【FLASH、SRAM、编译文件 相关记录】

前言

文章内容参考借鉴flag的小鱼塘的“STM32：堆和栈（Heap & Stack）及SRAM存储使用”文章

https://blog.csdn.net/qq_34810707/article/details/87942328

1、ROM、RAM、SRAM和FLASH的区别

RAM可以分为静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)

静态RAM(SRAM)	读写速度最快，价格贵	cpu一级二级缓冲,不需要动态刷新，掉电数据丢失
动态RAM(DRAM)	比SRAM读写慢，比ROM快，价格比SRAM便宜	cpu内存，电路动态刷新，否者丢失数据；常见有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，

ROM可以区分为

PROM	可编程,一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了
EPROM	EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器
EEPROM	通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写入很慢

flash

flash	具备电子可擦除可编程，掉电不丢失数据，代替ROM用作系统和程序代码存储

2、SRAM存放内容

1、各个文件中声明和定义的全局变量、静态数据和常量（没有加const修饰）；
2、HEAP区；
3、STACK区。

堆区（heap）：一般由程序员使用malloc或new来进行分配，在适当的时候用free或delete来进行释放。若程序员不释放，程序结束时可能由操作系统回收。分配方式类似于数据结构中的链表。

栈区（stack）：由编译器自动分配和释放，程序员不做干涉。存放函数的参数值、局部变量的值等，其操作方式类似于数据结构中的栈。程序的中断，函数的形式参数传递等都需要STACK来实现。

注意：

1、堆栈的大小在编译器编译之后是不知道的，只有运行的时候才知道，所以需要注意一点，就是别造成堆栈溢出了，不然就会发生hardfault错误。

2、所有在处理的函数，包括函数嵌套，递归，等等，都是从这个“栈”里面，来分配的。所以，如果栈大小为2K，一个函数的局部变量过多，比如在函数里面定义一个u8 buf[512]，这一下就占了1/4的栈大小了，再在其他函数里面来搞两下，程序崩溃是很容易的事情，这时候,一般你会进入到hardfault….这是初学者非常容易犯的一个错误.切记不要在函数里面放N多局部变量,尤其有大数组的时候!

3、 STM32的栈，是向下生长的。事实上，一般CPU的栈增长方向，都是向下的。而堆的生长方向，都是向上的。堆和栈，只是他们各自的起始地址和增长方向不同，他们没有一个固定的界限，所以一旦堆栈冲突，系统就到了崩溃的时候了。

4、程序中的常量，如果没加const也会编译到SRAM里，加了const会被编译到flash中。

3、编译文件中的Code、RO-data、RW-data、ZI-data含义

Code：表示程序所占用FLASH 的大小（FLASH）。
RO-data：即Read Only-data，表示程序定义的常量，如const 类型（FLASH）。
RW-data：即Read Write-data，表示已被初始化的全局变量（SRAM）
ZI-data：即Zero Init-data，表示未被初始化的全局变量(SRAM)