内存由半导体存储芯片组成。
一、半导体存储器的分类
二.SRAM
1.读周期
它是指连续两次读操作所需要的最短时间间隔。
2.读时间
它是指从地址有效开始到输出数据稳定所需的时间。
3.写周期
它是指连续两次写操作所需要的最短时间间隔。
4.写时间
它是指地址和片选有效后,输入数据可靠写入存储单元所需的时间。
5.写恢复时间
它是指在CS和WE都撤销后,必须等待的时间。这个时间结束后才允许改变地址进入下一个读写周期。
三、DRAM
1.存储位元
存储器类型 | 存储位元 |
SRAM | 一个触发器,具有两个稳定状态 |
DRAM | 一个Mos晶体管和电容器组成的记忆电路 |
2.读写周期
读周期、写周期的定义是从行选通信号RAS下降沿开始,到下一个RAS信号的下降沿为止的时间,也就是连续两个读周期的时间间隔。通常为控制方便,读周期和写周期时间相等。
3.刷新
(1)原因
DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储,这个电荷量随着时间和温度而减少,因此必须定期地刷新,以保持它们原来记忆的正确信息。
(2)刷新方式
例如:对内部结构为128×128的存储芯片进行刷新,设刷新周期是2ms ,存取周期是0.5 u s,则整个刷新周期中共有4000个存取周期。以此为例,说明刷新方式。
- 集中刷新
集中刷新方式是指在4000个存取周期中取连续的128个存取周期,对存储器进行逐行刷新。
特点是芯片的刷新操作集中在64 us内,在这个时间段中,CPU是不能访问DRAM的,这个时间又称为“死时间”,而64 us 对 CPU来说是一个相当长的时间。
- 分散刷新
分散刷新方式是指将4000个存取周期分为2000个基本周期,每个基本周期中包含两个存取周期时间段.其中一个供CPU访问存储器,另一个用于存储器自身的逐行刷新。
分散刷新虽然将死时间分散了,但是整个系统的效率降低了。
- 异步刷新
异步刷新方式是指将4000个存储周期分为128个时间段,每个时间段15.5 u,即31个存取周期。每个时间段中30个存取周期用于存储器的读取或保持,1个存取周期对DRAM中的一行执行刷新操作。
异步刷新方式不但分散了死时间,而且提高了存储器的工作效率。