02电容基础

一、电容基础

电容：两个金属板中间夹着一层绝缘层，施加电压之后，电荷产生移动，但由于中间层为绝缘层，故而电荷累计在金属板上，衡量金属板储存电荷的能力即为电容

单位：1F=10^3mF=10^6uF=10^9 nF = 10^12 pF，常用单位为uF、nF、pF

基本公式：

C=Q/U，电荷量Q与电容电压值U以及电容大小C都相关

 I=（du/dt）*C，设计过程中，应当注意电容充放电的电流，电流过大可能会损坏元器件，电流过小，会导致信号反应时间变短。对于电流过大的问题（电容不能突变），一般都是通过电阻或者电感进行抑制

Xc=1/（2π*f*c）        Ω=1/（Hz*F）

两个电容串联时，C=（C1*C2）/(C1+C2)

两个电容并联时，C=C1+C2

电容特性：隔直通交，若给电容外加直流电源，在电容充满之后，电容电压等于电源电压；若给电容外加交流电源，由于电源会反向，相当于电容一直处于充电放电的状态，在外界看来便是导通（实际上中间是绝缘层，所以不可能导通）。

二、电容功能

根据电容在电路中起的作用不同，将电容分为以下几个功能

1.压降

如图所示，我们想在220V的交流电下，点亮一个10V的灯泡，将电压直接施加在灯泡上会使得灯泡烧坏

串联一个电阻后，通过分压公式可得，施加在灯泡上的电压为10V，但是由于电阻会产生一定的功耗，所以将电阻替换为电容

由上述基础公式   Xc=1/（2π*f*c）  可得，210Ω=1/（2*3.14*50hz* 15*10^-6F）

故可以将210Ω的电阻替换为15uF的电容，且不会增加功耗，由于电容有着“存电”的特性，故当将220V交流电断开的时候，电容还有电，因此我们需要并联一个电阻，用于释放电容的电

2.滤波

如图所示是一个高通滤波器，假设输入一个10V的直流电压，直流电频率为0Hz，因此阻抗为无穷大，因此施加在C1的电压近乎10V，而输出电压为0V，即低频无法通过；相反，若输入的是10V的高频交流电，则C1阻抗近乎为0，因此输出电压为10V。

值得注意的是，高通滤波器只能削减低频信号，不能完全消除

3.去耦

去耦合，即剔除无用信号，筛选有用的信号。如利用电容的去低频通高频。

4.旁路

旁路跟耦合非常的相似，但是旁路剔除的是高频信号，而耦合剔除的是低频信号。旁路的典型例子就是在芯片的供电引脚上，在电源和地之间加一个0.1uF的电容，这样就可以去除电源中的交流信号，如果对于电流有着一定的要求，可以再并联一个10uF的电容，起到减小纹波的作用。此外旁路电容一般都靠近着芯片。对于旁路电容的大小，具体可以参考芯片的datasheet

去耦和旁路作用效果差不多，区别在于用于对输入信号过滤高频噪声，称为旁路电容；用于对输出信号干扰作为过滤对象，称为去耦电容

5.延时

如图所示是一个RC延时电路，简单来说就是+5V通过R1之后，给电容C2充电需要一定的时间，而对于后续电路来说，就产生的一定的延时

三、电容选型

1.安装方式：安装方式有插件（DIP）和贴片（SMD）

陶瓷电容、铝电解电容、钽电解电容一般选用SMD,安规电容一般选择插件

2.标称值：即电容的大小值，跟电阻一样，电容的大小也不是随便定的，有一套自己的规范，针对不同类型的电容，有着对应的取值。对于小于10uF的优先选择陶瓷电容，小于几百uF的优先选择铝电解电容和钽电解电容，大于几百uF的优先选择铝电解电容

3.精度：精度也叫误差值。电容常见误差有A(±0.05 pF)、B(±0.10 pF)、C(±0.25 pF)、D(±0.50 pF)、F(±1.0%)、G(±2.0% )、J(±5.0% )、K(±10.0% )、M(±20.0% )、S（+50%、-20%）、Z（+80%、-20%）

在实际应用中，使用不同类型的电容所需要的精度值是不同的，ABCD精度常用于10pF以下（用的少），设计中常用J、K、M、S、Z

4.额定电压：电容能够长期承受的最高直流电压有效值，特别注意的是，在交流电路中，所加的交流电压最高不能超过电容器的直流工作电压值。相对来说，封装越大，耐压值越高

5.绝缘电阻：在电容两端施加电压时，会有由于原子运动，会产生一个漏电流，电容绝缘性越强，对应的漏电流越小。

6.温度系数：电容温度系数越大，增加或减少1℃对应电容值变化越大，例如振荡回路元件、滤波电路等，这些场合应选用温度系数小的电容器，以保证电路的稳定性

四、电容分类

1.陶瓷电容

在设计中最常用的电容

优点：无极性、耐压好、耐温好、ESR小、滤波效果好

缺点：常用于小容量的电容（一般是10uF以下）大电容价格过于昂贵

根据电容介质不同，可以分为以下几种电容

Ⅰ类电容：电性能稳定、不随温度、电压等环境因数变化而变化。包括通用型高频 COG、COH 电容器和温度补偿型高频 HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL 电容器。常用于射频电路、震荡电路、温度补偿电路等

Ⅱ类电容：相对于Ⅰ类电容，Ⅱ类电容容量更大。

常用于隔直、耦合、旁路等电路（X7R、X5R）；

对于Y5V介质的电容器来说，容量最大，但对温度、电压等较为敏感；

2.安规电容

安规电容：电容器失效后，不会导致电击也不危及人身安全

L：火线

N：零线

G：地线

（1）X电容

 X电容用于跨接在L-N（火线、零线之间），用于消除零线、火线之间的干扰信号。X电容能够抑制差模干扰，通常采用金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。在X电容上通常会印刷耐压值、安全认证标识等。

X电容的两端并联一个1MΩ电阻，泄放残留电，泄放静电。防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电

X电容又可以分为X1(峰值电压≥2.5kV且≤4.0kV)、X2（峰值电压≤2.5kV）

（1）Y电容

Y电容通常是陶瓷类电容器，一般成对出现，Y电容分为Y1(峰值电压≥8kV、额定电压≥250V)、Y2(峰值电压≥5kV、额定电压≥150V且≤250V)。Y1产品电气间隙最小为8.0mm，Y2产品电气间隙不低于6.3mm，作为隔离产品，安全距离要做够，避免产生电弧现象。Y电容连接方式为L-G、N-G，可以起到共模抑制的作用。容量通常为nF级，通常不会超过0.1uF。

3.电解电容

常用电解电容有铝电解电容、钽电解电容

铝电解电容大部分使用贴片式的，但为了节约成本也可以用直插式的，铝电解电容有丝印的为负极（如下两图分别为贴片铝电容、插件铝电容）。相对于钽电容，铝电容容量大、耐压好、价格便宜，缺点就是ESR大、耐温差

相对于铝电容来说，钽电容ESR会比较小（容量耐温都比陶瓷电容好），但是价格会昂贵一些

而对于钽电容来说，有丝印标记为正极，对于这种有极性的电容切忌误插反，会引发安全事故

五、电容的ESR、ESL

ESR:等效串联电阻(Equivalent Series Resistance)，理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损耗，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘材质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就起了个名字叫做“等效串联电阻”。

ESR值与纹波电压的关系公式V=R（ESR）×I表示。这个公式中的V就表示纹波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高。

ESL:等效串联电感，一般来说，容量越大的电容，ESL也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串联谐振等。但是相对容量来说，ESL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。在设计中，低频的情况下考虑ESR的情况较少，大部分在高频情况下才会考虑

在电路设计中，常用一个大电容并联一个小电容用于滤波（一个要求两个数量级以上）。其中大电容滤低频，小电容滤高频的原因就是跟ESL相关。大电容ESL较大，如果输入高频信号的话，（XL=2π*f*L）产生的XL就会较大，所以大电容高频性能不好。为了通过高频、低频，采用大电容串联小电容的方法。

此外，电容上存在着ESL，实际电路就会跟电容串联成LC谐振电路，当FSR（自谐振频率）大于电容的FSR时，电容就会呈现感性，当FSR小于电容FSR时，抑制干扰的作用就会降低。