weixin_50839088的博客

原创 BMS硬件DFMEA

原创 为什么电子元器件会老化？像人变老一样吗？

电子元器件包含半导体材料和塑料材料，其老化可概括为随着时间推移因为外部物理因素、化学因素和生物因素产生的物理变化、化学变化或综合变化，引起功能、性能的衰减。表现在可靠性浴盆模型的损耗失效期。一般温度循环、辐射、通电、材料氧化、腐蚀等会引起并加速元器件的老化。

原创 电子元器件选型——功率电感

（图源网络）电感值：2.2uH@1MHz/0.1V，DCDC电路中选择电感值越大、纹波越小、尺寸越大、直流电阻越大，开关效率越低。 精度：±20% 额定电流：1.7A，通过线圈不损坏电感的电流最大值。 直流电阻DCR：0.08Ω，直流电阻越小，电感损耗越小，效率越高。 自谐振频率：90MHz，小于该频率呈感性，大于该频率呈容性。选择电感时工作频率应小于该频率。 品质因数Q：15@1MHz，Q值越高、损耗越小、效率越高。 封装：7.3mm×7.3mm×4.5...

原创 电子元器件失效模式及失效机理汇总

元器件 失效模式 失效机理 检测方法(待补充) 贴片电阻 开路 EOS电阻膜烧毁或大面积脱落； 外观检查/万用表阻抗测试； 基体受外力断裂； 高低温循环试验； 引线帽与电阻体脱落； X-Ray； 焊盘空焊/虚焊/假焊； 目视检查/AOI/电磁振动试验台/X-Ray(常见)； 短路 银离子迁移； 断开电路测电阻； 高温高湿试验； 离子迁移分析； [化学试剂去除表面保护层(白色

原创 三防漆——选型及验证

三防漆缺料引发的一场深思。

原创 电子元器件选型——二极管

正向压降：0.74V 最大整流电流IF：4A 反向击穿电压VBR：60V，持续工作电压降额50% 反向电流IR，150uA，对温度非常敏感 最高工作频率fm，超过该值因结电容影响不能很好体现单向导电性。 工作温度范围：-65~175℃ 厂家 质量认证，AEC-Q101 环保认证，ROHS、Pb-free、Halogen-free 封装：DO-214AB 出货累计失效率：＜0.1ppm 量产时间：2018 出货量：10KK/M 使用寿命：＞10年 价格 产品类型：普通二极管...

原创 电子元器件选型——MOSFET

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。管子类型：N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。（以N沟道增强型MOS管SQ3426EV-T1_GE3为例） 漏源极最大电压Uds：60V，超过此值管子会损坏。 删源极最大电压Ugs：±20V，超过此值管子会损坏。 最大功耗PDM：1.6W@125℃，决定于管子允许的温升。 最大漏极电

原创 电子元器件选型——三极管

BJT/Bipolar Junction Transistor双极性晶体管，三极管管子类型：NPN还是PNP 集电极-发射极最大电压VCEO，40V【集电结允许的最高反向电压】 集电极-基极最大电压VCBO，40V【集电结允许的最高反向电压】 发射极-基极最大电压，6V【发射结允许的最高反向电压】 功率耗散（功耗）Pd，330mW 最大集电极电流 IcM，100mA 集电极-发射极饱和电压200mV【饱和导通时CE 间电压，放大导通时CE间电压更大】 基极-发射极开启电压 工作温度范

原创 电子元器件选型——电容

电子元器件选型——电容

原创 电子元器件选型——电阻

1.电阻值，10Ω2.初始精度，1%、5%3.温度系数（温漂），25ppm/℃4.老化系数（时漂），0.3%@1000h5.工作温度范围，-40℃~125℃6.额定功率，1/4w，最坏情况降额50%脉冲工作的峰值功率≤额定电压的4倍（金属膜电阻）；脉冲工作的峰值功率≤额定电压的3倍（碳膜电阻）7.额定电压，200V，持续工作电压，脉冲工作的峰值电压≤额定电压的1.4倍（金属膜电阻）；脉冲工作的峰值电压≤额定电压的2倍（碳膜电阻）8.封装，06039.高频寄..