STM32标准库+HAL库 | CPU片内FLASH存储器数据掉电读写

奔跑的蜗牛！

已于 2024-06-20 12:21:20 修改

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分类专栏： STM32系列经验教程文章标签： stm32 嵌入式硬件 mcu arm开发

于 2024-04-16 17:07:23 首次发布

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一、片内FLASH

在STM32芯片内部有一个FLASH存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中，由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部FLASH中加载代码并运行。

从下图所示的官方数据手册可知，STM32的Flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的Flash大小，不同的芯片Flash大小不同，FLASH一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失。RAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小，不同的芯片RAM也不同，是MCU的内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等，掉电数据丢失。

对FLASH进行操作时，有必要提前知道FLASH的内存大小，方便后面芯片选型和开发过程中对FLASH数据读写，掉电保存等操作。如下图可知，STM32内部FLASH的容量类型可根据它的型号名确定，本次HAL库使用的STM32G431RBT6芯片，其FLASH空间大小为128KB；标准库使用的是STM32F407VET6芯片，其FLASH空间大小为512KB。

如下图所示，是从某元器件商城查询到的常用AT24C02及W25Q16系列存储器的价格，如果只是做单个原型设备，那么一个小存储器芯片的价格可能是不痛不痒的，但对能进行大批量生产的电子产品，成本压缩几毛钱，都能创造一笔不菲的收入，甚至节约下来的成本可以供很多工程师的月工资。因此对于数据存储量不是很大的设备产品，就可以考虑直接使用MCU内置的FLASH进行数据掉电存储读写。

因此如果MCU内部FLASH存储了应用程序后还有剩余的空间，我们可以把它像外部SPI-FLASH那样利用起来，存储一些程序运行时产生的需要掉电保存的数据。由于访问内部FLASH的速度要比外部的SPI-FLASH快得多，所以在紧急状态下常常会使用内部FLASH存储关键记录；为了防止应用程序被抄袭，有的应用会禁止读写内部FLASH中的内容，或者在第一次运行时计算加密信息并记录到某些区域，然后删除自身的部分加密代码，这些应用都涉及到内部FLASH的操作。

二、FLASH读写编程思路

1、写Flash思路

0、确定写数据地址

1、FLASH解锁

2、擦除待写区域数据

3、写入数据

4、FLASH上锁

写Flash时会用到的HAL库API接口：

//对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列；有解锁当然就有上锁，为了保护Flash，读写和擦除全部完需要的Flash空间后，需要上锁操作。
//FLASH解锁
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);

//擦除数据
void FLASH_PageErase(uint32_t Page, uint32_t Banks);
void FLASH_MassErase(uint32_t Banks);

//写数据
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data);
void FLASH_Program_Fast(uint32_t Address, uint32_t DataAddress);

//FLASH上锁
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

写FLASH时的标准库API接口：

//FLASH解锁
void FLASH_Unlock(void);

//擦除数据
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Sectors(uint8_t VoltageRange);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Sectors(uint8_t VoltageRange);

//写数据
FLASH_Status FLASH_ProgramDoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data);

//FLASH上锁
void FLASH_Lock(void);

提醒：同一个库的不同版本，API的命名也能会有变动。不同芯片其库内的函数封装也可能存在差异。

2、读Flash数据

1、确定读数据地址

2、指针偏移间接读取

3、读取数据成功

三、HAL库FLASH读写

①、flash.c

#include "flash.h"



//STM32G431RBT6的FLASH为128KB，因此FLASH地址起始地址:0x0800 0000,结束地址是:0x0802 0000

/**
  * @brief  HAL库版写一个uint64_t类型的数据
  * @param  addr: 存储数据的地址
  * @param  data: 写入的数据
  * @retval 成功返回0， 失败返回-1
  */
int Flash_HAL_Write_Data(uint32_t addr, uint64_t data)
{
    //1、FLASH解锁
    HAL_FLASH_Unlock();
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    //2、FLASH擦除
    FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //页擦除
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1;
    EraseInitStruct.Page = 15-1;    //从第几个页开始擦除（0开始）
    EraseInitStruct.NbPages = 5;    //擦除多少个页
    uint32_t PageError = 0;            //记录擦除出错时的起始地址
    if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)!=HAL_OK)
    {
        printf("FLASH擦除出错,开始出错地址:%#x\r\n", PageError);
        return -1;
    }
    //3、FLASH写入
    if(HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr, data)!=HAL_OK)
    {
        printf("FLASH写入失败\r\n");
        return -1;
    }
    //4、FLASH上锁
    HAL_FLASH_Lock();
    return 0;
}

/**
  * @brief  HAL库版写N个uint64_t类型的数据
  * @param  addr: 存储数据的地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval 成功返回0， 失败返回-1
  */
int Flash_HAL_Write_N_Data(uint32_t addr, uint64_t *data, uint16_t num)
{
    //1、FLASH解锁
    HAL_FLASH_Unlock();
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);
    
    //2、FLASH擦除
    FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //页擦除
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_1;
    EraseInitStruct.Page = 15-1;    //从第几个页开始擦除（0开始）
    EraseInitStruct.NbPages = 5;    //擦除多少个页
    uint32_t PageError = 0;            //记录擦除出错时的起始地址
    if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)!=HAL_OK)
    {
        printf("FLASH擦除出错,开始出错地址:%#x\r\n", PageError);
        return -1;
    }
    //3、FLASH写入
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        if(HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr, data[i])!=HAL_OK)
        {
            printf("FLASH写入失败\r\n");
            return -1;
        }
        addr += sizeof(uint64_t);
    }
    //4、FLASH上锁
    HAL_FLASH_Lock();    
    return 0;
}

/**
  * @brief  HAL库版读取N个uint64_t类型的数据
  * @param  addr: 读取数据的地址（用户空间的地址）
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval NONE
  */
void Flash_HAL_Read_N_Data(uint32_t addr, uint64_t *data, uint32_t num)
{

    for(uint32_t i=0; i<num; i++)
    {
        data[i] = *(volatile uint64_t*)addr;
        addr += sizeof(uint64_t);//根据读取的数据类型进行内存地址递增
    }
}

/**
  * @brief  HAL库版读取N个uint8_t类型的数据
  * @param  addr: 读取数据的地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval NONE
  */
void Flash_HAL_Read_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint32_t num)
{

    for(uint32_t i=0; i<num; i++)
    {
        data[i] = *(volatile uint8_t*)addr;
        addr += sizeof(uint8_t);//根据读取的数据类型进行内存地址递增
    }
}

②、flash.h

#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H

#include "stm32g4xx_hal.h"
#include <stdio.h>
#include <string.h>
#include <stdlib.h>
//STM32G431RBT6的FLASH大小为128KB，只有63个页
#define ADDR_FLASH_PAGE_0     ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Page 0, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_1     ((uint32_t)0x08000800) /* Base @ of Page 1, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_2     ((uint32_t)0x08001000) /* Base @ of Page 2, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_3     ((uint32_t)0x08001800) /* Base @ of Page 3, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_4     ((uint32_t)0x08002000) /* Base @ of Page 4, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_5     ((uint32_t)0x08002800) /* Base @ of Page 5, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_6     ((uint32_t)0x08003000) /* Base @ of Page 6, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_7     ((uint32_t)0x08003800) /* Base @ of Page 7, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_8     ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Page 8, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_9     ((uint32_t)0x08004800) /* Base @ of Page 9, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_10    ((uint32_t)0x08005000) /* Base @ of Page 10, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_11    ((uint32_t)0x08005800) /* Base @ of Page 11, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_12    ((uint32_t)0x08006000) /* Base @ of Page 12, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_13    ((uint32_t)0x08006800) /* Base @ of Page 13, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_14    ((uint32_t)0x08007000) /* Base @ of Page 14, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_15    ((uint32_t)0x08007800) /* Base @ of Page 15, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_16    ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Page 16, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_17    ((uint32_t)0x08008800) /* Base @ of Page 17, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_18    ((uint32_t)0x08009000) /* Base @ of Page 18, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_19    ((uint32_t)0x08009800) /* Base @ of Page 19, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_20    ((uint32_t)0x0800A000) /* Base @ of Page 20, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_21    ((uint32_t)0x0800A800) /* Base @ of Page 21, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_22    ((uint32_t)0x0800B000) /* Base @ of Page 22, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_23    ((uint32_t)0x0800B800) /* Base @ of Page 23, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_24    ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Page 24, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_25    ((uint32_t)0x0800C800) /* Base @ of Page 25, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_26    ((uint32_t)0x0800D000) /* Base @ of Page 26, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_27    ((uint32_t)0x0800D800) /* Base @ of Page 27, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_28    ((uint32_t)0x0800E000) /* Base @ of Page 28, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_29    ((uint32_t)0x0800E800) /* Base @ of Page 29, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_30    ((uint32_t)0x0800F000) /* Base @ of Page 30, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_31    ((uint32_t)0x0800F800) /* Base @ of Page 31, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_32    ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Page 32, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_33    ((uint32_t)0x08010800) /* Base @ of Page 33, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_34    ((uint32_t)0x08011000) /* Base @ of Page 34, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_35    ((uint32_t)0x08011800) /* Base @ of Page 35, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_36    ((uint32_t)0x08012000) /* Base @ of Page 36, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_37    ((uint32_t)0x08012800) /* Base @ of Page 37, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_38    ((uint32_t)0x08013000) /* Base @ of Page 38, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_39    ((uint32_t)0x08013800) /* Base @ of Page 39, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_40    ((uint32_t)0x08014000) /* Base @ of Page 40, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_41    ((uint32_t)0x08014800) /* Base @ of Page 41, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_42    ((uint32_t)0x08015000) /* Base @ of Page 42, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_43    ((uint32_t)0x08015800) /* Base @ of Page 43, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_44    ((uint32_t)0x08016000) /* Base @ of Page 44, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_45    ((uint32_t)0x08016800) /* Base @ of Page 45, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_46    ((uint32_t)0x08017000) /* Base @ of Page 46, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_47    ((uint32_t)0x08017800) /* Base @ of Page 47, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_48    ((uint32_t)0x08018000) /* Base @ of Page 48, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_49    ((uint32_t)0x08018800) /* Base @ of Page 49, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_50    ((uint32_t)0x08019000) /* Base @ of Page 50, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_51    ((uint32_t)0x08019800) /* Base @ of Page 51, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_52    ((uint32_t)0x0801A000) /* Base @ of Page 52, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_53    ((uint32_t)0x0801A800) /* Base @ of Page 53, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_54    ((uint32_t)0x0801B000) /* Base @ of Page 54, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_55    ((uint32_t)0x0801B800) /* Base @ of Page 55, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_56    ((uint32_t)0x0801C000) /* Base @ of Page 56, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_57    ((uint32_t)0x0801C800) /* Base @ of Page 57, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_58    ((uint32_t)0x0801D000) /* Base @ of Page 58, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_59    ((uint32_t)0x0801D800) /* Base @ of Page 59, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_60    ((uint32_t)0x0801E000) /* Base @ of Page 60, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_61    ((uint32_t)0x0801E800) /* Base @ of Page 61, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_62    ((uint32_t)0x0801F000) /* Base @ of Page 62, 2 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_PAGE_63    ((uint32_t)0x0801F800) /* Base @ of Page 63, 2 Kbytes */

#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_PAGE_15   /* Start @ of user Flash area */
#define FLASH_USER_END_ADDR     ADDR_FLASH_PAGE_18   /* End @ of user Flash area */


int Flash_HAL_Write_Data(uint32_t addr, uint64_t data);
int Flash_HAL_Write_N_Data(uint32_t addr, uint64_t *data, uint16_t num);
void Flash_HAL_Read_N_Data(uint32_t addr, uint64_t *data, uint32_t num);
void Flash_HAL_Read_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint32_t num);


#endif

③、字符串读写测试

④、整形数读写测试

四、标准库FLASH读写

①、flash.c

#include "flash.h"


/**
  * @brief  清除用户FLASH扇区的数据
  * @param  NONE
  * @retval NONE
  */
int Flash_Clean_User_Area_Data(uint32_t addr)
{
    //1、FLASH解锁
    FLASH_Unlock();
    //2、FLASH数据擦除
    if(FLASH_EraseSector(Flash_Addr_Get_Sector(addr), VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
    {
        printf("FLASH擦除出错\r\n");
        //4、FLASH上锁
        FLASH_Lock();
        return -1;
    }
    //4、FLASH上锁
    FLASH_Lock();
    return 0;
}

/**
  * @brief  写N个字节(uint8_t)的数据
  * @param  addr: 存储数据的地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
int Flash_Write_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t num)
{
    //1、FLASH解锁
    FLASH_Unlock();
    //2、擦除数据
    //数据擦除操作会将一整个扇区擦除，如果需要连续写，最初用一次就行了
    //3、FLASH写入
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        if(FLASH_ProgramByte(addr, data[i]) != FLASH_COMPLETE)
        {
            printf("写多字节Byte数据失败\r\n");
            FLASH_Lock();
            return -1;
        }
        addr += sizeof(uint8_t);
    }
    //4、FLASH上锁
    FLASH_Lock();
    
    return 0;
}

/**
  * @brief  写N个半字(uint16_t)的数据
  * @param  addr: 存储数据的地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
int Flash_Write_N_HalfWord(uint32_t addr, uint16_t *data, uint16_t num)
{
    //1、FLASH解锁
    FLASH_Unlock();
    //2、擦除数据
    //数据擦除操作会将一整个扇区擦除，如果需要连续写，最初用一次就行了
    //3、FLASH写入
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        if(FLASH_ProgramHalfWord(addr, data[i]) != FLASH_COMPLETE)
        {
        printf("写多个半字HalfWord数据失败\r\n");
        FLASH_Lock();
        return -1;
        }
        addr += sizeof(uint16_t);
    }
    //4、FLASH上锁
    FLASH_Lock();
    
    return 0;
}

/**
  * @brief  写N个字(uint32_t)的数据
  * @param  addr: 存储数据的地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 数据的个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
int Flash_Write_N_Word(uint32_t addr, uint32_t *data, uint16_t num)
{
    //1、FLASH解锁
    FLASH_Unlock();
    //2、擦除数据
    //数据擦除操作会将一整个扇区擦除，如果需要连续写，最初用一次就行了
    //3、FLASH写入
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        if(FLASH_ProgramWord(addr, data[i]) != FLASH_COMPLETE)
        {
            printf("写多个字Word数据失败\r\n");
            FLASH_Lock();
            return -1;
        }
        addr += sizeof(uint32_t);
    }
    //4、FLASH上锁
    FLASH_Lock();
    
    return 0;
}


/**
  * @brief  读N个字节(uint8_t)的数据
  * @param  addr: 数据的存储地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 需要读取的数据个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
void Flash_Read_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t num)
{
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        data[i] = *(volatile uint8_t*)addr;
        addr += sizeof(uint8_t);//根据读取的数据类型进行内存地址递增
    }
}

/**
  * @brief  读N个半字(uint16_t)的数据
  * @param  addr: 数据的存储地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 需要读取的数据个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
void Flash_Read_N_HalfWord(uint32_t addr, uint16_t *data, uint16_t num)
{
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        data[i] = *(volatile uint16_t*)addr;
        addr += sizeof(uint16_t);//根据读取的数据类型进行内存地址递增
    }
}

/**
  * @brief  读N个字(uint32_t)的数据
  * @param  addr: 数据的存储地址
  * @param  data: 数据数组
  * @param  num: 需要读取的数据个数
  * @retval 成功返回0，失败返回-1
  */
void Flash_Read_N_Word(uint32_t addr, uint32_t *data, uint16_t num)
{
    for(uint16_t i=0; i<num; i++)
    {
        data[i] = *(volatile uint32_t*)addr;
        addr += sizeof(uint32_t);//根据读取的数据类型进行内存地址递增
    }
}

/**
  * @brief  计算FLASH地址所在的扇区
  * @param  addr：FLASH地址
  * @retval 返回所在扇区数
  */
uint32_t Flash_Addr_Get_Sector(uint32_t addr)
{
    uint32_t sector = 0;
    
    if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
    {
        sector = FLASH_Sector_0;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
    {
        sector = FLASH_Sector_1;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
    {
        sector = FLASH_Sector_2;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
    {
        sector = FLASH_Sector_3;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
    {
        sector = FLASH_Sector_4;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
    {
        sector = FLASH_Sector_5;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
    {
        sector = FLASH_Sector_6;  
    }
    else if((addr < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (addr >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
    {
        sector = FLASH_Sector_7;  
    }
}

②、flash.h

#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H

#include "stm32f4xx.h"
#include <stdio.h>
#include <string.h>
#include <stdlib.h>

//STM32F407VET6的FLASH内存空间大小为512KB，起始地址：0x0800 0000，结束地址：0x0807 FFFF

/* Base address of the Flash sectors */ 
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((uint32_t)0x08000000) /* Base address of Sector 0, 16 Kbytes   */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((uint32_t)0x08004000) /* Base address of Sector 1, 16 Kbytes   */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((uint32_t)0x08008000) /* Base address of Sector 2, 16 Kbytes   */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((uint32_t)0x0800C000) /* Base address of Sector 3, 16 Kbytes   */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((uint32_t)0x08010000) /* Base address of Sector 4, 64 Kbytes   */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((uint32_t)0x08020000) /* Base address of Sector 5, 128 Kbytes  */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((uint32_t)0x08040000) /* Base address of Sector 6, 128 Kbytes  */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((uint32_t)0x08060000) /* Base address of Sector 7, 128 Kbytes  */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((uint32_t)0x08080000) /* Base address of Sector 8, 128 Kbytes  */

//用户自由使用的FLASH起始地址，需要根据实际代码占用的内存空间进行变动
#define FLASH_USER_START_ADDR   ADDR_FLASH_SECTOR_5   /* Start address of user Flash area */
#define FLASH_USER_END_ADDR     ADDR_FLASH_SECTOR_6  /* End address of user Flash area */


int Flash_Clean_User_Area_Data(uint32_t addr);
int Flash_Write_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t num);
int Flash_Write_N_HalfWord(uint32_t addr, uint16_t *data, uint16_t num);
int Flash_Write_N_Word(uint32_t addr, uint32_t *data, uint16_t num);

void Flash_Read_N_Byte(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t num);
void Flash_Read_N_HalfWord(uint32_t addr, uint16_t *data, uint16_t num);
void Flash_Read_N_Word(uint32_t addr, uint32_t *data, uint16_t num);

uint32_t Flash_Addr_Get_Sector(uint32_t addr);


#endif

③、字符串读写测试

④、整形数读写测试

奔跑的蜗牛！

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STM32标准库+HAL库 | CPU片内FLASH存储器数据掉电读写

如果只是做单个原型设备，那么一个小存储器芯片的价格可能是不痛不痒的，但对能进行大批量生产的电子产品，成本压缩几毛钱，都能创造一笔不菲的收入，甚至节约下来的成本可以供很多工程师的月工资。因此对于数据存储量不是很大的设备产品，就可以考虑直接使用MCU内置的FLASH进行数据掉电存储读写。
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