2022.12.8 半导体器件物理

最新推荐文章于 2024-07-08 17:13:38 发布
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分类专栏： 半导体物理 文章标签： 单片机 嵌入式硬件
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作业

 用迁移电流来推导出公式

电流是I，J是电流密度，W就是横截面

T是这个薄膜的厚度（我们最后可以消除掉）

X就是空间位置，0就是在电极的一端

为什么要减去V_{T}

因为只有大于阈值电压，才会有水流通过，只有在阈值电压过了以后，才会产生电流

MESFET 没有oxide gate直接和半导体接触

与金属半导体接触会有一个耗尽层区域

没有oxide，我们用能级图就不用原先的能级图，就用金属半导体接触的能级图

Gate不用加任何电压，下面就有一个沟道

 

 

 第一个对应 TFT

第二个对应MESFET

第三个对应 MOSFET

 

        

凉月松心
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