情况下pn结的导电性能取决于少子。
（5）正偏
pn结正偏时，外加电压减小了pn结的内建电场，缩小了耗尽区。“电场力”变弱，相对的是“扩散力”增强，于是这时，少数载流子通过扩散穿过内建电场，与对面的多数载流子复合，产生复合电流。
（6）反偏
pn结反偏时，外加电压增强了pn结的内建电场，扩大了耗尽区。反偏电压足够大时产生雪崩击穿。齐纳击穿发生是因为隧穿效应。pn结击穿也叫空间电荷区击穿，存在临界电场。
（7）单边突变结
一种特殊的pn结，在一侧的掺杂浓度（重掺杂）远远大于另一侧（轻掺杂）。轻掺杂区的空间电荷区宽，重掺杂区的空间电荷区窄，这样便维持平衡。
1.2 非均匀掺杂pn结
1.2.1 线性缓变结
在一块均匀掺杂的n型衬底上，从其表面向内部扩散受主原子，则随着深度加大，受主原子浓度降低。冶金结位置是n型掺杂浓度与p型掺杂浓度相等的位置。从冶金结位置出发，考虑向n区延伸的净p型掺杂浓度，它是距离的线性函数。同理，从冶金结位置出发，向p区延伸的净n型掺杂浓度也是距离的线性函数。
1.2.2 超突变结
掺杂浓度从冶金结处开始下降的特殊pn结。适合制作变容二极管。
1.3 小结
重点在于理解扩散作用、每个区剩下什么电荷、内建电场如何形成，从而可以基于这些微观变化分析正偏和反偏的情况。本节描述的导电机制并不准确，这将在下一节有更明确的阐述。
2 pn结二极管
2.1 正偏
2.1.1 概述
p区相对于n区加正电压的情况。这导致pn结内部势垒降低、内建电场减弱。可以这样理解内部势垒：空间电荷区被外加电场抵消后的剩余部分就是内部势垒。
2.1.2 性质
（1）半导体器件状态的基本原理
在小注入和非本征掺杂约束条件下，过剩电子和空穴的共同漂移和扩散运动取决于少子的特性。过剩电子和空穴是一起运动而非相互独立的，这叫做双极输运现象。
（2）过剩少数载流子的产生机制
正偏压的存在削弱内建电场，多数载流子不能再被阻挡，热平衡被打破。此时，p区多子空穴被注入n区，导致n区出现过剩空穴；n区多子电子被注入p区，导致p区出现过剩电子。总的来说，p区和n区均产生了过剩少数载流子。被注入后，这些少子向电中性的体内扩散。
（3）过剩少数载流子分布
在p区和n区长度远远大于少子扩散长度（长pn结）的情况下，少子浓度从空间电荷区边缘向两侧体内延伸的距离呈现指数衰减，逐渐趋向于热平衡时的值（没有过剩的了）。指数衰减的原因是，扩散进入体内的过剩少子与体内的多子发生了复合。
（4）pn结电流的形成
只要外加正压一直存在，穿越空间电荷区的载流子注入就一直持续，形成一股电流，该电流从p流向n。虽然分布呈现出指数衰减，但是总电流仍为常量。这是因为在任何一个区中，过剩少子的指数衰减扩散电流与本身多子的指数增加漂移电流叠加后为常数。
（5）理想电流-电压关系
少子扩散电流产生了pn结二极管的理想电流-电压关系。
（6）正偏复合电流
产生原因：pn结外加正偏压时，注入的电子和空穴会穿过空间电荷区，他们在穿越空间电荷区时可能发生复合，发生复合消耗掉的少子最后并没有成为少子分布的一部分。产生机制：既然在空间电荷区区损耗了一部分少子，那么相应的区域就要额外向对面区域注入少子以弥补损失，额外注入的载流子的流动形成了复合电流。
（7）总正偏电流
正偏复合电流与理想扩散电流之和。
2.2 反偏
2.2.1 概述
p区相对于n区加负电压的情况。这导致pn结内部势垒增加，空间电荷区变宽。基本没有电流流动。
2.2.2 性质
（1）过剩载流子产生机制
虽然书上没有说具体的产生机理，仅通过推导出负的复合率从而得到产生率的结论，但是实际上反偏电压下空间电荷区产生了电子-空穴对。这可能是因为本征热激发或者受到外部温度影响。
（2）反偏产生电流
空间电荷区产生的电子-空穴对，一经产生就被电场扫出耗尽区，电子被扫向n区，空穴被扫向p区，电荷流动方向就是反偏电流方向。这样产生的电流就是反偏产生电流。
（3）总反偏电流
前面通过理想电流-电压关系得到的理想反向饱和电流，再加上反偏产生电流，就是总反偏电流。
2.3 其他内容
2.3.1 扩散电阻
又叫做增量电阻，是增量电导的倒数。增量电导是在外加电压一定的情况下，输入小信号正弦信号，理想电流-电压函数的电流对电压求偏导。
2.3.2 扩散电容
正偏时，直流电压上叠加一个小正弦交流电压，使n区内空穴与p区内电子（载流子）的充放电过程产生的电容。正偏pn结的扩散电容比其势垒电容大得多。
扩散电容主要在正向偏置下起作用。当器件工作在高频时，扩散电容会影响其动态特性，增加充放电时间，减慢开关速度，从而限制器件的高频性能。扩散电容与载流子浓度有关，电流越大，扩散电容越大。因此，它还会导致在关断时，载流子存储效应增加，影响开关速度。
2.3.3 势垒电容（结电容，耗尽层电容）
因为耗尽区内的正电荷和负电荷在空间上是分离的，所以pn结就具有了电容的充放电效应。反偏时，稍微改变反偏电压，使之有一个增量，则电荷区宽度的额外变化就产生了这种效应。
势垒电容主要在反向偏置下起作用。在反向偏置时，PN结的结区变宽，势垒电容减小。这种变化会影响PN结的恢复特性，使得反向恢复时间增加，尤其在二极管和晶体管的开关过程。势垒电容会限制器件的高频工作能力。
2.3.4 短二极管
某个区宽度小于少子扩散长度的二极管。短区的表面处具有无限大的表面负荷速度，该处过剩少子浓度为零。短二极管电流扩散密度远大于长二极管。可以认为短区内少子不存在复合过程。
2.3.5 关瞬态和存储时间
为了快速关断，需要较大反偏电流和较小少子寿命。关瞬态对应的是pn结内存储的过剩少子被移走的过程，也即（扩散）电容放电过程，放电时间称为存储时间。
2.3.6 隧道二极管
两侧都是简并掺杂的pn结。存在负微分电阻区。
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