为什么电子元器件会老化？像人变老一样吗？

1、什么是老化

汉语词典里对[老化]这个词有如下两种定义：

老化 （化学名词）

·  在高分子材料的使用过程中, 由于受到热、氧、水、光、微生物、化学介质等环境因素的综合作用, 高分子材料的化学组成和结构会发生一系列变化, 物理性能也会相应变坏, 如发硬、发粘、变脆、变色、失去强度等, 这些变化和现象称为老化, 高分子材料老化的本质是其物理结构或化学结构的改变。

老化 （心理学名词）

·  即增龄。老年心理学术语。国外心理学界对老化与衰老的词义解释不尽相同。其实两者既有密切联系，又有区别。老化专指人的生长发育、成熟到衰退过程的后一阶段中所表现的一系列生理、心理功能的退行性变化；而衰老则是老化的结局。

2、半导体老化原理

1）金属迁移：电子在导体中碰撞时可以推动金属离子，随着时间的推移，导体中会出现间隙，即使没有完全断开连接，它的电阻也会随着它变窄而增加。

2）电荷俘获：以某种方式嵌入绝缘体中的电荷，可能会四处移动，但最有可能留在原地。这些电荷不是流动的，它们不会直接参与任何电流流动，但它们会导致泄露并最终导致击穿。

3）电介质与硅之间的陷阱捕获：制造过程中产生的内在陷阱或操作过程中产生的外在陷阱具有吸引和保持电子的缺陷，影响阈值电压。

4）热载流子注入（HCI）：热载流子注入是由于漏极侧发生的高电场，这种高电场实际上会推动获得足够能量的电子与硅晶格原子碰撞并产生电子/空穴对。孔通常会到达 NMOS 器件的衬底。电子将被推向硅/二氧化硅界面。它们将与其他硅原子碰撞，产生更多的电子/空穴对，这种效应称为“碰撞电离”。这些电子既可以驻留在二氧化硅界面内，也可以传递到栅极。” 当漏极电压相对于栅极较高时，这往往会成为更大的问题。“据说当漏极电压是栅极电压的两倍时，这是一个问题。

5）负偏压和正偏压温度不稳定性（NBTI、PBTI）：这是一种可以逐渐降低晶体管阈值电压的效应。负偏压温度不稳定性(NBTI) 会影响 PMOS 晶体管，并且随着时间的推移越来越受到关注。正极版本 (PBTI) 会影响 NMOS 晶体管，并且它也被考虑用于激进节点。两者都在较高温度下加剧。

6）与时间相关的介质击穿（TDDB）：随着更多被俘获的电子在电介质中积累，其整体击穿电压会下降。虽然电荷缓慢积累，但在某些时候会形成“渗透路径”，从而使电介质失效。这会导致“时间相关的介电击穿”或 TDDB。

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3、材料老化原理

4、总结：电子元器件老化

       电子元器件包含半导体材料和塑料材料，其老化可概括为随着时间推移因为外部物理因素、化学因素和生物因素产生的物理变化、化学变化或综合变化，引起功能、性能的衰减。表现在可靠性浴盆模型的损耗失效期。一般温度循环、辐射、通电、材料氧化、腐蚀等会引起并加速元器件的老化。

 

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