BP2832A替换芯联的CL1502的14W LED驱动电路

#摘要
BP2832A是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源，芯片内部集成500V功率开关,替换芯联的CL1502。
#设计

1. 负载选择：
   负载采用3014灯珠8并16串的方式，8路并联，每一路16颗灯珠串联的方式式如下图所示：
   
   3014灯珠正常工作时电流约为30mA，电压为2.8V到3.6V；由于串联电路电流处处相等，并联电路电流等于各支路之和求出电源的输出电流830mA=240mA,由于3014灯珠的电压范围为2.8V-3.6V，为保证整个电路的各项指标以3.5V进行设计，由于并联电路电压处处相等和串联电路电压等于各处电压之和求出电源输出电压为163.5V=56V。
2. 电路元器件选择：
   (1) 整流二极管选择，考虑到成本问题，可直接选用1N4007,其最大可重复峰值反向电压为1000V，最大正向平均整流电流为1A；
   (2) 滤波电容选择10uF/400V；
   (3) BP2832A周边电路选择：
   1) 电流采样电阻RCS的选择，根据BP2832A的说明书，有
   R_CS=400mV/I_peak =400mV/(2*240mA) = 0.83Ω (1)
   由于没有0.83Ω的电阻所以这里可以选择1.5Ω和1.8Ω的电阻并联代替，并联后的灯线电阻为0.82Ω；注意，一般此处选择的采样电阻比实际的略小。
   过压保护电阻Rovp的选择,上文我们计算得到正常工作时，LED的输出电压为56V，允许50%的过压，则
   V_vop = 56V * 1.5 = 84V，Rovp由下式决定：
   R_ovp = 15 * (L * 400mV)/(R_CS * V_vop ) * 10^6㏀ (2)
   得
   R_ovp = 15 * (L * 400mV)/(0.82Ω *84mV) 10^6 (3)
   电感感量为(3)式，由下面式子得：
   L = V_LED * (V_in -V_LED)/(f * I_peak V_in ) (4)
   式子(4)中，Vin为母线上的电压，本文中母线上的电压1751.414V~2651.414V，实际设计按照最小取值为
   175 * √2 ≈ 247V；f为开关管的开关频率，在设计时应远离人的听觉感知频率，所以此频率应大于20㎑，本方案中选取50㎑进行设计，如果在设计过程中出现绕线匝数骨架绕不下的情况可适当调高此频率以减少绕线匝数，将以上参数代入(4)式中得
   L = (56 * (247 - 56))/(50㎑ * 0.48 * 247) ≈ 1.80mH (5)
   将(5)式中结果带入(4)式中可得R_ovp = 157㏀，实际采用0805封装精度5%的电阻，其阻值在160㏀左右即可。
   BP2832A供电电阻的选择比较灵活，此处直接采用两个750㏀，精度5%的、封装0805的的电阻串联。

BP2832A供电端滤波电容主要用于抑制电磁干扰，直接选用1uF的贴片电容即可。
输出端整流二极管的选择：
由于电源的工作频率较高，为了提高电源的转化效率此处应该采用反应速度快的超快速恢复整流二极管(肖特基二极管)。主要指标为最大峰值反向电压，该电压
一般选择为母线电压的1.3倍以上。综合考虑，此处采用ES1J(600V/1A)，其最大反向峰值电压为600V，最大反向恢复时间为35ns。
输出电感的选择：
由于日光灯尺寸的局限性，此处只能采用16mm以下的骨架，综合分析PC40材质的EPC13可以承受14W的功率；而由于(5)式可知电感量为1.80mH，由安培环路定理和电磁感应定律，对一密闭匀强磁场有：
Φ = N ⋅ L ⋅ i = B ⋅ S (6)
式中Φ为磁芯中的磁通量，N为线圈的匝数，L为线圈的感量，i流过线圈的电流，B为线圈中磁场的磁感应强度，S有效磁芯截面积；当流过线圈的电流i发生变化时磁通量也跟着发生变化，假设开关管导通时，流过线圈的电流变化量为∆i对应的磁通量变化为∆Φ由(6)式有
∆Φ =N ⋅ L ⋅∆i (7)
假设此过程中，电流的变化引起的磁感应强度的变化没有引起磁通饱和，则依（6）式有
∆Φ = ∆B ⋅ S (8)

结合(7)(8)两个式子，并将S用Ae替代，再考虑到BP2832A工作于临界状态时其导通电流从0增加到最大值，故有∆i = I_peak其中Ipeak为电感峰值电流，由(6)式可得
N= L × I_peak/(∆B × A_e) (9)
式(9)中∆B为电流变化引起的磁感应强度的变化，通常称为磁通摆幅，设计中允许的磁通摆幅不同线圈匝数也不同；开关电源工作时，高频变压器磁芯中的温度都比较高，故计算磁通摆幅通常选择100℃时的参数进行计算，PC40材质的EPC13在100℃时饱和磁通密度B_S = 390mT，剩余磁通密度B_r = 55mT；实际设计取∆B = (60%~90%) × 〖(B〗_s-B_r) = 0.201T ~ 0.3T，带入(9)式，可得N = 230 ~ 344匝，线圈的匝数并不唯一可以取230~340匝，通常情况下磁通摆幅余量应尽可能多，这样就会导致线圈匝数的增加，进而导致成本上升甚至变压器尺寸限制而绕不下，所以具体绕制匝数多少应视成本及电源指标而定。
输出滤波电容选择：
非隔离电路对输出滤波电容的要求没有隔离电路那么严格，本设计采用电容容量4.7μF左右即可；由于母线电压高达373V，故电解电容的耐压值应比373V略大，此处用2.2μF/400V的电解电容。
假性负载的选择：
假性负载选择一般以整机正常工作时其消耗的功率不超过5‰为宜；此处采用0805封装，精度为5%，阻值为200K的电阻。
最终电路原理图：

实际测试结果：

14W非隔离式LED驱动电源输入输出关系
输入电压(V) 输出电流(A) 效率 功率因数PF
175
220
265