升压型MPPT

近期开发了一个项目：升压型MPPT，采用了STM32G4系列的单片机，记录一下其中遇到的坑。

主要遇到的坑有以下几点：

1、死区的添加。在这个项目中，采用的是基础的BOOST的电路，为了提升效率，不被肖特基二极管损耗功率以提升转换效率，采用两个MOS管输出互补PWM，即可完成。

在这种设计中，一个MOSFET用于切断输入，另一个MOSFET用于将储存在电感中的能量转移到输出。这两个MOSFET在不同的时间工作，防止同时导通。由于两个MOSFET之间的开关转换需要一段时间，这段时间被称为死区时间。

如果MOSFET在PWM驱动信号的上升和下降边沿没有死区的话，那么会有可能导致瞬时的同时导通现象，即所谓的shoot-through，这将会导致很大的电流穿过MOSFET，可能会破坏MOSFET甚至损坏电路。为了避免这种情况，一般都需要引入一段很短的死区来确保MOSFET之间的安全切换。

如果这两个MOSFET是完全互补工作的，死区的时间应该叠加在导通部分，也就是升压作用的MOS在由高电平转换成低电平过一段死区的时间后，导通作用的MOS才会打开（即升压MOS高电平的时间小于导通MOS低电平的时间），这样可以防止在能量存储阶段出现shoot-through。

2、电流尖峰处理

由于需求的需要，在升压的MPPT上可能会出现先接入电池后前端升压的用户场景。导致直接输出互补的占空比会导致电池电流从导通端MOS反灌导致MOS损坏，甚至驱动电阻损耗，如图1所示（蓝色波形为抓到的电流尖峰，黄色、粉色波形分别升压MOS和导通MOS输出Vgs的互补波形）。所以修改驱动方案，采用的方案是升压完毕到足够的电压后（或者升压足够长的时间）再使能上管，转换为互补模式，能够成功完美解决这个电流尖峰的问题

图1

升压完毕到足够的电压后后再使能上管，转换为互补模式的方案（实现方式见新的博客-名称暂定）会发现，在切换为互补模式的瞬间，能发现有一个较大的向上电流尖峰，例如图2，或是有个向下的电流尖峰，例如图3-1、图3-2（粉紫色为电流波形，黄色为升压端MOS的Vgs，青色为导通端MOS的Vgs，蓝色是升压端MOS-Vds的信号）。

分析了一下电路原因，判断切换时先开启的是升压MOS则会出现电流向上突增的波形。先开启是导通MOS则出现的是电流向下突增的波形，出现向下的电流尖峰例如图3-1，反之，如果在切换后的第一个时刻升压的MOS时间开启的时间远大于升压MOS导通的时间时间则为图2的样子。可以发现，电流方向向下时，是导通MOS为导通的状态，而电流向下则是，升压MOS导通时。例如图3-2。

为解决较大尖峰问题，目前采用的方案是马上将占空比进行赋值，值的大小为所对应输入最高电压升压到目标电压所对应占空比的大小。否则会出现近40A的瞬间电流，如果占空比赋值的大小小于对应电压挡位所需要的占空比（假设升压到48V，占空比为10%，你赋值占空比值9.5%）则会产生向上相对较小并且向上的电流尖尖波形，反之则会出现电流向下的尖尖波形。

图2

图3-1

图3-2

当遇到故障情况（输入电压异常、输出电压异常等），此时需要立马将MOS全关，此时也会出现电流尖峰，如图4粉色部分的电流波形。

解决方案：利用单片机的刹车信号BREAK进行关闭，在触发故障时，将DAC输入的电压降低，使得电路触发单片机的刹车信号，再故障解除后再重新恢复DAC电压，使得不再触发刹车信号恢复正常驱动逻辑。

图4

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项目里有几个点需要留意：
1、为了满足占空比值增加为升压的逻辑。由于STM32中，死区的添加是固定添加在CHN端的，硬件设计中，单片机PWM的CH端是加在导通作用的MOS，PWM的CHN端加在升压作用的MOS。导致需要占空比赋值需要进行进行反向操作。为了符合逻辑，占空比越大输出的电压越大，将以STM32_CubeMX的配置为例：将PWM的输出模式改为PWM_Mode 2模式。这样能够毕竟符合正向的逻辑。

2、ADC采样出来的值浮动很大。由于高频的MOS切换导致电路的ADC采样电压十分的杂乱，只能取样相对稳定的位置进行ADC的电压判断，例如“连续模式图片”(蓝色波形为ADC的电压值)。实现方式见新的博客-名称暂定）

3、电感在空载时发热严重（估计得有80°）。一共两个点，一、电感感量选取的不对，二、电感的材料选择的不对。（待确定）

解决方案：将之前所使用的铁氧体的电感更换为铁硅铝的材料，并选取较大的电感量。电感的计算方式（待补充）。当前是用公式

一、在开关电源中，另一种工作模式就是连续导电模式（Continuous Conduction Mode, CCM）。与断续导电模式不同，连续导电模式下，电感器的电流在整个开关周期内都保持大于零，也就是说电感电流不断电。

具体运作机制如下：

1. 开关导通（即开启）时：电源给电感“充电”，电源电流行进经过开关、电感，流入输出端。这个过程中，电感器储存能量。

2. 开关关闭时：电感开始“放电”，即向加载释放之前储存的能量，电流通过电容和负载流出电感。                                                                                                                                       

在连续导电模式下，由于电感电流从未中断，因此电感电流的波形通常是一个锯齿波形。而且由于这种模式下电感电流一直存在，这不但减小了输出电压的波动，也降低了电源的噪声。

连续模式

二、"断续模式"相关的电流主要描述的是电感器的电流。在开关电源中，一种常见的工作模式就是所谓的断续导电模式（Discontinuous Conduction Mode, DCM）。在这种模式下，电感的电流在一个开关周期内的部分时间会降到零。这主要发生在负载电流较小的情况下。

断续模式中的电感“充电”和“放电”可以这样理解：

        1、开关打开（导通）时，输入电源给电感“充电” ，即电源电流通过开关流入电感，电感储存能量，这就好比在给一个弹簧压紧储存能量。

        2、开关关闭（断开）时，电感开始“放电”，之前储存在电感中的能量会释放出来，电流通过电容和负载流出电感，这个过程就像释放了之前被压紧的弹簧。

如果负载电流小到在一个开关周期内电感完全释放完能量（电感电流降到0），那么这个开关电源就工作在断续模式。

断续模式

4、出现Vgs还在低电平状态下Vds以及到达高电平状态（零电压软开关？）求解释

百度安全验证https://baijiahao.baidu.com/s?id=1757233317086443349&wfr=spider&for=pc

5、在导通MOS关闭，只有升压MOS输入占空比时，Vds的波形看奇怪。（青色为Vds,Vgs为低电平）

参考这个我还没读太懂干货 从电感工作模式认识反激式电源的准谐振工作 - 电感工作模式, 反激式电源 - 中电网同样在电感去磁时，只要满足施加恒定直流电压，那么，电流是按照线性减小的，同样电感电流和关断时间也是一次函数关系，只不过去磁电压和励磁电压方向相反，斜率为负，电流减小，稳定情况下，增加量=减小量，下面我们再认识一下电感的非稳态和稳态工作状态。https://design.eccn.com/design_2022110310462214.htm

6、出现过MOS尖峰很高，参考下面这个，当时更换了驱动电阻、添加电阻电容、肖特基二极管有改善
MOS管波形异常的解决方法，掌握这5点就够了！https://www.naiyuankj.com/index.php/new/index/g/c/id/570.html

引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法_mos管栅极脉冲波形-CSDN博客文章浏览阅读4.4k次，点赞2次，收藏21次。引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法_mos管栅极脉冲波形https://blog.csdn.net/Aa2501085934/article/details/130702395