选型应用：CGH40025F 和 CG2H40025F的区别

前言

我们拿到CGH40025F和CG2H40025F很郁闷，为啥性能指标都很相近出两个型号，主要区别在哪？

这篇文章我们来了解下这两代区别。

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CGH40025F 和 CG2H40025F 是 MACOM Technology Solutions 生产的两款高电子迁移率晶体管 (HEMT)，它们在很多方面相似，但也有一些关键区别。

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共同点

1. 技术：两款器件均采用 GaN-on-SiC（氮化镓-碳化硅）技术，这种技术具有高效率、高功率密度和宽带宽的特点。
2. 频率范围：两者的工作频率范围相同，都在 DC - 4 GHz。
3. 电源电压：工作电压均为 28V。

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不同点

1. 封装类型：

   • CGH40025F：通常采用陶瓷封装（Flange Package），适用于需要高可靠性和优异热管理性能的应用。
   • CG2H40025F：采用塑料封装（Pill Package），这种封装通常在成本和热性能之间取得平衡。

2. 应用场景：

   • CGH40025F 更常用于需要更高封装可靠性的应用场景，如高功率放大器、雷达和卫星通信系统。
   • CG2H40025F 则更适用于成本敏感的应用，但仍需要高性能的 RF 和微波系统。

3. 标记和命名规则：

   • CGH40025F 和 CG2H40025F 的命名规则略有不同，其中 "H" 通常表示高可靠性封装，而 "2H" 表示第二代 HEMT 技术。

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具体参数比较

• 输出功率：两款器件的输出功率相似，都大约在 25W 左右。
• 增益：两者的增益相差不大，通常都在 16 dB 左右。
• 效率：两者的效率也相当，约为 55%。

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相关型号

• CGH40010F：10W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 6 GHz。
• CGH40035F：35W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 4 GHz。
• CGH40120F：120W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 3 GHz。
• CG2H40045F：45W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 4 GHz。
• CG2H40120F：120W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 3 GHz。
• CGH55030F：30W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 6 GHz。
• CGHV27030S：30W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 2.7 - 3.1 GHz。
• CGHV40050F：50W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 4 GHz。
• CGHV27060S：60W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 2.7 - 3.1 GHz。
• CGHV31500F：500W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 2.7 - 3.1 GHz。
• CGHV270120S：120W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 2.7 - 3.1 GHz。
• CGHV35060S：60W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 3.1 - 3.5 GHz。
• CGHV96050F2：50W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 9.6 GHz。
• CGHV1J006D：6W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 6 GHz。
• CGHV1J090D：90W RF 功率 GaN HEMT，频率范围为 DC - 6 GHz。

所以啊根据自己需求选择哈。