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一、STM32的三种Boot模式的差异
在STM32F10xxx里,可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。
在系统复位后,SYSCLK的第4个上升沿,BOOT引脚的值将被锁存。
用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态,来选择在复位后的启动模式。
在从待机模式退出时,BOOT引脚的值将被被重新锁存;因此,在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置。在启动延迟之后,CPU从地址0x0000 0000
获取堆栈顶的地址,并从启动存储器的0x0000 0004
指示的地址开始执行代码。
因为固定的存储器映像,代码区始终从地址0x0000 0000
开始(通过ICode和DCode总线访问),而数据区(SRAM)始终从地址0x2000 0000
开始(通过系统总线访问)。Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量,即启动仅适合于从代码区开始(典型地从Flash启动)。STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制,系统可以不仅仅从Flash存储器或系统存储器启动,还可以从内置SRAM启动。
根据选定的启动模式,主闪存存储器、系统存储器或SRAM可以按照以下方式访问:
从主闪存存储器启动:主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000),但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它,即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问,0x0000 0000或0x0800 0000。
从系统存储器启动:系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000),但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000,其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
从内置SRAM启动:只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
用户闪存
栈区-变量地址
i=20000760
p=2000075c
str=20000750
堆区-动态申请地址
20000198
200001a8
.bss段
全局外部无初值 k2:20000004
静态外部无初值 k4:2000000c
静态内部无初值 m2:20000018
.data段
全局外部有初值 k1:20000000
静态外部有初值 k3:20000008
静态内部有初值 m1:20000014
常量区
文字常量地址 :08000318
文字常量地址 :08000324
代码区
程序区地址 :080001dd
系统储存模式
栈区-变量地址
i=20000760
p=2000075c
str=20000750
堆区-动态申请地址
20000198
200001a8
.bss段
全局外部无初值 k2:20000004
静态外部无初值 k4:2000000c
静态内部无初值 m2:20000018
.data段
全局外部有初值 k1:20000000
静态外部有初值 k3:20000008
静态内部有初值 m1:20000014
常量区
文字常量地址 :08000318
文字常量地址 :08000324
代码区
程序区地址 :080001dd
二、在Keil下完成一个汇编程序的编写
2.1.新建一个工程
参考https://blog.csdn.net/u010632165/article/details/106481146
采用的STM32F103C8
2.2.运行环境
ARM的CMSIS已经把开发所需要的软件组件都封装好了,因此直接选择即可;
1、CMSIS下选择CORE;
2、Device下Startup,其中包含了启动文件;
2.3.添加源文件
2.4.添加源文件
AREA MYDATA, DATA
AREA MYCODE, CODE
ENTRY
EXPORT __main
__main
MOV R0, #10
MOV R1, #11
MOV R2, #12
MOV R3, #13
;LDR R0, =func01
BL func01
;LDR R1, =func02
BL func02
BL func03
LDR LR, =func01
LDR PC, =func03
B .
func01
MOV R5, #05
BX LR
func02
MOV R6, #06
BX LR
func03
MOV R7, #07
MOV R8, #08
BX LR
2.5.仿真器设置
点options for target
选择Debug,Use Simulator,将下方的Dialog.DLL修改成DARMSTM.DLL,Parameter修改成-pSTM32F103C8(根据选的芯片来写)
2.6.编译调试
刚开始编译的时候出现
参考别人的解决方案链接,在前面加了个空格后改好
2.7.结果
Code:指程序中代码的字节数
RO-data:指程序中定义的常量字节数
RW-data :程序中已初始化的变量字节数
ZI-Data:程序中未初始化的变量字节数
可计算出flash和RAM的占用情况:
flash = Code + RO-data + RW-data
ram = RW-data + ZI-dat
用记事本打开hex文件
参考 HEX文件格式详解
第一行020000040800F2中,可以看做是0x02 0x00 0x00 0x04 0x08 0x00 0xf2,其前四个字节和最后一个字节有特殊含义。中间为数据
第一个0x02表示该行数据中有两个数据
第二个,第三个0x00 0x00表示本行数据的起始地址位
第四个字节有0x00 0x01 0x02 0x03 0x04 0x05,分别有以下含义
'00’Data Rrecord:用来记录数据,HEX文件的大部分记录都是数据记录
'01’文件结束记录:用来标识文件结束,放在文件的最后,标识HEX文件的结尾
'02’扩展段地址记录:用来标识扩展段地址的记录
'03’开始段地址记录:开始段地址记录
'04’扩展线性地址记录:用来标识扩展线性地址的记录
'05’开始线性地址记录:开始线性地址记录
最后一个字节0xf2为校验和。
校验和的算法为:
计算0xf2前所有16进制码的累加和(不计进位),检验和 = 0x100 - 累加和
三、用汇编程序完成 每间隔1秒钟闪烁一次LED的程序
3.1.代码及编译
用刚刚的工程修改代码,或者按照上述步骤新建一个工程(要把建工程时添加的Startup的驱动,把驱动文件的√去掉,不然会出现下列错误)
代码
LED0 EQU 0x40010c00
RCC_APB2ENR EQU 0x40021018
GPIOA_CRH EQU 0x40010804
Stack_Size EQU 0x00000400
AREA STACK, NOINIT, READWRITE, ALIGN=3
Stack_Mem SPACE Stack_Size
__initial_sp
AREA RESET, DATA, READONLY
__Vectors DCD __initial_sp ; Top of Stack
DCD Reset_Handler ; Reset Handler
AREA |.text|, CODE, READONLY
THUMB
REQUIRE8
PRESERVE8
ENTRY
Reset_Handler
BL LED_Init
MainLoop BL LED_ON
BL Delay
BL LED_OFF
BL Delay
B MainLoop
LED_Init
PUSH {R0,R1, LR}
LDR R0,=RCC_APB2ENR
ORR R0,R0,#0x04
LDR R1,=RCC_APB2ENR
STR R0,[R1]
LDR R0,=GPIOA_CRH
BIC R0,R0,#0x0F
LDR R1,=GPIOA_CRH
STR R0,[R1]
LDR R0,=GPIOA_CRH
ORR R0,R0,#0x03
LDR R1,=GPIOA_CRH
STR R0,[R1]
MOV R0,#1
LDR R1,=LED0
STR R0,[R1]
POP {R0,R1,PC}
LED_ON
PUSH {R0,R1, LR}
MOV R0,#0
LDR R1,=LED0
STR R0,[R1]
POP {R0,R1,PC}
LED_OFF
PUSH {R0,R1, LR}
MOV R0,#1
LDR R1,=LED0
STR R0,[R1]
POP {R0,R1,PC}
Delay
PUSH {R0,R1, LR}
MOVS R0,#0
MOVS R1,#0
MOVS R2,#0
DelayLoop0
ADDS R0,R0,#1
CMP R0,#330
BCC DelayLoop0
MOVS R0,#0
ADDS R1,R1,#1
CMP R1,#330
BCC DelayLoop0
MOVS R0,#0
MOVS R1,#0
ADDS R2,R2,#1
CMP R2,#15
BCC DelayLoop0
POP {R0,R1,PC}
; NOP
END
编译
3.2生成hex文件及烧录
编译生成hex文件
烧录