模拟电子技术-CSDN博客

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模拟电子技术

常用的半导体器件
基本放大电路
集成运算放大电路

常用的半导体器件

基本知识

1. 半导体
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导体：原子核最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子
绝缘体：最外层电子受原子核束缚能力很强，很难成为自由电子，所以导电性能极差

用能带理论来讲导体、半导体、绝缘体
能级：核外电子绕着原子核在特定的轨道上稳定运动，不会辐射能量，每个轨道都对应了一个能量，称之为能级。离核越远能量越大能级越高。
能级表明能量不是连续的，而是离散的。能量量子化解决了经典理论的困境：电子为何不会坍缩到原子核中
能带：大量原子聚集时，能量区域密集的能级称为能带【举例：停车场中每个停车位（能级）只能停一辆车（电子），且停车位固定。当无数车位连成一片区域（能带），车就可以在区域内移动】
价带：最外层电子称为价电子，与价电子能级对应的能带称为价带
导带，价带以上的能带中最低的带称为导带
价带和导带之间的区域称为禁带
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导体的能带结构：价带和导带重叠（没有禁带）
半导体的能带结构：禁带较窄
绝缘体的能带结构：禁带很宽，电子难以跃迁到导带

2. 本征半导体
纯净的（不含杂质）、具有晶体结构的半导体称为本征半导体
晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。由于相邻原子间的距离很近，因此，相邻的两个原子各提供一个电子，形成共用电子对，这样子的组合称为共价键结构
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半导体终究还是能导一点电的，但本征半导体中的价电子导不了电，导电要靠自由电子，那怎么导电？
承载电流的粒子是什么？——载流子

价电子有热运动，可以挣脱共价键的束缚变成自由电子，此时共价键中留下空位，叫做空穴，半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象叫做本征激发。
自由电子能导电（即自由电子是承载电流的电子——载流子），那空穴能否导电？
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导体只有一种载流子：自由电子。而半导体有两种载流子：自由电子和空穴。

与本征激发相对应的叫做复合运动，本征激发得到自由电子，这些自由电子可能会和空穴相撞从而填补空穴，重新变成了共价键中的价电子
本证激发与温度有关，复合与载流子浓度有关
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在一定温度下，本证激发所产生的自由电子空穴对，与复合的自由电子空穴对数目相等，便达到了动态平衡，换言之，在一定温度下，本征半导体中的载流子的浓度是一定的
温度越高，本征激发越剧烈，这时复合速度还没有加快，使得载流子浓度上升。载流子浓度升高会使得复合速度加快，最后本征激发产生的自由电子空穴对与复合消耗的自由电子空穴对数目相等，即动态平衡。温度越高，载流子浓度越高，导电性能越强。可见，本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数

3. 杂质半导体
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N型半导体：电子为多数载流子（多子），空穴为少子

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P型半导体：空穴为多子，电子为少子

温度对载流子浓度的影响
多子主要由杂质原子提供，其浓度很高，基数大，温度变化所产出的载流子相对于多子来说只不过是一个零头，所以多子受温度影响很小
少子是由本征激发形成的，其浓度很低，基数小，则一点点变化会带来少子浓度巨大变化
总结来说，温度对多子影响小，对少子影响大

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掺杂对半导体导电性能的影响：
在杂质半导体中，掺入杂质会在禁带中产生附加的能级，价电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比价电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因为分步跃迁中每一步的能量需求要比直接跨越禁带所需的能量低，从而更容易实现跃迁。因此，虽然只有少量杂质，却会显著地影响半导体的电导率。
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Q：为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，本征半导体是完全纯净、没有杂质的半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？
A：因为这样可以人为控制它的导电性能，通过控制掺杂的浓度就可以控制半导体的导电性,以达到人们的需求。

PN结

PN结的形成

采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片上，在它们的交界面就形成了PN结
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多子由于浓度差产生扩散运动，扩散运动产生了空间电荷区（或叫耗尽层），由于耗尽层的存在，会产生内电场，内电场阻碍多数载流子扩散运动的进行（耗尽层有一定的距离，内电场经过一定距离会产生电势差，相当于势垒，对多子起阻碍作用），但对于少数载流子来说是促进作用，从而引起漂移运动。
在无外电场和其他激发作用下，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡，就形成了PN结，此时空间电荷区的宽度基本稳定下来

PN结常常分为两种：对称结和非对称结
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PN结的单向导电性

外加电场对PN结载流子运动的影响

PN结外加正向电压时处于导通状态
外加正向电压（也叫正向偏置），电源的正极接到PN接的P端，电源的负极接到PN结的N端。则多子扩散运动会增强，少子漂移运动会减弱。由于外电源作用使得扩散运动源源不断的进行(外电场削弱了内电场的作用，相当于将壁垒削掉一层)，从而形成扩散电流，这时称PN结为导通状态
PN结外加反向电压时处于截止状态
外加反向电压（也叫反向偏置），电源的正极接到PN接的N端，电源的负极接到PN结的P端。则多子扩散运动会减弱，少子漂移运动会增强。由于外电源作用才会使得漂移运动源源不断的进行，从而形成漂移电流，但由于电流很小，故可已近似认为PN结为截止状态。

外加电场对PN结宽度的影响
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在PN结加了正向电压的回路里面，一定要有一个电阻来限制回路电流，来保护PN结。因为电流过大会使得PN结过热甚至烧坏

PN结伏安特性

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硅二极管开启电压大约为0.6到0.7V。锗二极管开启电压通常在0.2到0.3V之间

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PN结的电容效应

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一个器件如果电压变化，导致储存的电量变化，则是电容。所以看PN结是否有电容效应，就看它外加的电压变化时，电荷量是否变化
在一定条件下，PN结具有电容效应，根据产生原因的不同分为势垒电容和扩散电容

势垒电容
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扩散电容

PN结的结电容是势垒电容与扩散电容之和

所以说二极管不仅有单向导电性，还有电容效应。电容是通交流隔直流，当PN结外加的电压频率高到一定程度时，容抗特别小，电容效应变得更加显著，允许更多的交流信号通过，二极管的单向导电性就不存在了。

半导体二极管

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二极管的直流等效电路

特殊二极管

除了前面的普通二极管以外，生活中还常常用到其他三种类型的二极管

1. 稳压二极管
当反向击穿时，在很大的电流变化范围内，它的电压变化几乎不变，表现出稳压特性

二极管的正向击特性也能稳压，但由于开启电压很单一所以不适合作为稳压二极管

反向击穿的话，则可以通过掺杂浓度做出不同的稳定电压，小于6V的基本都是工作在齐纳击穿，大于6V的基本工作在雪崩击穿
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稳压二极管的伏安特性与普通二极管绝大部分是一样的，唯一的区别在于反向击穿区

反向击穿并不代表二极管损坏，而是温度过高导致烧坏才是不可逆的
稳压二极管的动态电阻为 △u/△i，所以稳压二极管的动态电阻非常小

一旦稳压二极管超过额定功耗，就会温升过高而损坏
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2. 发光二极管（LED）
发光二极管（Light Emitting Diode, LED）是一种能够将电能直接转化为光能的半导体器件。其工作原理基于电子和空穴在半导体材料中的复合，在这个过程中，电子从导带跃迁回到价带，释放出能量，如果这个能量以光子的形式释放出来，就会产生光辐射
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只有当外加的正向电压足够大时才发光，它的开启电压比普通二极管大，红色在1.6V~1.8V之间，绿色的约为2V。正向电流愈大，发光俞强

3. 光电二极管（光敏二极管）
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光电二极管（Photodiode）是一种能够将光能转换为电能的半导体器件。它基于内光电效应工作，即当光子撞击半导体材料时，能够激发电子从价带跃迁至导带，同时在价带上留下一个空穴，从而产生自由电子和空穴对。
光照射时，若光子能量大于半导体价带与导带之间的能隙，则电子吸收能量跃迁至导带，产生电子-空穴对，在内建电场的作用下，电子向N区移动，空穴向P区移动，即在复合之前被内电场分离。这种分离导致P区积累空穴，在N区积累电子，从而在PN结两端形成电势差，并在外汇路产生电流，即电子从N区流出，而空穴从P区流出。因此，光生电流的方向是从P区通过外部电路到N区，即光生电流是反向的。
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无光照时，光电二极管与普通二极管无区别，正向导通、反向截止，只不过对于光电二极管，我们把无光照时的反向饱和电流称为暗电流。
有光照时，特性曲线下移，它们分布在第三、第四象限内
根据伏安特性曲线所处象限不同，可以等效为不同电路
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双极型晶体管

双极型晶体管，也称半导体三极管，后面简称为晶体管

晶体管的结构及类型

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晶体管有NPN和PNP两种类型。

晶体管的电流放大作用

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放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。
下面将以NPN型晶体管组成的 “基本共射放大电路” 与 “基本共基放大电路” 为例，阐明放大电路的组成原则及电路中各元件的作用

基本共射放大电路
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R_B 是为了限制回路电流的，任何PN结，正向偏置时一定要有限流电阻，防止电流过大温升过高而损坏

发射结正偏，发射区的自由电子会向基区扩散，同时基区里的空穴（多子）会向发射区扩散，这时候就形成两个电流：自由电子扩散形成 I_EN（电流非常大）；基区的空穴扩散形成 I_EP（电流非常小）。从发射区来的自由电子到达基区后就成了非平衡少子，这些非平衡少子会和基区的空穴发生复合，从而产生复合电流 I_BN。但由于基区做的很薄且掺杂浓度低，所以被复合掉的非平衡少子非常少。大部分的非平衡少子被集电极的高电压吸引过去（因为集电结是反向偏置），从而形成漂移电流 I_CN。
除了以上的电流，由于集电结处于反偏，所以集电区与基区的少子漂移形成电流 I_CBO
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从外部看：I_E = I_B + I_C
从内部看：
I_C = I_CN + I_CBO
I_EN = I_BN + I_CN
I_B’ = I_BN + I_EP
I_B = I_B’ - I_CBO = I_BN + I_EP - I_CBO
I_E = I_EP + I_EN

基本共基放大电路
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下面研究晶体管的共射特性曲线
为了更好的理解输入与输出特性，对晶体管中的载流子进行简化：I_EP 是基区空穴扩散形成的电流，由于基区薄且掺杂浓度低，故 I_EP 非常小，可以近似忽略不计。I_CBO 也非常小，可以忽略不计。
最后剩下的是三个电流：发射区多子的扩散电流 I_EN、非平衡少子的复合电流 I_BN、非平衡少子的漂移电流 I_CN。

晶体管的工作特性通常用两个伏安特性曲线来描述 —— 输入特性曲线与输出特性曲线
输入特性曲线
输入特性曲线：基极电流i_B 和发射结电压u_BE 的关系
U_CE 增大后，曲线右移的原因是：基区的非平衡少子漂移运动增强，移动到了集电区，导致原本应该在基区进行复合作用产生的电流变小，所以需要增大 U_BE 使发射区向基区注入更多的电子，来达到相同的电流。
U_CE 增大到一定程度后，U_CE 再增大曲线右移不明显的原因是：集电结的电场已足够强，可以将发射区注入基区的绝大部分非平衡少子收集到集电区，所以 U_CE 再怎么增大，收集到的非平衡少子数目也不再明显变大，即 I_C 不再明显增大。由于 I_E = I_C + I_B，U_CE 影响 I_C，从而影响 I_B，如今 U_CE 再怎么增大 I_C 也不变，所以 I_B 也不再受到 U_CE 影响，表现在外部便是 U_CE 再怎么变大曲线右移不明显。
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输出特性曲线
输出特性曲线：集电极电流i_C 和管压降u_CE 的关系
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在放大区：
发射结正偏，集电结反偏，发射区的电子注入基区后，能被集电结高效收集，此时集电结收集电子的能力有富余，所以即便 I_B 增大，到达基区的非平衡少子增多，依旧能被收集起来，所以 I_C 与 I_B 有关。可见三极管是电流控制电流型器件。

在饱和区：
发射结正偏，集电结正偏，U_CE 过低，发射结与集电结均正偏，集电结没有能力把基区的非平衡少子全部收集起来，导致基区中堆积的非平衡少子堆积达到“饱和”状态，也就是说“发射有余而收集不足”。I_B 增大，I_C 无法按照跟着β倍增加。I_C 主要受外部电源和负载电阻决定，而非 I_B 控制。

很多人不理解，为什么曲线是先饱和后才是放大区呢？其实这张图应该反着看：不断增加输入电压 V_BB，则 U_BE 不断增大。当 U_BE大于 U_on 且小于 U_CE 时，处于放大区域。当 U_BE 大于 U_CE 时，处于饱和区，所以是先放大区后经历饱和区。
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Q：为什么晶体管需要用两个伏安特性曲线（输入特性曲线和输出特性曲线）来描述？
A：因为有三个端口，一个伏安特性曲线肯定不够

光电三极管

光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小，器功能可等效为一个光电二极管与一个晶体管相连，并仅引出集电极与发射极
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光电三极管与普通三极管的输出特性曲线相类似，只是将参变量基极电流 I_B 用入射光强E取代。

单极型晶体管

场效应管（FET，Field Effect Transistor）是单极型晶体管。
场效应管（FET）：利用电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件
FET分为两种：结型场效应管（JFET，Junction Field Effect Transistor）、绝缘栅型场效应管（IGFET，Insulated Gate Field Effect Transistor），绝缘栅型场效应管还有另一个名称：金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor），简称MOS管
MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。

与双极型管相比，单极型晶体管具有输入回路等效电阻大、抗辐射能力强、噪声小等优点，并能构成低功耗电路。

绝缘栅型场效应管

为什么叫绝缘栅：因为栅极与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO₂ 绝缘层隔离，栅极整个趴在 SiO₂ 上，跟源极、漏极都绝缘

N沟道增强型MOS管

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当 U_DS=0 且 U_GS>0 时，U_GS 会把P型衬底靠近 SiO₂ 一侧的空穴都踢走，就剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层，如图(a)所示。
当 U_GS 增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底中的少数载流子——自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个反型层，由于反型层中是自由电子，所以叫N型反型层。这个反型层就将源和漏导通了，即构成了 D - S 导电沟道。为了能形成这个沟道， 需要 U_GS 大于开启电压 U_GS(th)。
U_GS 越大，则导电沟道越厚，即自由电子越多，导电性能越好，相当于电阻越小。这样我们便得到了可以用电压控制的可变电阻器。
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此时场效应管就相当于可变电阻器，既然是电阻，要让 D - S 之间产生电流该怎么做？只需要加电压 U_DS 即可，电压作用在电阻上自然就有电流。
现在要研究 U_DS 对 I_D的影响，那就需要控制变量，即控制 U_GS 的值， 让 U_GS 是大于 U_GS(th) 的一个确定值。
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可变电阻区：U_GS 控制 d-s 等效电阻，这个区域中 I_D 是由 U_GS 和 U_DS 共同控制
恒流区：I_D 只由 U_GS 控制

探究恒流区中漏极电流I_D 与栅-源电压U_GS 之间的函数关系
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N沟道耗尽型MOS管

如果在制造MOS管时，在 SiO₂ 绝缘层中掺入大量正离子，那么即使 U_GS=0，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏-源之间天生就存在导电沟道。当 U_GS 为正时，反型层变宽，沟道电阻变小。反之，U_GS 为负时，反型层变窄，沟道电阻变大。当 U_GS 从零减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失，此时的 U_GS 称为夹断电压 U_GS(off)。
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现在研究U_DS对漏极电流I_D的影响，则需要控制U_GS不变，让 U_GS 是大于 U_GS(off) 的一个确定值（注意和N沟道增强型MOS管的区别，那个是控制 U_GS 为大于 U_GS(th) 的一个确定值）
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可变电阻区：U_GS 控制 d-s 等效电阻的阻值
恒流区：电压 U_GS 控制漏极电流 I_D。可见场效应管是电压控制电流型器件。

N沟道结型效应管

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为什么结型场效应管 g-s 必须加负电压？
JFET是利用耗尽层(不导电)来调节导电沟道宽度(导电)。场效应管的特点就是等效电阻特别大，如果加的外部电压 U_GS＞0，则PN结正偏，增强扩散运动，使得耗尽层变窄，导电沟道变得更宽了，等效为电阻变小，就失去了场效应管等效电阻大的特点；此外，PN结正偏电流变大，不仅会增加功耗，还可能损坏。
现在回顾下耗尽型场效应管，耗尽型MOSFET的栅-源极电压可正、可零、可负，核心原因是天生形成的导电沟道和绝缘栅结构。这种设计使其摆脱了JFET对反向电压的依赖，同时避免了增强型MOSFET被正向开启电压的限制，从而在电路设计中提供了更高的灵活性和更广的应用范围。

现在研究漏-源电压 U_DS 对漏极电流 I_D 的影响，则要保持 U_GS > U_GS(off) 不变
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输出特性曲线

预夹断轨迹将特性曲线分为两个区域：可变电阻区和恒流区
可变电阻区：U_GS 控制漏-源等效电阻的阻值
恒流区：U_GS 控制漏极电流 I_D

场效应管和晶体管的比较

晶体管：工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型晶体管
场效应管：工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管

一、由于少子浓度受温度、辐射影响较大，因此场效应管比晶体管的温度性更好、抗辐射能力更强

二、因为双极型晶体管有两种载流子在运动，所以双极型晶体管的噪声比单极型晶体管的噪声更大。还有可能是双极型晶体管中会发生复合运动，载流子复合是随机事件，从导带跃迁回价带，会导致基极电流的瞬时波动，从而产生噪声

三、场效应管的漏极和源极结构是对称的，所以电极可以互换。而对于晶体管来说，发射区是高掺杂区，集电区是面积大且低掺杂的区域，所以发射极和集电极不能互换
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基本放大电路

放大的概念

放大的对象：变化量
放大的特征：功率放大
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放大的本质：能量的控制与转换。
放大电路一定是有外加直流电源提供能量的，根据能量守恒定律，输出信号的能量不可能凭空产生，放大器的输出能量必须来源于外部直流电源，而非输入信号本身，输入的小信号（如微弱的电压或电流）仅起到控制作用。

那该如何将外部直流电源所具有的能量转换为和输入信号相关的动态的能量，就需要依靠放大电路中的核心器件：有源元件

有源元件：能够控制能量的元件，如晶体管、场效应管。
除输入信号外，还必须要有外加电源才可以正常工作。
无源元件：只需要输入信号，不需要外加电源就能正常工作。无源器件只是通过能量分配来改变电压或电流的幅度，受限于能量守恒定律，无法实现功率的增大。如电阻、电容

故输入信号起控制作用，放大电路起转换作用

放大的前提：不失真，失真是指输出信号的波形与输入信号的波形不一致的现象
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对放大电路来说，往往需要测试，什么样的信号才能做测试信号？
放大电路的测试信号：正弦波（信号系统里学过：待放大的波形终究可以分解为多个频率的正弦波的叠加）

工作区选择：当晶体管工作在放大区、场效应管工作在恒流区时，输出量与输入量之间才能保持恒定比例关系，即线性关系，电路才不会失真

放大电路的主要性能指标

输入电阻

信号源为电压源
等效输入电阻衡量放大电路对信号源的影响程度，输入电阻 R_i 是从输入端看进去的等效电阻
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信号源为电压源时，一般要求输入电阻 R_i 大一点好，输入电阻 R_i 越大，电路从信号源索取的电流越小，R_s 的压降越小，输入电压越接近理想信号源电压

信号源为电流源
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输出电阻

输出电阻衡量放大电路的带负载能力，输出电阻 R_o 是从放大电路输出端看进去的等效电阻。
带负载能力强是指接了负载之后电压没有明显跌落。任何一个放大电路在空载时输出电压是最高，一旦接了负载会使得输出电压跌落。
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如果要输出稳定电压信号则 R_o 越小越好，因为输出电阻 R_o 越小，负载变化时输出电压的变化越小，即输出电压越接近空载电压，总结便是 R_o 越小带负载能力越强；要输出稳定电流信号则 R_o 越大越好

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通频带

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基本共射放大电路

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波形分析

一. 静态
当 u_i=0 时，成放大电路处于静态，此时晶体管应处于放大状态
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如果没有设置静态工作点，即没有基极电源，直接加入输入电压 u_i：若 u_i 峰值小于 b-e 间开启电压 U_on，则在信号的整个周期内晶体管始终工作在截止状态，输出电压为零；即使 u_i 的幅值足够大，晶体管也只可能在信号正半周大于 U_on 的时间间隔内导通，那么输出电压必然严重失真。因此，设置合适的静态工作点，使交流信号驮载在直流分量上，以保证晶体管在输入信号的整个周期内始终工作在放大状态，输出电压波形才不会出现失真

二. 附加输入信号 u_i
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基本共射放大电路是依靠 R_C 将电流变化转化为电压变化。观察被放大的电压曲线u_o，数值增大了，但相位和输入电压反向

两种实用的共射放大电路

下面讲 直接耦合共射放大电路 和 阻容耦合共射放大电路
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下面从静态和动态两方面对直接耦合放大电路进行分析
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直接耦合有两个问题：

R_b1 的分压作用，减小了晶体管基极与发射极之间的信号电压，即有用信号被损失掉了一部分
输出电压不是纯交流的，还有直流电源作用的结果，即存在直流分量，这常常需要去除

能不能做一个电路：输入就是纯交流进去，输出就是纯交流输出？阻容耦合放大电路，利用电容的通交隔直
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放大电路的分析方法

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晶体管的h参数等效模型

图解法

利用作图的方法对放大电路进行分析
主要分析的参数有：
· 直流参数：静态工作点Q
· 交流参数：电压放大倍数A_u、波形分析-非线性失真、最大不失真输出电压U_om
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静态工作点分析

现在分析交流参数，则要开始考虑△u_i
电压放大倍数

波形分析
正常波形

截止失真
截止失真：由于输入回路无法满足发射结正偏，导致晶体管工作在截止区而引起输出波形失真
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饱和失真
饱和失真：由于输出回路无法满足集电结反偏，导致晶体管工作在饱和区而引起的输出波形失真

截止失真与饱和失真的原因分析以及消除方法

其他非线性失真
非线性失真指的是由于半导体元件自身固有的非线性特性导致的失真
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最大不失真输出电压

基本共集放大电路

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A_u≈1，说明输出电压并没有放大，而是跟随。输出电压和输入电压同相位且几乎同大小。虽然电压没有变大，但电流变大了，从 I_b 变成了 I_e，故功率变大了。射极跟随器加大了功率，加大了输入电阻，减小了输出电阻

基本共基放大电路

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在晶体三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射和共集组态有电流放大作用，共射组态有倒相作用；共集组态带负载能力强（输出电阻小带负载能力强），共集组态向信号源索取的电流小（输入电阻大向信号源索取的电流小），共基组态的中高频特性好

场效应管放大电路

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复合管

两只同类型（NPN或PNP）晶体管组成的复合管，等效成与组成它们的晶体管同类型的管子
不同类型晶体管组成的复合管，等效成与T₁管同类型的管子

复合管组成原则：

在正确的外加电压下，每只管子的各极电流均有合适的通路，且均工作在放大区或横流区
将第一只管的集电极或发射极电流作为第二只管的基极电流，以实现电流的进一步放大

由晶体管构成的复合管

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场效应管与晶体管构成的复合管

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场效应管构成的复合管中，场效应管只能在第一级

复合管共射放大电路

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集成运算放大电路

多级放大电路

多级放大电路的耦合方式

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直接耦合放大电路

那能否有元件能取代 R_e2，既可以使得T₁有合适的管压降，又可以使得T₂的电压放大倍数不要降低太多。也就是说在静态的时候能够提高T₂基极电位，动态的时候可以等效为一个非常小的电阻

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加了二极管后，T₁管压降就是两个PN结的正向导通电压，为1.4V。如果要求 U_CEQ 为10V，怎么办？多串联几个二极管？那要串联10几个二极管才能使得 U_CEQ 为10V，二极管多了将会在电路里面焊点多，焊点多意味着出现故障的几率提高了，并且二极管多了电阻就上去了
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Q：为了加电阻R？
A：稳压管稳定电流 I_Zmin 多为5mA，而前面所学过的基本放大电路静态的工作电流为1mA左右，所以只靠T₂管的 I_E2 不足以使稳压管工作在稳压区，因此需要另一个支路再提供一个电流

阻容耦合放大电路
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光电耦合放大电路