ROM、RAM（DRAM、SRAM）和FLASH（NOR FLASH、NAND FLASH）总结——重点概括版

RAM ——随机存取存储器

        “随机”表示存储器中的数据被读取或写入时，所需的时间与数据所在的位置无关。
        RAM掉电数据丢失，分为SRAM（静态随机存储存取器）和DRAM（动态随机存储存取器）。
        SRAM存储数据的时间相对较长，存取速度快，但是成本较高。
        DRAM需要不断刷新并给电容充电，所以存储数据时间较短，速度相对SRAM慢，但是成本低，功耗低。
SDRAM（同步动态随机存取器）是DRAM的一种，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。
        DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器），为具有双倍数据传输率的SDRAM，其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。

SRAM和DRAM特性比较

特性	SRAM	DRAM
存取速度	较快	较慢
集成度	较低	较高
生产成本	较高	较低
是否需要刷新	否	是

ROM——只读存储器
        掉电数据不会丢失，分为PROM（可编程只读存取器）和EPROM（可擦除可编程只读存取器），PROM是早期产品，现已淘汰，而EPROM通过电子擦出，价格很高，写入很慢。

FLASH——闪存
        结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据,同时可以快速读取数据。
        FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH。
        NOR FLASH的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码；而NAND FLSASH采用块存取，通常一次性读取512字节。采用这种技术的Flash比较廉价，用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还装上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。