计算机组成原理第七次笔记

1.存储器的分类
按作用分类：1）主存2）外存3）Cache
按存取方式分类：1）随机存取器：RAM（Random）：存储器的任一单元均可随机存取，存取时间和物理位置无关，常用做Cache的材料。
2）只读存储器：存储器的内容只可读不可写，信息一旦存入即时掉电也不会消失，常用做主存的材料。
3）串行访问存储器：按照物理顺序存储，一般用作外存。
按掉电后是否破坏：1）易失性存储 2）非易失性存储
2。存储器的性能指标：存储容量（大小）、存取速度（时间）、成本（钱）。
存储容量：存储字数×字长。字长为存储字长，即一次存取操作的空间大小。
单位成本=总成本/总容量。
存储速度：数据传输率=数据的宽度/存储周期
1）存取时间：存取时间是指从启动一次存储器到完成该操作该操作所经历的时间，分为读出时间和写入时间。
2）存取周期：存取器进行一次完整读写操作所用的时间。一般存取周期都要大于存取时间因为存储器在完成一次存取后往往有一段时间的复原时间，而在这段时间存储器是不能进行读写操作的。
3）主存带宽：主存每秒能传输的信息的最大数量。
存储周期=存取时间+恢复时间
3.多级存储系统
由速度快到慢、存储空间大到小、存储速度快到慢分别为cpu中寄存器–Cache高速存储器–主存–磁盘–磁带、光盘。
存储系统的主要思想为上一层的存储器是低一层存储器的高速缓存。
在存储系统中上一层存储的都是下一层的副本，Cache中存储的数据在主存中也存在。
4.SRAM和DRAM
SRAM（static）：静态随机存储器，由双稳态触发器（6晶体MOS管组成）造价昂贵，集成度低（单位面积上能安装的SRAM的数量少），所以一般用于Cache的成分。
DRAM（dynamic）：动态随机存储器，由晶体管组成，造价便宜，集成度高、容量大但存取速度慢，所以用于组成主存。
5.DRAM的刷新：DRAM由晶体管充电构成，若该晶体管内有电则为1，否则为0。但晶体管内电容时间长了会导致电荷流失，所以应该隔一段时间刷新一下给有电荷的电容充一次电。相隔的时间为刷新周期。刷新以行为周期。刷新相当于一次写操作。
刷新方式：1）集中刷新：每隔一段固定时间一次对存储器的所有行刷新一次，在该段时间存储器不可读写称为死时间。
2）分散刷新：把每行的刷新分散在每个工作周期中，当一次存取操作后刷新某一行，优点是不存在死区，缺点是每次存取都要多耗时，降低了整机的速度。
3）异步刷新：刷新周期/行数得到每行应隔多久刷新一次才能保证一个刷新周期后本行能得到第二次刷新，然后分散开刷新，相当于把死区散开了。
6.ROM存储器的两个优点：结构简单，所以存储密度要更大；拥有非易失性可靠性高。
7.ROM的类型：
1）MROM：在出厂前按用户要求写入后便不可改变内容，可靠性高、集成度高、成本便宜但是灵活性差
2）PROM：出厂时为空，可满足用户采用特殊的设备写入，但写入后不可改变内容。
3）EPROM：可对内容进行多次改写，但是编程次数有限且写入时间长。
4）FLASH存储器（闪存）：可在掉电情况下保存且相对于EPROM写入速度更快。
5)SSD：固态硬盘：由FLASH和控制单元组成，保留了FLASH写入速度快低电耗的特点，缺点是价格昂贵。
8.主存：MAR存储主存地址大小由主存大小/存储字长决定。MDR长度为存储字长。主存大小=2^(MAR长度）×2的（MDR长度）。
8+：主存的连线：地址线（可复用）、数据线、片选线、读写控制线（可复用）。
9.地址引脚复用：为减少地址引脚数量，可在相同寄存器中分两次输入DRAM的行号和列号。只有DRAM使用地址复用，SRAM不使用。
10.多模块存储器：为了减弱存取时间后恢复时间对存取周期的影响。可在一块存储器的恢复时间中对其他已准备好的存储器进行存取操作。这样虽然会造成数据物理位置上的不连续但是可以减弱恢复时间对时间的浪费。
1）单体多字存储器：即一个存储体存放多个字，一次取出一个存储单元内的多个字。例：一个存储单元的恢复时间为1s，一个存储单元具有5条指令，若正常取指令取出5条指令需要四次恢复时间需要等待4s，而单体多字存储器可一次全部取出不需等待。
2）多体并行存储器：由多个存储模块组成，当存入一个数据时该体进入恢复时间，则将下一个数据存入下一个体，当一个循环回到第一个体时其恢复时间已经结束，大大减少了恢复时间的影响。
①：高位交叉编址（fake）:高位决定存储器的选择，因为存储内村按照地址依次增加，所以涉及到存储体更换时表明低地址已经存满了，所以高位并不能实现目的。
②：低位交叉编制（true）:低位决定存储器的选择，存储器在增加1个地址即会改变存储器，所以能实现目的。低位交叉编址在读取时除第一个地址单元外其他单元均可在一次总线传输时间后传出。所以存储体的数量必须大于一次存储周期/总线数据传输周期。