分析5V芯片与3.3V芯片通信过程

当两个电源电压不同的芯片需要通信时可以采用两种方案：

1. 芯片间通过二极管连接，并两个芯片输出端外挂一个上拉电阻。这样的弊端是只能单端通信，且由于二极管压降，无法准确输出低电平。

2. 芯片间通过NMOS连接，两个芯片输出端外挂一个上拉电阻。如下示例：

由于第一种方案的缺陷，除非特殊要求，一般不使用，所以这里主要分析第二种方案。 

 

芯片通信过程

方向1： 芯片A 向 芯片B 发送数据

 1. 当A输出高电平时，Q1栅极(G)和源极(S)均为3.3V，Vgs = 0V，NMOS截止，芯片B由上拉电阻拉高至高电平，从而实现A发送高电平，B接收高电平。

2. 当A输出低电平时，NMOS的寄生二极管导通，电流从B芯片输出端上拉的3.3V通过A芯片流至GND，此时虽然二极管的压降为0.7V，源极电压被钳至在0.7V，但是栅极为3.3V大于源极并且Vgs = 2.6V，超过NMOS导通阈值电压，NMOS导通，电流从漏极流向源极，芯片B会收到A传来的低电平。

方向2：芯片B 向 芯片A 发送数据

1. 当B输出高电平时，Q1栅极(G)和源极(S)均为3.3V，Vgs = 0V，NMOS截止，且寄生二极管阴极电平高于阳极，不导通。芯片A由上拉电阻拉高至高电平，从而实现B发送高电平，A接收高电平。

2. 当B输出低电平时，Vgs = 3.3V，超过NMOS导通阈值电压，NMOS导通，芯片A会收到B传来的低电平。

总结

        总而言之，方式2可以实现不同电压的芯片间相互通信，其原理是通过输出低电平导通mos,从而传输信号；而输出高电平则mos管截止，接收方芯片靠上拉电阻提供高电平。