MCU旁接大电容还是小电容?

在设计MCU（微控制器）的电源电路时，选择旁接大电容还是小电容需要根据具体需求来决定。通常，电路设计中两者都需要使用，各自发挥不同的作用。

1. 小电容（去耦电容）

• 典型值：0.01μF~0.1μF，常用陶瓷电容。
• 主要作用：
  • 滤除高频噪声。
  • 提供局部的快速充放电，抑制高频电磁干扰（EMI）。
  • 放置在MCU的每个电源引脚附近（越近越好）。
• 关键点：
  • 每个电源引脚一般旁接一个小电容。
  • 电容的寄生电感较低，适合抑制高频噪声。
  • 贴片陶瓷电容（如0603或0805封装）是最佳选择。

2. 大电容（储能电容）

• 典型值：1μF~100μF，常用电解电容或钽电容。
• 主要作用：
  • 稳定电源电压，提供瞬态电流补偿。
  • 滤除低频纹波。
• 关键点：
  • 放置在电源轨的入口处，例如LDO或开关电源的输出端。
  • 对于瞬态电流较大的MCU（如多核、带外设的MCU），可能需要更大的电容值。

设计建议

• 小电容应靠近MCU的电源引脚（距离<1cm），一般每个电源引脚都要布置。
• 大电容通常放置在电路的电源分配节点附近，确保给整个系统提供稳定电压。
• 如果可能，测量电源噪声并适当调整电容值。

综合选择

• 小电容用于去耦：靠近MCU，抑制高频干扰。
• 大电容用于储能：靠近电源主轨，稳定电压和低频补偿。

正确选择和布置电容能够显著提高系统的稳定性和抗干扰能力。