电子元器件选型——MOSFET

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。

1. 管子类型：N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。（以N沟道增强型MOS管SQ3426EV-T1_GE3为例）
2. 漏源极最大电压Uds：60V，超过此值管子会损坏。
3. 删源极最大电压Ugs：±20V，超过此值管子会损坏。
4. 最大功耗PDM：1.6W@125℃，决定于管子允许的温升。
5. 最大漏极电流IDM：4A@125℃，管子连续工作时漏极电流的上限值。
6. 栅源极开启电压Ugs(th)：2.5V，增强型MOS管参数。
7. 栅源极夹断电压Ugs(off)：XXV，JFET和耗尽型MOS管参数。
8. 漏源极导通电阻Rds(on)：32mΩ
9. 低频跨导gm：21 S(西门子)，表示ugs对id控制作用的强弱。
10. 下降时间：7ns
11. 上升时间：12ns
12. 典型关闭延迟时间：19ns
13. 典型接通延迟时间：9ns
14. 工作温度范围：-55~175℃
15. 封装：TSOP-6
16. 质量认证：AEC-Q101
17. 环保认证：ROHS
18. 厂家：Vishay
19. 出货累计失效率：＜0.1ppm
20. 量产时间：2018
21. 出货量：10KK/M
22. 使用寿命：＞10年
23. 价格