内存及其分类

内存由半导体存储芯片组成。

一、半导体存储器的分类

二.SRAM

1.读周期

它是指连续两次读操作所需要的最短时间间隔。

2.读时间

它是指从地址有效开始到输出数据稳定所需的时间。

3.写周期

它是指连续两次写操作所需要的最短时间间隔。

4.写时间

它是指地址和片选有效后,输入数据可靠写入存储单元所需的时间。

5.写恢复时间

它是指在CS和WE都撤销后，必须等待的时间。这个时间结束后才允许改变地址进入下一个读写周期。

三、DRAM

1.存储位元

存储器类型	存储位元
SRAM	一个触发器，具有两个稳定状态
DRAM	一个Mos晶体管和电容器组成的记忆电路

2.读写周期

读周期、写周期的定义是从行选通信号RAS下降沿开始，到下一个RAS信号的下降沿为止的时间，也就是连续两个读周期的时间间隔。通常为控制方便，读周期和写周期时间相等。

3.刷新

（1）原因

DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储，这个电荷量随着时间和温度而减少，因此必须定期地刷新，以保持它们原来记忆的正确信息。

（2）刷新方式

例如：对内部结构为128×128的存储芯片进行刷新，设刷新周期是2ms ，存取周期是0.5 u s,则整个刷新周期中共有4000个存取周期。以此为例，说明刷新方式。

• • 集中刷新

集中刷新方式是指在4000个存取周期中取连续的128个存取周期，对存储器进行逐行刷新。

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特点是芯片的刷新操作集中在64 us内，在这个时间段中，CPU是不能访问DRAM的，这个时间又称为“死时间”，而64 us 对 CPU来说是一个相当长的时间。

• • 分散刷新

分散刷新方式是指将4000个存取周期分为2000个基本周期，每个基本周期中包含两个存取周期时间段.其中一个供CPU访问存储器，另一个用于存储器自身的逐行刷新。

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分散刷新虽然将死时间分散了，但是整个系统的效率降低了。

• • 异步刷新

异步刷新方式是指将4000个存储周期分为128个时间段，每个时间段15.5 u，即31个存取周期。每个时间段中30个存取周期用于存储器的读取或保持，1个存取周期对DRAM中的一行执行刷新操作。

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异步刷新方式不但分散了死时间，而且提高了存储器的工作效率。