内存技术——SDRAM 的逻辑 Bank 与芯片容量表示方法

        内存芯片寻址的基本原理：和表格的检索原理一样，先指 定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格。

        对于内存，这个单元格可称为存储单元，这个表格（存储阵列）就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称 L-Bank）。

        

         由于 SDRAM 的工作原理限制，单一的 L-Bank 将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。所以人们在 SDRAM 内部分割成多个 L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是 4 个，这也是 SDRAM 规范中的最高 L-Bank 数量。到了 RDRAM 则最多达到了 32 个，在最新 DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank 的数量也提高到 了 8 个。

        这样，在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank，然后再在这个选定的 L-Bank 中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个 L-Bank 工作，而每次与北桥交换的数据就是 L-Bank 存储阵列中一个“存储单元”的容量。

        SDRAM 内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是 L-Bank 的位宽），但要注意，这种关系也仅对 SDRAM 有效。

         内存芯片的容量：内存芯片的容量就是所有 L-Bank 中的存储单元的容量总合。

        存储单元数量 = 行数×列数（得到一个 L-Bank 的存储单元数量）× L-Bank 的数量；

        在很多内存产品介绍文档中，都会用 M×W 的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。 M 是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写 M，精确值是 1048576（2^20），而不是 1000000），W 代表每个存储单元的容量，也就是 SDRAM 芯片的位宽（Width），单位是 bit。

        比如 8M×8，这是一个 8bit 位宽芯片，有 8M 个存储单元，总容量是 64Mbit（8MB）。

        与芯片位宽相关的DIMM设计：为什么在相同的总容量下，位宽会有多种不同的设计呢？这主要是为了满足不同领域的需要。现在大家已经知道 P-Bank 的位宽是固定的，也就是说当芯片位宽确定下来后，一个 P-Bank 中芯片的个数也就自然确定了，而前文讲过 P-Bank 对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯 片可以让 DIMM 的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种 DIMM 的容量就肯定 比不上采用低位宽芯片的模组，因为后者在一个 P-Bank 中可以容纳更多的芯片。

        比如上文中那个内存芯片容量标识图，容量都是 128Mbit，合16MB。如果 DIMM 采用双 P-Bank+16bit 芯片设计，那么只能容纳 8 颗芯片（位宽64bit，芯片位宽16bit，则需4颗，双P-Bank则共需8颗），计128MB。但如果采用 4bit 位宽芯片，则可容纳 32 颗芯片，计 512MB。DIMM 容量前后相差出 4 倍，可见芯片位宽对 DIMM 设计的重要性。

        因此，8bit 位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性 较好的选择，所以在市场上也最为普及，而高于 16bit 位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡 等，至于 4bit 位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的 Unbuffered 模组设计 中出现。