STM32后备RAM无法正常使用问题分析

问题背景

在使用后备RAM时出现如下问题：
1.后备RAM地址段数据不能修改；
2.后备RAM可以修改，但是软件复位之后，数据被清除；
3.数据可以软件复位保存，但是掉电一段时间之后，数据被清除；

问题分析

STM32提供4KB的备份SRAM，在开发程序时可以用于存储掉电不丢失的数据（需要RTC纽扣电池支持），特别是一些实时修改的，掉电不能丢失的数据。
在一些方面与后备寄存器一样，两者最主要的特性就是：当有系统复位/电源复位/待机模式下被唤醒这三种情况时，BKP中的值不会丢失或被复位。
两者的不同体现在如下：
1.在大小上，后备寄存器中包括了42个16位的寄存器，共可保存84字节的内容，而后备RAM中可以保存4KB的内容；
2.在首地址上，后备寄存器的首地址是0x58004050，而后备RAM的首地址是0x38800000；
后备RAM的使用需要执行如下四步操作：
1.使能后备RAM的时钟；
2.后备地址写使能；
3.VBAT使能；
4.备份功能使能；

时钟分析

对于最新使用的H7系列的单片机，一段RAM的使用，是否需要单独使能相关时钟，需要根据如图1所示的框图进行判断，原则就是：非CPU总线上的其它总线都需要单独使能总线时钟，图中后备RAM所在总线是SRD总线。
因此我们需要在单片机系统时钟初始化完成之后，单独使能后备RAM时钟，__HAL_RCC_BKPRAM_CLK_ENABLE，需要注意，该总线上还有其它RAM和外设，在使用时，都需要单独使能，如需要使用SRD SRAM时，就需要调用__HAL_RCC_SRDSRAM_CLK_ENABLE对该RAM的时钟进行使能。

即，需要调用__HAL_RCC_BKPRAM_CLK_ENABLE();对后备RAM的时钟进行使能，这样我们才能对其进行访问。

后备域时钟

这一点与后备寄存器一致，RTC 模块和时钟配置是在后备区域，即在系统复位或从待机模式唤醒后 RTC 的设置和时间维持不变，只要后备区域供电正常，那么 RTC 将可以一直运行。但是在系统复位后，会自动禁止访问后备寄存器和 RTC，以防止对后备区域(BKP)的意外写操作。所以在要设置时间之前，先要取消备份区域（BKP）写保护。
所以，在每次系统初始化完成以及后备RAM时钟使能完成之后，我们还需要手动修改PWR的CR1寄存器的第8位/DBP，如图2所示，是数据手册中对该位的描述，使能代码如下：
PWR->CR1|=1<<8;

实际上在RTC的初始化中，已经执行了该操作，图2中可以看出，该寄存器同时还控制了RTC寄存器的访问，所以如果不关闭写保护，那么我们也将无法操作RTC。

VBAT监测

与RTC不同，后备RAM需要单独使能电压的BAT监测，后备寄存器的掉电保存不需要单独使能BAT，如图3所示，我们需要对该寄存器的位进行使能，代码如下：
PWR->CR2 |= 1<<4;

VBAT optional external power supply for Backup domain when VDD is not present(VBAT mode), must be connected to VDD when this feature is not used，如图4所示是VBAT与备份域的框图，所以我们需要使能电源监测和调节功能，只有监测打开，备份功能才有意义。

备份功能

图4中可以看出，我们还需要使能备份域中的备份功能backup regulator，如图5所示是该寄存器的描述，代码如下：
PWR->CR2 |= 1<<0;

图5可以看出，使能该功能只是为了保证数据能够在Standby和VBAT模式的时候也能保存，如图6所示是数据手册中的解释(我们在仅使用普通模式时，也可以不使能该项)。

问题总结

本次问题是首次使用备份RAM，由于对其不够了解，所以不知从何入手，一旦对其进行了解，那么也就算是成功了，本次问题的处理比较简单，大致可以总结成如下代码：
__HAL_RCC_BKPRAM_CLK_ENABLE(); //使能后备RAM时钟
PWR->CR1|=1<<8; //使能后备域的写(关闭写保护)
PWR->CR2 |= 1<<4; //使能VBAT调压器
PWR->CR2 |= 1<<0; //使能后备域的保存功能

除了以上初始化阶段需要注意的点，在该地址段的使用过程中，需要注意他的首地址是0x38800000，并且大小仅有4KB，不建议在调试时，直接通过Memory中修改该地址段的数据，实测，通过该方式进行修改，复位后会恢复，所以最好是通过定义一个数组，然后将该数组强制指定到该位置，如下所示：
#define ADDRMGT_BK_SRAM_ADDRESS_STARTADDR (unsigned long)0x38800000
#define ADDRMGT_BK_SRAM_ADDRESS_SIZE (unsigned long)0x00000800
#define ADDRMGT_BK_SRAM_ADDRESS_NUM (unsigned long)0x00000400

volatile unsigned short AddrMgtBKRAMMap[ADDRMGT_BK_SRAM_ADDRESS_NUM] attribute((at(ADDRMGT_BK_SRAM_ADDRESS_STARTADDR)));

如果必须要人为地令备份域复位（所有数据都被清零），那么有两种方法：

a)软件复位（操作RCC_BDCR中的BDRST位产生）；

b) VDD和VBAT均掉电，那么在VDD或都VBAT上电时将引发备分域复位

还有两个特殊操作也可以清除后备RAM的数据：
1.through the Flash interface when a protection level change from level 1 to level 0 isrequested (refer to the description of read protection (RDP) in the Flash programming manual).
2.after a tamper event(侵入监测事件), by filling the backup RAM with zeros upon the first attempt to write access it.