引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法

当我们使用单片机引脚驱动mos管时(如图一)

(图一)

可能会出现以下波形,

 

出现该现象的是因为

在mos管的栅极和源极之间有一个寄生电容,同时在芯片的引脚和栅极之间的pcb走线有一个寄生电感,两者就会组成一个LC振荡电路

这个振荡电路会导致mos管输出波形有振荡

为了抑制这个振荡,我们首先需要加一个电阻

 ,但注意这个电阻不能太大,不然会导致另一个问题:电流过小电容充放电很慢,出现以下波形。

一般最多30Ω,当然,在能抑制振荡的前提下越小越好,减少无效的损耗。

然后,我们还需要加一个二极管,用来加快mos管关闭的速度,因为加了电阻后电容放电减慢,影响mos管关闭速度,至于为什么不加快电容充电速度——因为充电速度已经够快了,mos管可以立刻打开,不用管。

 加上二极管后如图:

注意:一般选择肖特基二极管,因为压降小。

以上就是引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法,感谢阅读。

参考视频:网友设计的无刷电机驱动板,主控是STM32,让我帮他看下,历时三天出了这期分析视频_哔哩哔哩_bilibili

<think>好的,用户想了解MOS管自举式驱动电路的PCB设计,我得先回忆一下相关知识。自举电路通常用于高端驱动,确保MOS管在导通栅极电压足够。首先,可能需要解释自举的基本原理,比如在H桥或者半桥应用中,如何通过电容和二极管来维持栅极电压。 接下来,PCB设计的关键点有哪些呢?用户可能关心布局、走线、噪声抑制这些问题。比如,自举电容的位置应该靠近驱动芯片和MOS管,减小寄生电感。还有,高频环路面积要小,避免干扰。地线分割和单点接地可能也很重要,特别是功率地和信号地的处理。 用户可能是在设计电源或者电机驱动电路,遇到自举电路不稳定或者效率不高的问题。需要强调元件选型,比如快速恢复二极管的选择,电容的耐压和容量。另外,驱动电阻和栅极电阻的取值也很关键,影响开关速度和损耗。 还要注意热设计,大电流路径的走线宽度是否足够,是否需要加散热孔或者铜箔。可能还要提到测试中的注意事项,比如用示波器观察自举电容的电压是否稳定,是否有电压跌落导致MOS管无法完全导通的情况。 另外,是否需要考虑隔离和噪声问题?比如在布局,高压部分和低压控制部分要保持距离,避免耦合干扰。可能还需要使用保护器件,比如TVS二极管,防止电压尖峰损坏元件。 总结一下,回答的结构应该先介绍自举电路的作用,然后分点讲解PCB设计的注意事项,包括布局、走线、元件选型、地线处理、热管理和测试验证。这样用户能系统地了解设计要点,避免常见错误。</think>MOS管自举式驱动电路是一种常用于半桥或全桥拓扑的高端MOS管栅极驱动方案,其核心是通过自举电容和二极管实现栅极电压的提升,确保高端MOS管能可靠导通。在PCB设计中,需特别注意以下关键点: --- ### **1. 自举电路基本原理** - **功能**:在高端MOS管(上管)导通,利用自举电容储存电荷,为后续驱动提供高于电源的电压(如VCC+12V),确保栅极充分导通。 - **组成**:自举电容(C_boot)、快恢复二极管(D_boot)和驱动IC(如IR2110)是核心元件。 --- ### **2. PCB设计关键要点** #### **(1) 布局优化** - **自举电容就近放置**:将C_boot和D_boot尽量靠近驱动IC和高端MOS管,缩短高频环路路径,降低寄生电感(如图1中的红色环路)。 - **驱动回路分区**:将驱动电路与功率电路分离,避免大电流路径干扰敏感信号。 #### **(2) 走线设计** - **低寄生电感路径**: - 驱动IC的HO(高端输出)到MOS管栅极的走线尽量短且宽(如20-50mil),减少开关损耗和振荡。 - 自举二极管(D_boot)的阴极到VCC和自举电容的走线需短直,避免电压跌落。 - **敏感信号保护**: - 栅极驱动信号(HO、LO)避免平行于高di/dt路径(如功率电感或开关节点),防止耦合噪声。 #### **(3) 地线处理** - **功率地与信号地分离**: - 驱动IC的信号地(COM)与功率地(PGND)通过单点连接(如0Ω电阻或磁珠),避免噪声回流。 - 自举电容的接地端直接连接到驱动IC的COM引脚,而非功率地。 #### **(4) 关键元件选型与布局** - **自举电容**:选择低ESR的陶瓷电容(如X7R,容值0.1-10μF),耐压需高于电源电压(如VCC+15V)。 - **快恢复二极管**:反向恢复间需极短(如UF4007或肖特基二极管),反向耐压高于电源电压。 #### **(5) 开关节点(VS)处理** - VS引脚(连接高端MOS管源极)是自举电容的充电回路关键点: - 确保VS到驱动IC的走线短且粗,避免因寄生电感导致电压尖峰。 - 若使用半桥结构,VS通常连接半桥中点(开关节点),需远离栅极信号。 #### **(6) 噪声抑制** - **栅极电阻配置**:在驱动输出端串联小电阻(如5-20Ω),并联反向二极管(如1N4148),抑制栅极振荡。 - **RC缓冲电路**:在开关节点(如半桥中点)添加RC Snubber(如10Ω+1nF),吸收电压尖峰。 --- ### **3. 热设计与电流路径** - **功率路径加粗**:高端MOS管的漏极(高压输入)和源极(VS)走线需足够宽(如2oz铜厚,50-100mil),减少导通损耗。 - **散热处理**:大电流MOS管下方放置散热过孔阵列,并连接至背面铜箔散热。 --- ### **4. 验证与测试** - **自举电容电压监测**:用示波器观察V_boot波形,确认在开关周期内无过度跌落(需高于MOS管的V_GS阈值)。 - **死区间检查**:确保驱动信号的死区间(Dead Time)设置合理,避免上下管直通。 --- ### **示例PCB布局示意图** ``` [驱动IC]───短走线─┬─[D_boot]─┬─[C_boot]─┬─GND(COM) │ │ │ HO───────→栅极电阻─→[高端MOS管] VS←───────半桥中点(开关节点) ``` 通过合理布局和走线优化,可显著提升自举驱动电路的可靠性和抗干扰能力。实际设计中建议参考芯片手册的布局示例,并结合仿真工具(如LTspice)验证关键节点波形
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