DRAM的基本command简单介绍

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  DRAM的通用的基本command如下表

命令 描述 remark
ACT 打开某个bank里面的一条行地址
PRE 关闭某个bank(没有行地址信息)
REF 刷新(没有任何地址信息)
SRE 进入自刷新模式
SRX 退出自刷新模式
WRT 对column地址进行写动作
RDT 对column地址进行读动作
PDE/X 进入/退出power down模式
Others 其他辅助性的command

最基本的操作是ACT–>WRT–>RDT–>PRE。其他的command基本算是辅助性的动作，确保ACT–>WRT–>RDT–>PRE的动作是准确无误的。当然像SRE/SRX/PDE/PDX等不是为了确保访问没问题，而主要是为了功耗上面的考虑。

1. REF细分的话，会分为REFAB/REFSB/REFPB等等。DDR5之前的DDR系列，就只有REFAB一种command.到了DDR5才有细分。LPDDR系列却基本都有REFPB的command来support更高的performance跟更低的功耗。
2. SRE/SRX : 进出self-refresh模式的command。进入self-refresh之后，主要是internal的refresh还会以counter base内部自己进行刷新确保array data，其他能power off/clk off都都尽量会做到off掉来节省功耗
3. PDE/PDX: powerdown进出。主要也是为了省电做的。跟SR的差别是PD mode下不确保retention。所以系统如果用PD mode来省电，就需要反复进出PD，退出PD的时候一般也需要加上一笔REF command来确保retention。而系统使用SR来省电的时候，不需要担心array retention的问题。那么为何还要用PD mode呢？用SR岂不是对控制器要求更简单？但是因为SR关掉的东西更多，所以SRX退出SR的时间会更长，而powerdown mode可以做到快进快出。仔细研究spec，就可以看出timing上的差异。Controller再无法判断接下来是有traffic要发生还是没有的时候，可能会优先选择进PD mode来省电，这样当有traffic来临时候，DRAM能快速响应，从而可以减少latency(latency也是反应performance的一个主要指标). 而如果BUS或者master上有一些sideband信号可以告诉controller，比如告诉控制器，我要进S4了，我要进入deep idle了，那么这个时候controller收到来自bus的sideband信号的flag后，就会考虑让DRAM进入SR mode，从而达到进一步的省电。
4. Others: 这些command主要是一些辅助性的功能。MRW/MRR:主要是对模式寄存器的一些访问改写操作。模式寄存器用来对DRAM的feature/mode/config等进行配置。MPC就主要对一些额外的功能进行实现. 还有些针对性的特别的command，比如DDR5新增的VrefCA/VrefCS command. 这些后面study DRAM training sequence的时候会或多或少的被讨论到。