domen_pan的博客

原创 LC和RC滤波电路分析

如果把伴有许多干扰信号的直流电通过LC滤波电路（如图），那么，交流干扰信号大部分将被电感阻止吸收变成磁感和热能，剩下的大部分被电容旁路到地，这就可以抑制干扰信号的作用，在输出端就获得比较纯净的直流电流。整流电路的输出电压并不是纯粹的直流，从示波器观察整流电路的输出，与直流相差很大，波形中含有较大的脉动成分，称为纹波。而RC滤波器电路简单，抗干扰性强，有较好的低频性能，并且选用标准的阻容元件易得，所以在工程测试的领域中最经常用到的滤波器是RC滤波器。因此电感线圈有通低频，阻高频的作用，这就是电感的滤波原理。

原创 【无标题】

它采用了沿独立的导线传输时钟与数据信号的设计，通过将数据和时钟信号分离，避免了因时差诱发的失真，为用户节省了购买抵抗音频抖动的专业设备的费用。根据data相对于LRCK海人SCLK位置的不同，分为I2S标准格式（飞利浦规定的格式），左对齐（较少使用）和右对齐（日本格式，普通格式），发送和接收端必须使用相同的数据格式。1、串行始终SCLK，也叫位始终（BCLK），对应数字音频的每一位数据，SCLK都有一个脉冲。④，i2s数据长度，包括16位，16位扩展（16位数据以32位包发送），24位，32位。

原创 研发干货丨关于RK3399 开发板休眠、关机功能简析

二是调用电源管理驱动对应的接口，完成电源配置，RK3399 主板进行关机。OK3399-C平台采用RK3399 主CPU芯片设计，支持底板Power按键休眠唤醒以及关机功能，Linux命令行也可以通过命令进行关机，下面对这两种方式进行简单的解析。先来看power按键在PMIC侧的响应机制，POWER键按下以后，经过TdbPWRONF时间以后，INT引脚变为低电平，触发中断。通过代码可知，Power按键触发的休眠和关机会执行sys_sync函数，进行系统数据的保存，这与突然掉电导致的异常关机是有很大区别的。

原创 为什么都喜欢用串口通讯？那为什么还用RS485,SPI和I2C？

那如果在通信双方之间加一个clock时钟信号，不给通信双方约定相同的速度，我们只需根据时钟信号的上升沿进行发送接收数据，大大提高了通信速率，于是产生了SPI通信，它可以轻松突破10M。之前在做单片机产品的时候，用的最多的就是串口通讯，凡是单片机的外设，优先选用带串口功能的，比如蓝牙模块，WIFI模块，4G模块，电表和显示屏等等。所以串口的速度是非常的慢，之所以这么慢是因为早期的单片机频率比较低，时钟精度也不高，所以通信双方的波特率不能做到完全一致，速率太快就会通信异常。点击图片可详看串口介绍。

原创 辐射类案例分析

首先，由于DCDC电源是近似方波，除非该DCDC本身方波的上升沿时间可以改变，否则，其谐波能量很高，高次谐波的频谱也更加广，这样才能形成完整的包络，其次，对于时钟信号，通常我们会串联一个电阻，或者为了满足EMC性能，刻意的在满足信号完整性的前提下，降低其上升时间，所以其形成的高次谐波频谱没有方波丰富。但是对于辐射类实验，可能就有不一样的效果。对于DCDC电源，我们现在的电源是Buck电路，对于其三个环路，如图9所示，环路1 的电流是不连续的，其环路包含丰富的高次谐波分量，根据差模干扰的公式，s。

原创 电路干货！运放的8种基本应用电路

比较器有许多用途，但最常见的是将输入电压与参考电压进行比较，如果输入电压高于参考电压，则切换输出。减法器也称为差分放大器，它使用反相和同相输入来产生输出信号，该信号是两个输入电压V1和V2之差，从而允许一个信号与另一个信号相减。如果两个电阻相等，则反相器不会放大，但会反相输入信号。同相放大器不会对输入信号进行反相或产生反相信号，而是以（RA+ RB）/RB或通常为1+（RA/RB）的比率进行放大。如果两个运放增益A1和A2的大小彼此相等，则输出信号将加倍，因为它实际上是两个单独的放大器增益的组合。

原创 一个用稳压二极与MOS管构成的过压保护电路

1.当输入端是5V左右的电压的时候（VDD-IN=5V），稳压二极管D1没有被反向击穿，Q1三极管处于截止状态。PMOS管导通，所以D极输出的就是5V电压。2.假设输入端输入的电压大于5V很多，比如12V或者24V，此时稳压二极管D1处于反向击穿区，Q1三极管导通，PMOS管截止。原文链接：https://blog.csdn.net/foleon/article/details/130013424。如图，利用稳压管和PMOS管组成一个保护电路，起过压保护和防反接的的作用。所以具有防反接功能。

原创 硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。

原创 PCM和I2S区别

帧同步时钟的频率总是等于音频的采样率，比如44.1 kHz，48 kHz等。从系统上讲，cpu的dsp出来的都是pcm信号，我称PCM_father，送到DAC可从speaker等放出，至PCM接口出来PCM_son1,至I2S接口出来PCM_son2，然后送至外部codec或其他外设，通话DAC I2S DAC分别对应。采样频率与声音频率之间有一定的关系，根据奈奎斯特理论，只有采样频率高于声音信号最高频率的两倍时，才能把数字信号表示的声音还原成为原来的声音，是衡量声卡采集、记录和还原声音文件的质量标准。

原创 mos管缓启动电路的工作原理2

原创 PMOS管缓启动电路分析1

上图是典型的PMOS缓启动电路，三极管的控制端可以接MCU，进行程控，通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度，下面是该电路的仿真，可以看到上升和下降时间基本相同。上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚，实现上下电控制，通过更改R3和C1的大小控制开通的速度，仿真波形如下，开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。也可以将按键放到和R3串联的位置，根据按键的特点和系统情况选择，上图中按键按下后电路关闭，可以通过设置R3,R5,C1的大小，调节开启和关闭的速度。下图是按键版本的启动电路，

原创 真实案例分享：MOS管电源开关电路，遇到上电冲击电流超标

我粗略扫了一下规格书，Vds，Id，Vgs(th)这些主要参数没太大区别，反正现有的应用远没达到器件的极限，所以直接替换是没啥问题的。可我还是不服气，这个电路以前也用过，也详细测过不可能出现这么大的脉冲电流，虽然新项目在MOS管后面增加了一些电容，但电容总容量实际没增加太多，即使上电瞬间充电也不太可能产生这么大电流才对，一定是什么地方出错了。我：不可能，这电路用了很久了，一直都没出过问题，新项目虽然功耗增加了一些，但不可能有那么大脉冲电流，因为板上的大电容总容量又没增加多少，你是不是测错了？

原创 产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-2

当产品没有问题时，可以以500V的步进增加ESD模拟器的电压直到规定的限值。假如存在独立的外壳平面，或者如果外壳平面的某一区域专门用作地平面，将是一个好的参考点。（2）在任何可疑的输入或输出端口处设计简单的低通RC滤波器，串联电阻的典型值为47～100Ω，与信号或电源返回路径之间的典型电容值为1～10nF。（1）通常检查电缆的屏蔽层与外壳或壳体是否搭接良好，理想情况下，它应与壳体的屏蔽层进行3600的搭接。注意：PCB的设计地走线，地回路，接地点的位置设计也是解决抗扰度ESD设计最关键的设计方法与思路。

原创 产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-3

产品可靠性设计-静电放电ESD的测试与整改-3ESD静电放电的故障诊断与整改1.典型的解决方法很多方法都能阻止ESD电流脉冲或让电流脉冲通过产品安全地返回系统将其转移到大地。串联设计，比如铁氧体磁珠、共模扼流圈和小阻值的串联电阻器。可用于阻止或减小电流脉冲。并联设计，比如电容器件、反偏的二极管、火花隙或气体放电装置，当跨接在数据线上时，可将大部分的ESD电流转移至外壳平面或安全地。对于外壳平面，并不需要其是一个完整的平面，也不需要其位于底层或中间层上。使用外壳平面最有效的方法之一是，在所考虑的

原创 产品辐射发射的故障诊断与整改技术（一）

较低频率的发射通常都是由电缆产生的，他们的物理长度使得其能成为好的天线，天线越大，他们的发射更为有效。电缆通常为设备的最长部分，从而为最低频的发射源。这两本书都是以实用为目的，将复杂的理论简单化，化繁为简、化简为易，从而简化了冗长的理论，可以作为在企业从事电子产品开发的相关人员进行EMC设计的参考资料。频率越高，辐射能量的更可能是设备的壳体，或者当设备没有壳体或为开放式的框架时辐射能量最可能的是产品中的电路板。通常的情况下，测试不合格的原因是因为连接线电缆的辐射或壳体上的缝隙或孔缝产生的泄漏。

原创 产品可靠性设计-浪涌防护设计中TVS选型与计算

TVS的钳位电压将随着电流的增加而增加，能比额定的反向峰值电压高25%。对于15KP48A的TVS管15KW的含义是：最大峰值电流194.3A与其对应的最大钳位电压77.7V的乘积为 15KW. 亦即知道某些参数，其它参数是可以通过计算得到。标准为：RTCA DO-160F中的雷电感应的瞬态敏感测试：测试电压300V，仪器内阻为1Ω，测试波形为69us/250us。在实际应用中，很少有在交流电网中使用TVS进行浪涌设计的，这只是一个说明器件的参考选择方法，请电子工程师们一定要注意应用场合。

原创 产品可靠性设计-浪涌和雷电脉冲波的瞬态抑制

雷电是由雷云放电引起的，关于雷云的聚集和带电至今还没有令人满意的解释，目前比较普遍的看法是：热气流上升时冷凝产生冰晶，气流中的冰晶碰撞后分裂导致较轻的部分带负电荷并被风吹走形成大块的雷云；如果脉冲被放置在电源和孤立的外壳之间，那么脉冲想要直接走从电源到外壳的返回路径将是不大可能的。随着雷云的发展和运动，雷云中积聚了大量的电荷，一旦空间电场强度超过大气游离放电的临界电场强度（大气中约为30kV/cm,有水滴存在时约为10kV/cm）时，就会发生不同极性的雷云之间、或雷云对大地的火花放电。V-峰值电压（V）;

原创 PCB设计十大黄金准则

在双层板设计中，在为电源留下足够空间的情况下，应该将留下的部分用参考地填充，且增加一些必要的过孔，将双面信号有效连接起来，对一些关键信号尽量采用地线隔离，对一些频率较高的设计，需特别考虑其地平面信号回路问题，建议采用多层板为宜。7.避免不同电源层重叠不同电源层在空间上要避免重叠，主要是为了减少不同电源之间的干扰，特别是一些电压相差很大的电源之间，电源平面的重叠问题一定要设法避免，难以避免时可考虑中间隔地层。① 小于 10 个输出的小规模集成电路，f≤50MHz时，至少配接一个100nf的滤波电容。

原创 emc防护原理

声明：本内容为作者独立观点，不代表电子星球立场。授权事宜与稿件投诉，请联系：editor@netbroad.com。觉得内容不错的朋友，别忘了一键三连哦！

原创 ESD放电路径分析

当金属外壳接地情况下，大部分外部干扰信号将会通过外壳，外壳到接地点，再由接地点回到干扰信号的地，实现干扰信号的回流，这点不仅仅适用于​ESD，对于其他的RI类干扰，也同样适合。发现内部金属板跟外壳的搭接处存在较多的缝隙点，该缝隙点对于频率较高的信号能够实现较为理想的回流，但是对于频率没有那么高的信号，则较难以实现回流，我们尝试将这些缝隙用铜箔包裹住，充分降低该金属板跟外壳的接触阻抗​。我们分析，路径3其实是不期望的路径，我们最期望的路径是1，或者2的内部金属部件跟外壳良好接触情况下的路径。

原创 电磁波的信号加载说明

通过对流及其独特的通路特性进行编程，接收器可以对每个流进行识别和解调，并将其重编成原始的流。数字压缩的技术：要发送的数字数据易受用来大幅减少信息量的压缩算法的影响。比如，数字手机和互联网协议语言（VoIP）电话的语言信号就是经过压缩的。MP3或AAC文件的音乐经过压缩后可以获得更快的传输速度，并且所需的存储空间也更小。视频经过压缩后，高分辨率的图像可以更快地传输或者在带宽有限的系统中传输。额外的编码比特会增加信号的开销，从而降低数据的净比特率，不过这往往是CNR的一位数dB改进的一个可以接受的折衷因素。

原创 TVS 管选型与 ESD 防护设计

结合上图中的TVS工作特性曲线，当管子两端的反向电压大于VRWM后，管子开始反向导通，当反向电压大于VBR后，管子开始被反向击穿，此时电流开始突变，最终当反向电压大于VC后，管子处于雪崩击穿状态，此时流过管子的电流急剧增加，而管子两端的电压值变化不大。静电防护设计是让电路板外接的各类金属按钮开关在接触到外界空气放电或接触放电时，在这种瞬间出现的大能量注入到电路板后，能够通过某种设计好的通道泄放到大地中，从而保护后端电路免受静电的影响。

原创 ESD和TVS管的区别

ESD的保护电压在2KV～15KV（接触放电：8KV，空气放电：15KV），结电容低，可以达到1pF以下，因此可以用在高速信号传输线上，像USB、HDMI等；TVS具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力，主要用在电源的输入端起到保护作用，由于TVS的结电容会大一些，因此不适合用在高速通信的接口上。TVS：瞬态抑制二极管，具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力，主要用在电源输入端用来吸收浪涌。ESD：需要三个引脚（1个GPIO、1个电源+、1个电源-）ESD和TVS的区别主要在功率、应用场合和封装。

原创 EMC(1)——外设接口ESD防护电路设计

大错特错，这里的没有电流指的是没有差模电流了，但是EMC里面重点关注的是共模，接不接线缆都不妨碍成为共模电流的路径，所以我们的接口防护设计中，一定要做好全面防护，只要是接口就要防护，切记！另外对于复位电路，在进行ESD 测试时，如果静电屏蔽不能做得很好，静电能量串入到电路里面去，电源线上就会感应到静电，复位电路的电源如果没有做滤波隔离措施，静电能量就会引起芯片复位，电容对交流信号是直通的，ESD 能量是很强的交流脉冲，故一定要做好电源和地的隔离，这是测试过程中经常出现的问题。

原创 EMC整改案案例解析及分析（静电&辐射发射&快速脉冲群）

对于台式带接地的设备，进行发射发射整改时候，也需要注意液晶接地和液晶排线的处理，设备内部接地保证低阻抗，对特殊对外的端口，如网口和usb需在PCB设计中做处理，一般情况下外部通讯地和内部电路板的地式隔离的，通过电容或者电阻进行单点连接，如下，两个隔离地通过隔离变压器处的电容或者电阻进行连接，根据实际情况，一般就放电容即可。液晶上的始终信号和其他通讯信号，在高频情况下，通过液晶排线和连接器，由于液晶排线和连接器上的等效电感和回路阻抗较大，对原有的信号造成干扰，高频信号极易容易产生谐波分量。

原创 Android系统启动过程-uBoot+Kernel+Android

本文是参考大量网上资源在结合自己查看源代码总结出来的，让自己同时也让大家加深对Android系统启动过程有一个更加深入的了解！再次强调，本文的大多数功劳应归功于那些原创者们，同时一些必要的参考链接我会一一附上。注：由于本人采用Exynos4412开发板学习，所以本文大部分资料都是基于此处理器的简介：对于整个Android系统的启动总的来说分为三个阶段：BootLoader引导即uBoot.binlinux内核启动即zImageAndroid系统启动即ramdisk.img与system.img。

原创 I2C、SPI、UART、RGB、LVDS，MIPI，EDP和DP等显示屏接口简要总结

MIPI (Mobile Industry Processor Interface) 是2003年由ARM, Nokia, ST ,TI等公司成立的一个联盟，目的是把手机内部的接口如摄像头、显示屏接口、射频/基带接口等标准化，从而减少手机设计的复杂程度和增加设计灵活性。太快，LCD反应不过来，显示不了，太慢也不合适，这个范围可以根据你的刷新率需求和lcd 的规格书（一般会有一个最少响应周期）来确定。SPI没有官方化，速率不统一，根据器件不同传输速率不一，有几M，十几M的，也有几十M的，比I2C速度快。

原创 硬件设计基础说明

小范围的不等距对差分信号影响并不是很大，间距不一致虽然会导致差分阻抗发生变化，但因为差分对之间的耦合本身就不显著，所以阻抗变化范围也是很小的，通常在10%以内，只相当于一个过孔造成的反射，这对信号传输不会造成明显的影响。应该等长优先，差分信号是以信号的上升沿和下降沿的交点作为信号变化点的，走线不等长的话会使这个交点偏移，对信号的时序影响较大，另外还给差分信号中引入了共模的成分，降低信号的质量，增加了EMI。而且高频信号跨岛会使信号的特征阻抗产生特变，导致信号的反射和叠加，产生振铃现象。

原创 ESD/EMI防护设计及EMC设计PCB检查建议

F、防止电源辐射，电源层覆铜必须内缩，以一个H（电源和地之间的介质厚度）为单位，建议内缩20H，我们要求地平面大于电源或信号层，这样有利于防止对外辐射干扰和屏蔽外界对自身的干扰，（一般情况下在PCB设计的时候把电源层比地层内缩1mm即可，不然严格去满足20H的话会导致PCB走线不方便，如图9-9所示。① 关键信号线走线避免跨分割我们PCB中的信号都是阻抗线，是有参考的平面层，对于设计的关键信号避免跨分割的现象出现，否则会导致信号阻抗的突变，导致信号完整性问题的出现。如图9-10，描述了信号跨分割的现象。

原创 POE交换机-AF标准与AT标准协议说明

2003年6月，IEEE批准了802.3af标准,该标准是基于以太网供电系统POE的新标准，它在IEEE 802.3的基础上增加了通过网线直接供电的相关标准，是现有以太网标准的扩展，也是第一个关于电源分配的国际标准。在IEEE802.3af标准下，如果一台24口PoE交换机的PoE供电总功率达到了370W，那么就能够供满24个端口(370/15.4=24)，但如果是按照IEEE802.3at标准的单口最大供电功率30W计算，同时最多就只能给12个端口供电了(370/30=12)。at是向下兼容af的。

原创 电平触发和边沿触发 && ACCDET模块耳机检测

基于这个区别：如果用电平触发在一段时间内会一直响应中断，比如发数据开始会拉低，直到发完后才会拉高，这个低电平触发会不断执行，但其实只想它发数据时触发一次，将其改成低的边沿触发即可。插入耳机，若是高电平触发中断，需要保证AUX_EINT_STATE为1，否则为0。耳机的状态会保存到ACCDET的寄存器中，当电压在任意2个范围间切换时，状态发生变化,ACCDET产生中断，中断处理中读取状态寄存器的值，并根据状态的变化做相应的处理。__/ ，这个图中，0到1变换，/部分就是上升沿，

原创 GPIO 上拉下拉解释说明

3、I/O端口，有的可以设置，有的不可以设置，有的是内置，有的是需要外接，I/O端口的输出类似与一个三极管的C，当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候，该电阻成为上C拉电阻，也就是说，如果该端口正常时为高电平，C通过一个电阻和地连接在一起的时候，该电阻称为下拉电阻，使该端口平时为低电平，作用：比如，当一个接有上拉电阻的端口设为输入状态时，他的常态就为高电平，用于检测低电平的输入。可见对应于S3C2410的GPB-BPH口内部有上拉电阻寄存器，当相应的上拉电阻使能时，对应的I/O引脚悬空时，表现出高电平。

原创 示波器的采样率和存储深度在实际操作有什么用？

同理，当我们示波器的窗口时基设置为100us/div时，采样时间T=1ms，此时仍按照1Mpts的存储深度来计算，采样率为1GS/s，在某些示波器中，该采样率已经达到最高采样率。可以看出，在不同的采样率下，1MHz的方波是完全不一样的，在采样率小的情况下，被测到的方波出现了“吉布斯效应”。示波器在测量信号时，需要这样，一个一个点的对波形进行采样，显然，这样的采样点越多，所测到的波形，就越接近最真实的波形。问：其实我想问的是，如果有一个50Hz的方波，最低采样率应该是多少，才能使得采样的波形不会失真？

原创 PoE供电技术简介

这就是，Alternative A或Alternative B标准并未对1&2，3&6，4&5，7&8四对双绞线进行正负极性规定的原因，或者说标准的PD芯片前端都要加入整流电桥（可由四个分立二极管组成；图 4所示，1&2&3&6只做数据传输引脚，PSE通过4&5&78空闲引脚（无变压器）为PD供电，把4&5引脚直接连接形成正（或负）极，把7&8引脚直接连接形成负（或正）极，称为“Alternative B(4&5,7&8) —— 基于10/100 BASE-T的空闲引脚供电”。

原创 1000兆以太网详解PHY 硬件设计注意事项

其中初级中心抽头的接法需要根据PHY芯片来决定，电压驱动的就要接电源，电流驱动直接接个电容到地即可，是具体还要参看芯片的datasheet和参考设计了。RJ是Registered Jack的缩写，意思是“注册的插座”。在一些工业场景下环境恶略需要增添ESD保护器件，ESD器件一版放到靠近连接器位置，对于百兆以太网来说只需要4通道低结电电容器件，根据需要的静电等级进行型号选型。根据功能划分，内部有无集成变压器，有无集成LED指示灯，根据外壳分类是否金属或塑料，有无金属弹片等，进行选型时需要清楚明了。

原创 ADC采样的参考电源的准度问题

ADC采样的参考电源的准度问题假如ADC是12位的，MCU的供电电压3.3V，实际测试供电电压3.35V，偏差（3.35-3.3）/3.3≈1.5%，请问提高ADC采样的准度，这个电压还有必要再提升吗？ADC采样的是压力的值，压力传感器是压阻型的，和一个固定电压分压之后送到MCU的ADC口进行采样。（图中NTC实际是压阻型压力传感器，根据压力的不同，电阻不同，分压不同，ADC不同，得出当前的压力值）问题：1.这种情况要如何进一步提升采样的准度？知道的请详细说明依据，一起探讨，共同进步。

原创 一篇文章带你全面认识单片机的晶振

分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的，决定振荡频率的整个槽路C=Cbe，Cce，Cv三个串联后和Co并联再和C1串联。每个单片机系统里都有晶振，晶振是由石英晶体经过加工并镀上电极而做成的，主要的特性就是通电后会产生机械震荡，可以给单片机提供稳定的时钟源，晶振提供时钟频率越高，单片机的运行速度也就越快。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。而且当设计需要降低功耗时，比如说便携式仪表等，就需要外部晶振，因为内部晶振不能根据需要停止，而外部晶振可以适时停止，从而进入休眠状态，降低功耗。

原创 接地电阻要小于4Ω，你知道是为什么吗？

因此，工作电压确定的情况下，接地电阻越小，能通过的电流就越大，电流泄放效果越好。这是因为系统如果发生故障，故障电流一般不会大于10A，因此当接地电阻为4Ω时，流过接地电阻时产生的故障电压为4*10=40V。实际上，使用一般市电的电器只要有零线和火线两根就可以正常工作了，多出来的这根线是地线，也就是说这些电器必须要接地工作，此时接地电阻就至关重要了。一般而言，接地电阻应不大于4Ω。但如果接地电阻太大(假如大过人体电阻)，当人触摸机壳时，人体就成了接地线，电流就从人体流入大地，导致人体触电，相当危险。

原创 盘点嵌入式系统中LCD的接口类型

如果给液晶施加电场，会改变它的分子排列，从而改变光线的传播方向，配合偏振光片，它就具有控制光线透过率的作用，再配合彩色滤光片，改变加给液晶电压大小，就能改变某一颜色透光量的多少。数据位传输有8位，9位，16位，18位，24位。主要看LCD的驱动方式和控制方式，目前手机上的彩色LCD的连接方式一般有这么几种：MCU模式（也写成MPU模式的），RGB模式，SPI模式，VSYNC模式，MDDI模式，DSI模式。该模式串行的双向高速命令传输模式，连线有D0P，D0N，D1P，D1N，CLKP，CLKN。

原创 保险丝选型注意事项

保险丝通电时因电流转换的热量会使熔体的温度上升，在负载正常工作电流或允许的过载电流时，电流所产生的热量和通过熔体，壳体和周围环境所幅射，对流和传导等方式散发的热量能逐步达到平衡；在保险丝起保护作用熔断时开路，电源电压会直接加在保险丝两端，所以，在使用时，保险丝耐压值需要大于电源的电压，并留合适的余量。由上表即曲线可知，温度在70℃左右时，熔断电流已经下降到了标称值的50%左右，而在-20℃时，熔断电流是标称值的140%左右，这个变化是很大的。正常情况下，保险丝是串联在电路中的，上面的电压很小。