IEEE 802.3af 兼容的 PD 和 DC/DC 控制器 集成功率 MOSFET-----芯片XS2123

概述
XS2123 是一款基于 IEEE 802.3af 标准 PD 和
DC/DC 集成的控制器。
该芯片的 PD 控制器部分为用电设备（PD）提
供符合以太网供电（PoE）系统的检测信号、分级
信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率
MOSFET。集成隔离功率 MOSFET 耐压 100V，导通
阻抗 0.4Ω，支持最大 880mA 的工作电流，内置欠
压保护和过热保护。带有较宽的迟滞和长周期干扰
脉冲屏蔽，以补偿双绞线电缆的阻性衰减，确保上
电/掉电期间无干扰传输。
该芯片的 DC/DC 控制器部分内置 200V 功率
MOSFET，采用原边控制（PSR）方式，适用于
Flyback 拓扑结构，支持 CCM，DCM，提供精确的
恒压控制模式，采用 PWM+PFM 模式的多段曲线控
制运行模式可以进一步优化系统在不同负载下的转
换效率，同时有效避免了噪声。
典型应用
 网络摄像机
 IP 电话
 无线 AP
主要特点
PD 控制器部分
 兼容 IEEE 802.3af 受电设备的完整电源接口
 集成 100V，0.4Ω 的隔离功率 MOSFET
 欠压保护
 过热保护
 MOSFET 耐受 880mA 电流
 180mA 最大浪涌电流限流
 电流限制和折返式保护
 正常工作期间电流限制在 760mA 至 1000mA
DC/DC 控制器部分
 支持 CCM&DCM 的原边控制模式
 内置 200V 高压 MOSFET 开关
 最高 12W 输出功率
 较低启动电流（大约 7uA）
 轻载降频，降低能耗
 内置有源周期谐振技术
 输出短路保护及输出过流保护
 输出过压保护及 VCC 过压保护
 软启动
 峰值电流控制模式
 内置 LEB 前沿消隐