【计算机组成原理】详细分析RAM、RRAM、SRAM以及DRAM 的基本知识

本文详细介绍了RAM(包括SRAM和DRAM)以及新型的非易失性存储器RRAM的特点,比较了它们在易失性、读写速度、能耗、数据稳定性、刷新需求、可靠性、技术发展趋势、存储密度和功耗等方面。指出RRAM有潜力成为下一代存储技术的主力。
摘要由CSDN通过智能技术生成

前言

此知识点常出现在408或者是软考中,对该知识点详细补充

1. 基本知识

  • RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)
    用于临时存储数据以供CPU快速访问的存储设备
    是计算机中的主要内存,用于存储运行中的程序和数据
    易失性存储器,这意味着当电源关闭时,其中的数据会被清除

  • RRAM(Resistive Random-Access Memory,阻性随机存取存储器)
    一种新型的非易失性存储器技术
    基于电阻变化,通过调整材料中的电阻状态来存储数据
    RRAM相比于传统的闪存技术具有更快的读写速度和更低的能耗,因此被广泛认为是下一代存储技术的潜在候选者之一

  • SRAM
    每个存储单元由多个触发器构成,每个触发器可以存储一个位,因此 SRAM 速度较快
    存储单元不需要刷新,因为数据存储在触发器中,只要电源保持稳定,数据就会一直保持
    由于其简单的存储单元结构,读写速度比较快,而且不需要刷新操作,因此功耗相对较低

  • DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)
    一种常见的RAM类型,使用一种称为电容的存储单元来存储数据
    需要定期刷新以保持数据的有效性,因为电容会逐渐失去电荷
    这种刷新操作会消耗额外的能量,并且可能会导致一定程度的性能损失

2. 差异之处

以下是这三种存储器的一些基本差异:

特征RAM(随机存取存储器)RRAM(阻性随机存取存储器)DRAM(动态随机存取存储器)
易失性
读写速度一般通常较快一般
能耗一般通常较低一般
数据稳定性不稳定稳定不稳定
刷新需求不适用不适用需要定期刷新
制造成本一般可能较高一般
主要用途主内存、缓存下一代存储技术主内存

补充另外的一些方面:

  • 可靠性:在工作环境中,RAM和DRAM的稳定性可能会受到电压波动、温度变化等因素的影响,而RRAM通常更能抵抗这些外部干扰,因此在一些对可靠性要求较高的应用中可能更受青睐
  • 技术发展:虽然DRAM是目前主流的内存技术,但RRAM等新型存储技术正在不断发展。随着技术的成熟和推广,这些新型存储技术可能会在未来取代传统的DRAM,成为主流的内存类型
  • 存储密度:RRAM通常具有更高的存储密度,这意味着相同的物理空间可以存储更多的数据,这对于大容量存储设备的设计和制造具有重要意义
  • 功耗:由于RRAM通常具有更低的能耗,因此在移动设备和电池供电设备中可能更具吸引力,可以延长电池寿命并提高设备的续航能力
  • 数据保持时间:RRAM通常具有更长的数据保持时间,意味着它可以更长时间地保持存储的数据而不需要刷新操作,这对于一些需要长期存储数据的应用非常重要
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